0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

小體積30W氮化鎵PD參考設計,CX75GE030DI合封芯片來助力!

szcxwfdceg ? 來源:szcxwfdceg ? 作者:szcxwfdceg ? 2023-10-19 09:12 ? 次閱讀

高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實現簡化電源設計,CX75GE030DI內部集成了氮化鎵功率管控制和驅動電路芯片,外圍精簡,能有效優(yōu)化充電器體積。

CX75GE030DI是一款高度集成的QR反激合封氮化鎵芯片,芯片內部集成650V 300mΩ氮化鎵開關管、控制器、驅動器、高壓啟動電路和保護單元。采用200KHz開關頻率,可以有效縮小充電器的變壓器體積,得到性能和成本的平衡。CX75GE030DI氮化鎵合封芯片,采用DTSOP-7L封裝,可用于USB PD快充及電視機、顯示器待機電源應用。

CX75GE030DI集成了完備的保護功能,包括:Vcc欠壓保護(UVLO),VCC過壓保護(Vcc_OVP),輸入欠壓/過壓保護 ,輸出過壓保護(VO_OVP),FB開短路保護以及副邊SR短路保護,CS開短路保護等。

30W/( A+ C)參數如下:

輸入電壓范圍 90VAC~264VAC

輸入待機功耗低于 75mW @230VAC

輸出總功率為 30W 單插(5V/3.0A 9V/3A 12V/2.5A 15V/2A 20V/1.5A)

輸出紋波小于 200mV

具有輸出過流保護、短路保護、過溫保護等功能

符合“DOE&COC”6 級能效標準

通過 EN55032 Class B & FCC Class B 的 EMI 測試標準

方案組合: CX75GE030DI+CX7539F+ CX2982AC

主變壓器ATQ18 LP=0.55mH

效率 92.32%

尺寸: 39*34.5*23mm ( PCBA )

功率密度:1.13W/cm3 ( PCBA )

30W合封氮化鎵快充采用主板+小板,兩塊板組合焊接的設計,電源主控芯片及同步整流控制芯片均集中焊在主板上,而協議芯片與Type-C口焊接在了小板上,整塊PCBA真正地做到了合理將電路板面積充分利用,提高空間利用率,縮小了充電器體積。

該款30W快充不僅能夠為新推出的iPhone15快速充電,同時對安卓手機、智能平板、筆記本電腦、智能手表、TWS藍牙耳機等也有非常好的快充兼容性。該款由CX75GE030DI+CX7539F+ CX2982AC構成的氮化鎵合封方案具有外圍精簡,低溫升、高效率等多方面優(yōu)勢。

誠芯微多款合封氮化鎵芯片上線,涵蓋25W、35W、45W、65W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級側兩到三顆芯片的功能,通過高集成度的合封芯片,設計出精簡高效的氮化鎵充電器,能夠有效地簡化充電器設計和生產流程,從而助力行業(yè)客戶快速搶占市場。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    455

    文章

    50817

    瀏覽量

    423676
  • 充電器
    +關注

    關注

    100

    文章

    4132

    瀏覽量

    114965
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    59

    文章

    1631

    瀏覽量

    116354
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    25W氮化電源芯片U8722BAS的主要特征

    在消費類快充電源市場中,氮化有著廣泛的應用,如今已有數十家主流電源廠商開辟了氮化快充產品線,推出的氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-24 16:06 ?215次閱讀

    拆解圖拉斯45W小冰塊氮化充電器

    iPhone 16新機全系快充需求,也支持平板以及部分輕薄筆記本的充電需求。下面就一起來看看產品的設計用料。 此前在充電頭網還拆解過圖拉斯35W抽拉線充電器CQ9、圖拉斯50W雙USB-C小冰塊充電器、圖拉斯30W
    的頭像 發(fā)表于 12-07 10:36 ?376次閱讀
    拆解圖拉斯45<b class='flag-5'>W</b>小冰塊<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>充電器

    本期為大家?guī)淼氖?00W氮化充電器詳細介紹拆解。

    本期為大家?guī)淼氖?00W氮化充電器詳細介紹拆解。 這款充電器配備折疊插腳以及2C1A接口,兩個USB-C口均支持100W PD快充和PP
    的頭像 發(fā)表于 11-11 14:59 ?662次閱讀
    本期為大家?guī)淼氖?00<b class='flag-5'>W</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>充電器詳細介紹拆解。

    分立器件在45W氮化快充產品中的應用

    成為市場上的新勢力。通常,氮化充電器具有高效率、高功率密度、節(jié)能環(huán)保、熱量控制優(yōu)秀、便攜性強、體積小、重量輕、充滿電時間短等優(yōu)點,很多高端電子產品配置了氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-12 11:21 ?453次閱讀
    分立器件在45<b class='flag-5'>W</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充產品中的應用

    40W雙C口氮化快充方案助力Iphone16系列順利發(fā)售!

    誠芯微多款氮化方案齊上陣,涵蓋20W、30W、45W、65
    的頭像 發(fā)表于 09-10 16:35 ?408次閱讀
    40<b class='flag-5'>W</b>雙C口<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充方案<b class='flag-5'>助力</b>Iphone16系列順利發(fā)售!

    氮化快充芯片U8722AH的主要特征

    目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現,助力推動了快充產品的普及。在快速充電器中,變壓器為最重要元件,而氮化則是不容忽視的重要材料。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 18:01 ?668次閱讀

    探究氮化30W快充1A1C方案怎么做

    一款30W的1A1C口PD快充,該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協議芯片組成了極具市場競爭優(yōu)勢的一款30W1A1C口的快充解決方案,該方
    發(fā)表于 07-09 13:53

    納微半導體下一代GaNFast氮化功率芯片助力聯想打造全新氮化快充

    加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化
    的頭像 發(fā)表于 06-21 14:45 ?1502次閱讀

    東科氮化芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實現高效輸出

    前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費
    的頭像 發(fā)表于 03-20 10:00 ?519次閱讀
    東科<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>合</b>封<b class='flag-5'>芯片</b>DK075G<b class='flag-5'>助力</b>創(chuàng)富源70<b class='flag-5'>W</b>快充實現高效輸出

    pd快充和氮化區(qū)別在哪

    和應用場景等方面對PD快充和氮化進行詳細的比較和分析。 一、PD快充 PD(Power Delivery)快充技術是一種新一代的快速充電技
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:34 ?7481次閱讀

    氮化芯片用途有哪些

    氮化(GaN)芯片是一種新型的半導體材料,由氮化制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:13 ?1568次閱讀

    氮化芯片研發(fā)過程

    氮化芯片(GaN芯片)是一種新型的半導體材料,在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中,
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:11 ?1055次閱讀

    氮化芯片生產工藝有哪些

    氮化芯片是一種新型的半導體材料,由于其優(yōu)良的電學性能,廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化芯片
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:09 ?2213次閱讀

    氮化芯片和硅芯片區(qū)別

    氮化芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片,它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:08 ?2108次閱讀

    氮化芯片的應用及比較分析

    隨著信息技術和通信領域的不斷發(fā)展,對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導體材料中的重要組成部分,氮化芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關注。本文將詳細介紹
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:25 ?1871次閱讀