GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件??梢燥@著降低功率損耗和散熱負(fù)載,在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域,可有效降低能量損耗。
從第一個氮化鎵快充源的量產(chǎn),到上百種氮化鎵新產(chǎn)品涌入市場,短短幾年時間,整個氮化鎵快充源市場的容量增長了百倍。在過去,只有少數(shù)幾個第一代氮化鎵快速充電源。氮化鎵第三方配件品牌敢于嘗試的技術(shù),如今已經(jīng)成為一線手機和筆記本電腦品牌的必備產(chǎn)品。我們不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。
在選擇哪種氮化鎵芯片更加適合你的應(yīng)用時,需要考慮以下幾個因素:
1. 功率需求
首先需要考慮的是你的應(yīng)用所需的功率。氮化鎵芯片可以提供更高的功率,因此如果你需要高功率的應(yīng)用,如電動汽車或快速充電設(shè)備,那么選擇高功率的氮化鎵芯片是更好的選擇。
2. 頻率
另一個需要考慮的因素是頻率。在某些應(yīng)用中,需要更高的頻率來提高效率如。果你在這些應(yīng)用中工作,那么選擇具有高頻率的氮化鎵芯片可能更加適合你。
3. 可靠性
可靠性是另一個重要的因素。你需要確保你的氮化鎵芯片可以可靠地工作,并且具有長壽命。因此,在選擇芯片時,你需要考慮其質(zhì)量和制造過程,以及其可靠性記錄。
4. 成本
最后需要考慮的是成本。氮化鎵芯片比傳統(tǒng)的硅芯片更昂貴,但是它們可以提供更高的效率和更快的充電速度。因此,你需要權(quán)衡成本和效益,以確定哪種氮化鎵芯片更加適合你的應(yīng)用。
KeepTops推出的一款GaN/氮化鎵-KT65C1R200D芯片適用于200W快充電源設(shè)計;芯片內(nèi)部集成650V 200mΩ氮化鎵開關(guān)管、控制器、驅(qū)動器、高壓啟動電路和保護單元。可以有效縮小充電器的變壓器體積,得到性能和成本的平衡,同時集成高壓啟動電路、軟啟動電路,以及用于超寬輸出范圍的分段式供電電路。
在突發(fā)和故障模式下具有超低的工作電流,支持抖頻改善EMI性能,支持谷底開通,輕載和空載模式以突發(fā)模式運行以降低功耗,提高效率;內(nèi)置過熱、過流、過壓和輸出短路、次級開路保護功能,采用DNF8x8封裝形式,可通過PCB銅箔散熱,簡化散熱要求,降低溫升。
KeepTops作為國內(nèi)領(lǐng)先的具有自主設(shè)計、研發(fā)、銷售為一體的電源管理芯片源頭廠家,誠芯微科技在電源快充領(lǐng)域持續(xù)深耕,15年來不斷通過技術(shù)創(chuàng)新推陳出新、以市場需求為導(dǎo)向,以客戶滿意為己任,在電源管理芯片領(lǐng)域精耕細(xì)作,為客戶提供高性能、高效率、高可靠性的電源整體解決方案。日前,KeepTops推出多款集成GaN快充產(chǎn)品,并以極致的高性價比迅速推向市場,獲市場一致好評。
審核編輯:湯梓紅
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
455文章
50851瀏覽量
424010 -
控制器
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
16376瀏覽量
178235 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
59文章
1632瀏覽量
116374 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
1936瀏覽量
73538
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論