0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

不知道該如何選擇氮化鎵芯片?

jf_52490301 ? 來源:jf_52490301 ? 作者:jf_52490301 ? 2023-10-27 14:12 ? 次閱讀

GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件??梢燥@著降低功率損耗和散熱負(fù)載,在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域,可有效降低能量損耗。

從第一個氮化鎵快充源的量產(chǎn),到上百種氮化鎵新產(chǎn)品涌入市場,短短幾年時間,整個氮化鎵快充源市場的容量增長了百倍。在過去,只有少數(shù)幾個第一代氮化鎵快速充電源。氮化鎵第三方配件品牌敢于嘗試的技術(shù),如今已經(jīng)成為一線手機和筆記本電腦品牌的必備產(chǎn)品。我們不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。

在選擇哪種氮化鎵芯片更加適合你的應(yīng)用時,需要考慮以下幾個因素:

1. 功率需求

首先需要考慮的是你的應(yīng)用所需的功率。氮化鎵芯片可以提供更高的功率,因此如果你需要高功率的應(yīng)用,如電動汽車或快速充電設(shè)備,那么選擇高功率的氮化鎵芯片是更好的選擇。

2. 頻率

另一個需要考慮的因素是頻率。在某些應(yīng)用中,需要更高的頻率來提高效率如。果你在這些應(yīng)用中工作,那么選擇具有高頻率的氮化鎵芯片可能更加適合你。

3. 可靠性

可靠性是另一個重要的因素。你需要確保你的氮化鎵芯片可以可靠地工作,并且具有長壽命。因此,在選擇芯片時,你需要考慮其質(zhì)量和制造過程,以及其可靠性記錄。

4. 成本

最后需要考慮的是成本。氮化鎵芯片比傳統(tǒng)的硅芯片更昂貴,但是它們可以提供更高的效率和更快的充電速度。因此,你需要權(quán)衡成本和效益,以確定哪種氮化鎵芯片更加適合你的應(yīng)用。

KeepTops推出的一款GaN/氮化鎵-KT65C1R200D芯片適用于200W快充電源設(shè)計;芯片內(nèi)部集成650V 200mΩ氮化鎵開關(guān)管、控制器、驅(qū)動器、高壓啟動電路和保護單元。可以有效縮小充電器的變壓器體積,得到性能和成本的平衡,同時集成高壓啟動電路、軟啟動電路,以及用于超寬輸出范圍的分段式供電電路。

在突發(fā)和故障模式下具有超低的工作電流,支持抖頻改善EMI性能,支持谷底開通,輕載和空載模式以突發(fā)模式運行以降低功耗,提高效率;內(nèi)置過熱、過流、過壓和輸出短路、次級開路保護功能,采用DNF8x8封裝形式,可通過PCB銅箔散熱,簡化散熱要求,降低溫升。

KeepTops作為國內(nèi)領(lǐng)先的具有自主設(shè)計、研發(fā)、銷售為一體的電源管理芯片源頭廠家,誠芯微科技在電源快充領(lǐng)域持續(xù)深耕,15年來不斷通過技術(shù)創(chuàng)新推陳出新、以市場需求為導(dǎo)向,以客戶滿意為己任,在電源管理芯片領(lǐng)域精耕細(xì)作,為客戶提供高性能、高效率、高可靠性的電源整體解決方案。日前,KeepTops推出多款集成GaN快充產(chǎn)品,并以極致的高性價比迅速推向市場,獲市場一致好評。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    455

    文章

    50851

    瀏覽量

    424010
  • 控制器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    112

    文章

    16376

    瀏覽量

    178235
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1632

    瀏覽量

    116374
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1936

    瀏覽量

    73538
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    25W氮化電源芯片U8722BAS的主要特征

    在消費類快充電源市場中,氮化有著廣泛的應(yīng)用,如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化快充產(chǎn)品線,推出的氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-24 16:06 ?260次閱讀

    想用stm32f407完成數(shù)據(jù)的收發(fā)功能,想裸機以中斷的方式控制數(shù)據(jù)的收發(fā),不知道該方案是否可行?

    想用stm32f407完成數(shù)據(jù)的收發(fā)功能,暫時不想移植協(xié)議棧,想裸機以中斷的方式控制數(shù)據(jù)的收發(fā),不知道該方案是否可行?有沒有相關(guān)的例程?希望用過的朋友給予指導(dǎo)
    發(fā)表于 05-17 06:26

    采用ADMU4121來驅(qū)動氮化半橋電路,上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高是為什么?

    采用ADMU4121來驅(qū)動氮化半橋電路,采樣的全隔離的驅(qū)動方案,但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高,不知道為啥?是因為驅(qū)動芯片的原因嗎?上管是將5V的輸入電壓由B0515隔
    發(fā)表于 01-11 06:43

    氮化是什么充電器類型

    氮化不是充電器類型,而是一種化合物。 氮化(GaN)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來,氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:20 ?967次閱讀

    氮化是什么結(jié)構(gòu)的材料

    氮化(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu):
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:18 ?3453次閱讀

    氮化芯片優(yōu)缺點有哪些

    氮化(GaN)芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關(guān)于氮化芯片的詳
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:16 ?3024次閱讀

    氮化芯片用途有哪些

    氮化(GaN)芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由氮化制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:13 ?1584次閱讀

    氮化芯片研發(fā)過程

    氮化芯片(GaN芯片)是一種新型的半導(dǎo)體材料,在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進步中,
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:11 ?1063次閱讀

    氮化芯片生產(chǎn)工藝有哪些

    氮化芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)良的電學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化芯片
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:09 ?2220次閱讀

    氮化芯片和硅芯片區(qū)別

    氮化芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片,它們在性能、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細(xì)比較
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:08 ?2133次閱讀

    氮化是什么技術(shù)組成的

    。 氮化主要有金屬有機化合物氣相外延法(MOVPE)、分子束外延法(MBE)和金屬有機化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)等制備方法。其中,MOVPE是最常用的制備方法之一。方法通常在高溫下進行,通過金屬有機化合物
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:06 ?1144次閱讀

    氮化是什么晶體類型

    氮化的晶體結(jié)構(gòu)。氮化的晶體結(jié)構(gòu)屬于六方晶系,也被稱為wurtzite結(jié)構(gòu)。在氮化的晶格中,
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:03 ?3906次閱讀

    氮化mos管驅(qū)動方法

    MOS管的驅(qū)動原理、驅(qū)動電路設(shè)計和驅(qū)動方式選擇等方面的內(nèi)容。 驅(qū)動原理 氮化MOS管的驅(qū)動原理主要包括充電過程、放電過程和電流平衡過程三個階段。 在充電過程中,通過控制輸入信號使得氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:29 ?2863次閱讀

    氮化芯片的應(yīng)用及比較分析

    隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分,氮化芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關(guān)注。本文將詳細(xì)介紹
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:25 ?1906次閱讀

    氮化功率器件結(jié)構(gòu)和原理

    氮化功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-09 18:06 ?3255次閱讀