這一篇,總結(jié)一下level shifter的晶體管級工作原理,就從最傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)講起,詳細分析這個level shifter是怎么實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的。
首先,level shifter是電平轉(zhuǎn)換器,可以將高電壓域轉(zhuǎn)換到低電壓域,也可以將低電壓域轉(zhuǎn)換到高電壓域,有的level shifter可同時實現(xiàn)這兩個功能,有的則只能實現(xiàn)一種,具體看designer怎么設(shè)計,下面以低電壓域轉(zhuǎn)換到高電壓域轉(zhuǎn)換電路為例,詳細說明level shifter是怎么實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換的,高電壓域到低電壓域的轉(zhuǎn)換,也是同樣的道理,不同電路結(jié)構(gòu)可借鑒這個最傳統(tǒng)的level shiter結(jié)構(gòu)去分析,畢竟這個結(jié)構(gòu)在1984年就已被發(fā)明應(yīng)用。
首先說明一個知識點,MOS管進入深線性區(qū)的條件:Vds<<2(Vgs-Vth),也就是說當Vgs很大,Vds很小時,容易進入深線性區(qū)。
這里稱低電壓為VDDL,高電壓為VDDH,level shifter就是實現(xiàn)如下圖所示的高低電壓之間的電平轉(zhuǎn)換,一般是用在數(shù)字電路中,有時序的信號之間。
比如說我這里有一個clk信號是1.6V的swing,但是另一個模塊需要用到3.3V的clk信號,那么這個時候就需要level shifter完成1.6V到3.3V的一個轉(zhuǎn)換。
紅色線就是電路中的IN1,黑色線就是想得到輸出OUT。
一般情況下,輸入IN1的swing就是0-VDDL,這里VDDL足以讓M1和M2開啟。
不用思考也知道,level shifter是很容易傳輸0電平的,當輸入IN1是0V的時候,IN2是VDDL,M2開啟,M點被下拉到地即0V,此時M3開啟,N點被下拉到VDDH,M4關(guān)斷,經(jīng)過inverter輸出OUT=0, 0電平就這么shift完成了,這個電路的主要分析點在于,IN1從0轉(zhuǎn)到VDDL的過程,OUT輸出0-VDDH的過程。
我們就假設(shè)電路的初態(tài)是IN1=0,IN2=VDDL,M=0,N=VDDH,OUT=0。
此時這個狀態(tài),M1關(guān)斷,M2開啟,M3在深線性區(qū)(無電流,Vds=0),M4關(guān)斷。接下來,IN1由0增加到VDDL,此時IN2由VDDL減小到0,M1開啟,M2關(guān)斷,M1開啟使得N點被下拉到地,即N點會由VDDH下降到0V,N點電壓減小,使得M3的Vds由0開始增大,M3很快由深線性區(qū)進入線性區(qū)。
這一點不懂的看下圖,紅色圈圈是深線性區(qū)的區(qū)域,此時MOS管的Vds很小很小,管子的電流幾乎可以忽略,但是當Vds稍微增大,管子就很快進入線性區(qū)(藍色圈圈區(qū)域),瞬間有了電流,也就是說,深線性區(qū)只是一個很小的范圍。
M3進入線性區(qū)有了電流,M1進入飽和區(qū)有了電流。(M1由關(guān)斷到開啟,肯定是先進入飽和區(qū),因為這個臨界點時,M1的Vds=VDDH>Vgs-Vth1=VDDL-Vth1,肯定是飽和區(qū))。
從圖中也可以得出,M1的飽和區(qū)電流肯定先是大于M3的線性區(qū)電流,使得N點持續(xù)由VDDH放電到地,這個過程不能使得M1電流小于M3電流,否則N點下拉失敗,OUT無法輸出高電平VDDH。
也就是說,這個過程中M1和M3競爭,M1要贏過M3,才會使得N點下拉成功,OUT輸出VDDH。同理,M2也要贏過M4。
那么,M1是如何和M3競爭的呢?
第一種情況:當N點放電的時候,N點電壓由VDDH減小,即M1的Vds減小,M3的Vds增大,M1的電流減小,M3的電流增大,那么,兩者會有相等的時候嗎?肯定會有,當兩者電流相等的時候,如果N點電壓足夠高,使得M4無法導(dǎo)通,那么M1和M3會一直保持這個電流,N點電壓保持,電路維持在這個狀態(tài)。這個狀態(tài)是我們不希望的。
第二種情況:當M3電流增大,M1電流減小過程中,在二者電流相等之前,N點電壓就足以使得M4導(dǎo)通,M點被上拉到VDDH,M3關(guān)斷,上拉能力很快減弱到?jīng)]有,使得N點繼續(xù)放電到0,輸出OUT輸出高電平VDDH,這種情況是我們希望的。
正反饋在哪里呢,當N點電壓減小到使得M4導(dǎo)通,那么M點電壓增大,促使M3關(guān)斷,下拉能力減小,使得N點繼續(xù)減小,這就是正反饋。
那么,如何才能保證是第二種狀態(tài)而不是第一種呢?只要nmos的下拉大于pmos的上拉就可以了。
臨界點的M1和M3的寬長比計算依據(jù):當M1和M3電流相等時,N點電壓恰好使得M4導(dǎo)通,即N點電壓為VDDH-|Vth4|。(M3和M4的Vth相等)
具體計算過程:M1的飽和區(qū)電流和M3的線性區(qū)電流相等,即以下公式,
由Id3=Id1,得到
此值一般大于1很多,一般也不會刻意去計算這個值,只需要nmos的W/L取很大,pmos取倒比管,就能滿足nmos的下拉大于pmos的上拉能力。
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