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功率芯片通過封裝實現與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進行使用。芯片互連（interconnection）指芯片上表面的電氣連接，在傳統(tǒng)模塊中一般為鋁鍵合線。

目前商用碳化硅功率模塊仍然多沿用這種引線鍵合的傳統(tǒng)硅 IGBT 模塊的封裝技術，面臨著高頻寄生參數大、散熱能力不足、耐溫低、絕緣強度不足等問題，限制了碳化硅半導體優(yōu)良性能的發(fā)揮。為了解決這些問題，充分發(fā)揮碳化硅芯片潛在的巨大優(yōu)勢，近年來出現了許多針對碳化硅功率模塊的新型封裝技術和方案。

鍵合材料從2001年的金線鍵合，發(fā)展為2006年的鋁線（帶）鍵合，2011年銅線鍵合，2016年 Cu Clip 鍵合。小功率的器件由金線發(fā)展為銅線，驅動力是成本降低；大功率器件由鋁線（帶）發(fā)展為 Cu Clip，驅動力是產品性能提升，功率越大要求越高。

Cu Clip 即銅條帶，銅片。Clip Bond 即條帶鍵合，是采用一個焊接到焊料的固體銅橋實現芯片和引腳連接的封裝工藝。與傳統(tǒng)的鍵合封裝方式相比， Cu Clip 技術有以下幾點優(yōu)勢： 1、芯片與管腳的連接采用銅片，一定程度上取代芯片和引腳間的標準引線鍵合方式，因而可以獲得獨特的封裝電阻值、更高的電流量、更好的導熱性能。 2、引線腳焊接處無需鍍銀，可以充分節(jié)省鍍銀及鍍銀不良產生的成本費用。 3、產品外形與正常產品完全保持一致，主要應用在服務器、便攜式電腦、電池/驅動器、顯卡、馬達、電源供應等領域。 目前 Cu Clip 有兩種鍵合方式：

1、全銅片鍵合方式

● Gate pad 和 Source pad均是Clip方式，此鍵合方法成本較高，工藝較復雜，能獲得更好的Rdson以及更好的熱效應。

2、銅片加線鍵合方式

● Source pad為Clip 方式, Gate為Wire方式，此鍵合方式較全銅片的稍便宜，節(jié)省晶圓面積（適用于Gate極小面積），工藝較全銅片簡單一些，能獲得更好的Rdson以及更好的熱效應。

Clip Bond Application 應用領域在功率電子領域，使用引線鍵合的載流能力總有一天會達到極限，條帶鍵合則成為引線鍵合與載帶自動鍵合（TAB）的替代方案，并且許多傳統(tǒng)的超聲波楔形引線鍵合機可以輕松適應鍵合帶的處理，因而使條帶鍵合頗具吸引力。激光條帶鍵合是電子行業(yè)，特別是功率電子領域中激光微焊接的新應用。它特別適合用于將鍵合線接到電池端子上，以及連接到功率電子模塊的直接覆銅（DCB）基板和銅端子上。通過適用激光鍵合，可以完成針對更大電流的條帶鍵合應用。

來源：艾邦半導體網

審核編輯黃宇

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