ESD靜電放電在芯片實(shí)際使用過程中越來越影響到芯片的可靠性,是影響芯片質(zhì)量和性能的重要因素之一。因此,ESD抗干擾測試是非常重要的,防止ESD對芯片造成損壞。
什么是ESD抗干擾測試?
ESD即Electro-Static discharge,意思是靜電放電測試。原理是模擬人或物體接觸設(shè)備時(shí)產(chǎn)生的放電,以及人或物體對鄰近物體的放電,來檢測設(shè)備對靜電放電抗干擾的能力。
ESD分為直接放電和間接放電。直接放電是指利用放電點(diǎn)擊直接對設(shè)備進(jìn)行放電;間接放電是指對設(shè)備附近的耦合版實(shí)施放電,以模擬人對被測設(shè)備附近物體的放電。
ESD抗干擾測試可以檢測芯片的抗干擾能力,從而為采取ESD防護(hù)、ESD防護(hù)材料的選擇、產(chǎn)品抗靜電性能提升等提供依據(jù),提升芯片質(zhì)量和可靠性。
影響ESD抗干擾測試的因素
1. 產(chǎn)品本身的材質(zhì)
不同外殼材質(zhì)的產(chǎn)品有不一樣的放電路徑,對靜電放電抗干擾測試也會(huì)有不一樣的影響。如導(dǎo)體、絕緣體、噴有導(dǎo)電漆的絕緣體等。
2. 測試時(shí)的放置方式
不同的放置方式有不同的放電路徑,影響也是不一樣的。
3.放電點(diǎn)與敏感線路的距離
靜電是一種高頻干擾,放電時(shí)會(huì)產(chǎn)生電磁場,距離近會(huì)有較大的寄生電容和較小的耦合阻抗,更容易被干擾。
4.芯片本身的抗干擾能力
這個(gè)涉及多個(gè)方面,比如芯片本身承受脈沖干擾而不發(fā)生邏輯錯(cuò)誤的能力、外圍電路的處理、外部連接的布線等。
5.放電點(diǎn)的靜電流放電路徑和阻抗
不同路徑會(huì)造成不同的阻抗,不同的阻抗會(huì)產(chǎn)生不同的干擾。
6.直接注入情況下的防護(hù)措施
如MIC、喇叭等在進(jìn)行空氣放電時(shí)會(huì)直接沖擊信號線,如果此線路沒有做防護(hù),大多情況下會(huì)直接擊穿毀壞芯片。
常見芯片抗ESD的方法
1. 設(shè)計(jì)ESD保護(hù)電路
ESD保護(hù)電路如二極管、MOSFET、靜電放電器等。將ESD保護(hù)電路集成到芯片設(shè)計(jì)中,可以防止ESD損壞芯片。
2. 增加芯片的接地和電源引腳數(shù)量
增加芯片的接地和電源引腳數(shù)量來降低ESD放電時(shí)的電阻,幫助更好地分散ESD能量。
3. 減小芯片尺寸
芯片尺寸減小可以幫助減小芯片內(nèi)部的電容以及靜電放電時(shí)芯片受到的電壓峰值,從而降低ESD對芯片的損害。
4. 選擇合適的材料
合適的材料可以降低ESD放電時(shí)產(chǎn)生的熱能,降低芯片損壞的風(fēng)險(xiǎn)。
5. 在芯片外部添加防護(hù)措施
比如添加ESD保護(hù)器件和EMI濾波器等,可以保護(hù)芯片不受外部環(huán)境ESD和EMI干擾。
6. 嚴(yán)格的測試和驗(yàn)證
在芯片設(shè)計(jì)和制造的過程中,進(jìn)行嚴(yán)格的ESD測試和驗(yàn)證,以確保芯片符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),并能夠在ESD環(huán)境下正常工作。
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審核編輯 黃宇
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