ESD(Electrostatic Discharge)即靜電放電,是當帶電體上的電荷通過接觸、電擊或感應突然流至另一個物體上的現(xiàn)象。在電子制造業(yè)中,ESD被認為是電子產(chǎn)品和元件的主要破壞原因之一。以下是ESD可能引起的問題:
在集成電路(IC)遭受靜電放電(ESD)的事件中,由于放電路徑的電阻極低,通常無法有效抑制放電過程中的電流。
例如,當一個帶有靜電的電纜接入到電路的接口時,形成的放電回路幾乎無電阻,導致產(chǎn)生數(shù)十安培級別的瞬時尖峰電流,這些電流會涌入IC的相應引腳。如此巨大的瞬間電流能夠對IC造成劇烈的損傷,產(chǎn)生的局部熱量足以令硅片熔化。此外,ESD導致的損害還可能包括IC內部金屬連線的燒毀、鈍化層的損壞以及晶體管單元的毀壞。
ESD還可能觸發(fā)IC中的鎖死現(xiàn)象(Latch-up)。這一效應與CMOS器件內部的結構有關,它們類似于可控硅的結構單元在高電壓下被激活。這種激活會在器件內部形成一個從電源(VCC)至地的大電流通道。對于串行接口設備而言,鎖死電流可以高達1A。這樣的鎖死電流會持續(xù)存在直到器件斷電。然而,在大多數(shù)情況下,IC在電流斷開前就已因為過熱而導致?lián)p壞。
電子設備損壞:靜電放電可以在微秒甚至納秒級別內產(chǎn)生高達數(shù)千伏特的電壓,足以穿透許多半導體設備的絕緣層,導致其永久性損壞。
數(shù)據(jù)丟失或錯誤:在計算機硬盤或其他存儲設備上,ESD可以改變磁化方向,從而導致數(shù)據(jù)丟失或錯誤。
集成電路(IC)損壞:對于集成電路,尤其是那些具有小尺寸晶體管和薄柵氧化物的IC,ESD可導致柵氧化物擊穿,進而使整個IC失效。
降低產(chǎn)品的可靠性:即使ESD沒有立即造成設備的完全失效,它也可能削弱其性能,減少其使用壽命,并增加早期故障的風險。
為了防止ESD對電子設備造成損害,業(yè)界已經(jīng)制定了一系列標準和防護措施。例如,使用防靜電地板、工作臺、防靜電手環(huán)、防靜電服裝和包裝材料等。此外,還建議在組裝和維護電子設備時進行適當?shù)慕拥睾挽o電放電。
總之,靜電放電是一個不容忽視的問題,它不僅可能對電子設備造成直接損害,還可能對生產(chǎn)過程、產(chǎn)品質量和公司聲譽帶來一系列負面影響。因此,采取有效的預防措施,確保靜電放電得到妥善管理和控制,對于電子制造業(yè)來說至關重要。
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