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標(biāo)簽 > NMOS
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評估平臺
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFETNMOS矩陣開關(guān) 469 0
在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時,縮放并...
電平轉(zhuǎn)換電路的實現(xiàn)原理及電路圖分享
5V和3.3V是單片機(jī)系統(tǒng)中常見的電平,對于IIC和SPI等輸傳輸協(xié)議,芯片和芯片之間存在高低電平定義范圍不一致的問題,所以需要電平轉(zhuǎn)換電路來保證這些芯...
2024-11-13 標(biāo)簽:NMOS電平轉(zhuǎn)換 460 0
?# 一、緒論 Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺設(shè)計的LTE Cat 1無線通信模組。支持移動雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)...
2024-10-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸NMOSLTE 829 0
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的,開關(guān)相對于負(fù)載處于高電位,如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換,就是低側(cè)開關(guān)。
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...
類別:電子資料 2024-04-24 標(biāo)簽:控制器NMOS功率開關(guān) 138 0
通過汽車認(rèn)證的LM26420-Q1雙路2A高效同步直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-19 標(biāo)簽:NMOS直流轉(zhuǎn)換器 148 0
具有真正關(guān)斷隔離的同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器LM4510數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-11 標(biāo)簽:NMOSDC轉(zhuǎn)換器 121 0
40V、160mΩ 雙通道智能高側(cè)開關(guān)TPS2H160-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-09 標(biāo)簽:NMOS智能高側(cè)開關(guān) 139 0
40V 200m? 單通道智能高側(cè)開關(guān)TPS1H200A-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-03 標(biāo)簽:NMOS智能高側(cè)開關(guān) 189 0
具有電感式快速調(diào)光功能的65V 2A/4A降壓LED驅(qū)動器TPS92205x數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-22 標(biāo)簽:NMOSled驅(qū)動器 172 0
40V 7 通道低側(cè)驅(qū)動器TPL7407L數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-19 標(biāo)簽:NMOS低側(cè)驅(qū)動器 209 0
無蓋NMOS 150 mA低壓降調(diào)節(jié)器TPS731xx系列數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-05 標(biāo)簽:NMOS調(diào)節(jié)器 187 0
帶反向電流保護(hù)的無帽NMOS 250mA降壓穩(wěn)壓器TPS732xx系列數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-04 標(biāo)簽:NMOS降壓穩(wěn)壓器電流保護(hù) 187 0
大功率電路負(fù)載電流驅(qū)動中,為什么都是用NMOS并聯(lián),而不是PMOS呢?
Part 01 前言 我們都知道,MOSFET按工作模式可以分為PMOS(P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)和NMOS(N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管,這些晶體管...
兩輪電動車控制器方案詳解350W電車驅(qū)動器36V 48V 60V 72V
現(xiàn)代兩輪電動車技術(shù)的發(fā)展已使控制器遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了傳統(tǒng)的單一驅(qū)動控制功能,成為了兩輪電動車的能量管理與控制中心,這是保障兩輪電動車安全行駛、舒適騎行、獲得高動...
東成鋰電無刷角向磨光機(jī)解決方案來自Qorvo與士蘭微,看看它們?nèi)绾螌崿F(xiàn)小體積、高效率以及低成本吧! 前言: 角磨機(jī)是一種常見的電動工具,廣泛應(yīng)用于金屬加...
NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)和PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種基本的場效應(yīng)晶體管(FET)類型,它們在電子設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。了解這兩...
沁恒全系PD產(chǎn)品亮相亞洲充電展,全方位賦能Type-C應(yīng)用
3月20~22日,沁恒以“融合PD與專業(yè)接口,全方位賦能Type-C應(yīng)用”為主題,攜全系PD產(chǎn)品和熱門方案亮相2024(春季)亞洲充電展。
2024-03-25 標(biāo)簽:NMOS電壓調(diào)節(jié)器灌電流 1340 0
功率開關(guān)管瞬時導(dǎo)通的持續(xù)時間對尖峰干擾的影響
功率開關(guān)管瞬時導(dǎo)通的持續(xù)時間對尖峰干擾的影響? 功率開關(guān)管(Power MOSFET)是一種用于控制高功率電流的電子元件,它在電子設(shè)備和電源中被廣泛應(yīng)用...
2023-11-28 標(biāo)簽:NMOS功率開關(guān)管 639 0
半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步令人矚目,在小小的芯片上集成了數(shù)十億個晶體管,實現(xiàn)了高速、高效、低功耗的計算和通信。但這些芯片并非永恒不變的,隨著時間和使用,會經(jīng)歷老化...
你要是想讀懂這篇文章,請先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識,本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展,可能有一點(diǎn)點(diǎn)深,請各位同學(xué)注意。本文帶你了解MOS管的開通/關(guān)斷原...
2023-11-15 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管NMOS 1502 0
PMOS和NMOS為什么不能同時打開?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢?
PMOS和NMOS為什么不能同時打開?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢? PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET(MOS場效應(yīng)晶體管)。這兩種晶...
如果把cmos反相器中的nmos和pmos顛倒連接,電路能否工作?為什么?
如果把cmos反相器中的nmos和pmos顛倒連接,電路能否工作?為什么? CMOS反相器是數(shù)字電路中非常基礎(chǔ)的一種電路,也被廣泛應(yīng)用于不同的場合中,例...
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