Cu-Clip互連技術(shù)有哪些特點呢？

Cu-Clip技術(shù)

Cu-Clip技術(shù)，它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當中。它的特點有：降低寄生電感和電阻，增加載流能力，相應(yīng)地提高可靠性，以及靈活的形狀設(shè)計。當芯片面積越來越小（比如IGBT 7 和SiC）,這限制了常規(guī)綁定線的數(shù)量，但Cu-Clip技術(shù)相應(yīng)地緩解了這方面的問題。

上面是綁定線和Cu-Clip的簡單示意圖。

功率半導體器件結(jié)構(gòu)可以分為好多層，其中影響長期可靠性的因素是CTE（熱膨脹系數(shù)）的匹配，CTE失配而引起的應(yīng)力對可靠性產(chǎn)生很大的影響，鋁綁定線脫落就是其中較為典型的例子。這是鋁綁定線和半導體材料之間CTE（鋁：23ppm/K,Si:3ppm/K）差異較大導致的。而銅的CTE約為16.5ppm/K，相應(yīng)地可以減輕CTE失配帶來的熱機械應(yīng)力問題，同樣又可以降低回路電感和電阻。

Cu-Clip粘接到其他表面的方式也有很多種，包括傳統(tǒng)的焊接，銀燒結(jié)以及銅燒結(jié)技術(shù)。當然這其中又牽扯到焊料，燒結(jié)工藝等，這些又都是復雜且不斷發(fā)展的領(lǐng)域。

就像綁定線有著材料、長度、直徑、彎曲度等等因素的考量，Cu-Clip也相應(yīng)的會有厚度，材料，形狀等等考量。

Clip的厚度

采用AlN基板，三芯片（IGBT和FRD）并聯(lián)，焊料采用SnAgCu，來比較Clip厚度0.5mm和1.5mm在一定溫度差下的熱機械應(yīng)力，檢測位置為Clip和芯片之間的焊接層，以及芯片表面。下面是材料CTE的參數(shù)：

進行了歸一化處理，我們可以看到，使用較薄的Clip，連接的位置應(yīng)力會更小，但滿足必要的載流能力的同時，盡量使用較薄的Clip。

應(yīng)力緩解

上面的模塊圖片中，我們可以看到Clip上有開孔，主要便是為了緩解應(yīng)力，而相比于不開孔，應(yīng)力具體會怎么樣呢？從下面的仿真結(jié)果我們可以看到。

結(jié)果顯然，可以通過開孔來緩解應(yīng)力，但孔的形狀大小和位置又有所考究，這需要我們結(jié)合實際來具體設(shè)計完善的。

Clip材料

這里，作者提出了兩種材料，一個上面說到的CMC，一個是CIC，Invar是一種鎳鐵合金，以低CTE而聞名，下面是它們的相關(guān)參數(shù)：

但是由于CIC的導電率較低，雖然CTE和Si更為接近，但是溫升卻很高，并不是一個理想的Clip材料，所以這里作者只比較了純銅和CMC。

從相同芯片表面的應(yīng)力和應(yīng)變曲線來看，CMC由于和Si較小的CTE差異而產(chǎn)生更小的應(yīng)力。同時我們可以看到最大的應(yīng)力和應(yīng)變出現(xiàn)在芯片邊緣位置，所以又回到上一個問題，緩解應(yīng)力的開孔放在和芯片接觸的邊緣位置會更好一些。

審核編輯：劉清