為什么MOS管做恒流源時(shí),L至少是工藝最小L的3到5倍?
MOS管是一種常見的半導(dǎo)體器件,被廣泛應(yīng)用于各種電路中,其中恒流源是其最常見的應(yīng)用之一。在制作MOS管的過(guò)程中,L是重要的工藝參數(shù)之一。通常情況下,當(dāng)MOS管做恒流源時(shí),L至少是工藝最小L的3到5倍。那么為什么要這樣做呢?
首先,讓我們了解一下什么是恒流源。恒流源是一種電流穩(wěn)定器,它可以在電路中提供一個(gè)穩(wěn)定的電流。MOS管可以通過(guò)負(fù)反饋電路實(shí)現(xiàn)恒流源的功能,其原理是將MOS管的柵極和漏極之間串聯(lián)一個(gè)電阻,使得電流通過(guò)這個(gè)電阻時(shí),MOS管的柵極電壓與漏極電壓之差保持恒定,從而使得電流也保持穩(wěn)定。在這種情況下,MOS管的負(fù)載特性非常重要,如果L過(guò)小,則容易導(dǎo)致 load line 不穩(wěn)定,從而引起恒流源功能的失真。
其次,L的大小直接影響著MOS管的電性能,在MOS管中,L是溝道長(zhǎng)度,當(dāng)L減小時(shí),MOS管的溝道出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,從而導(dǎo)致電性能的變差。例如,在工藝最小L下制作的MOS管,其溝道長(zhǎng)度非常短,這會(huì)導(dǎo)致漏電流增加,從而影響恒流源的準(zhǔn)確性。因此,在制作MOS管時(shí),必須要保證足夠的溝道長(zhǎng)度才能獲得良好的電性能和恒流源的穩(wěn)定性。
此外,L的大小也會(huì)影響到MOS管的可靠性。在MOS管中,溝道的長(zhǎng)度越短,漏電流就會(huì)越大。這容易導(dǎo)致熱效應(yīng),使得MOS管發(fā)熱、壽命縮短。為了保證MOS管的可靠性,在制作過(guò)程中需要用足夠的L來(lái)增加管子的可靠性。
綜上所述,為了保證MOS管在實(shí)現(xiàn)恒流源時(shí)具有優(yōu)良的電性能和可靠性,必須要采用足夠大的溝道長(zhǎng)度。當(dāng)L至少是工藝最小L的3到5倍時(shí),可以保證MOS管具有穩(wěn)定的恒流源功能、良好的電性能和可靠的工作壽命。
總之,MOS管是一種非常重要的半導(dǎo)體器件,在電路中有廣泛的應(yīng)用。恒流源是MOS管最常見的應(yīng)用之一,要想保證MOS管的恒流源功能穩(wěn)定,必須要采用足夠大的溝道長(zhǎng)度。希望本文對(duì)您有所啟發(fā)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中,MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響到整個(gè)電路的穩(wěn)定性和效率。因此,在采購(gòu)高性能MOS
發(fā)表于 11-19 14:22
?206次閱讀
。 測(cè)量漏極(D)與源極(S)之間的電阻,正常情況下應(yīng)為無(wú)窮大(MOS管處于斷開狀態(tài))。 測(cè)量柵極(G)與漏極、柵極與源極之間的電阻,正常情況下也應(yīng)為無(wú)窮大。 閾值電壓測(cè)試 : 閾值電壓是MOS
發(fā)表于 11-15 11:09
?879次閱讀
溝道MOS管。 P溝道MOS管 :當(dāng)MOS管連接到總線且負(fù)載接地時(shí),應(yīng)選用P溝道
發(fā)表于 11-05 13:40
?354次閱讀
?搭配恒壓或恒流芯片?:惠海MOS管(如3400、5N03、30N06、50N06、5N10、45N10等)與惠海的恒壓芯片(如H6201L
發(fā)表于 10-28 11:07
標(biāo)記膠帶和卷軸
信息
HC5N10 SOT23 HC5N10 3000pc/盤
MOS管在DCDC恒壓/恒流電路中扮演著重要的角色。DCDC恒壓電路用于將一個(gè)直流電源的電壓轉(zhuǎn)換為另
發(fā)表于 10-11 09:47
影響電流的流動(dòng)和信號(hào)的放大。 柵極電壓控制的一般原則 閾值電壓(Vth) : 閾值電壓是MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的柵源電壓(VGS)的最小值。對(duì)于NMOS
發(fā)表于 09-18 09:42
?951次閱讀
用LMV551和mos管做恒流源,同相端輸入0的時(shí)候,運(yùn)放輸出為什么是3v?
mos
發(fā)表于 08-28 07:11
現(xiàn)在遇到一個(gè)問(wèn)題,用DAC+運(yùn)放+MOS管構(gòu)成的恒流源,OUT1和OUT2接的負(fù)載為L(zhǎng)ED燈串,通過(guò)MCU控制DAC輸出0時(shí)發(fā)現(xiàn),有部分通道無(wú)法輸出0A,通過(guò)更換相同型號(hào),相同批次的LM6142
發(fā)表于 08-08 07:44
通阻抗Rds(on)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù),當(dāng)我們使用MOS管做開關(guān)管進(jìn)行導(dǎo)通的時(shí)候,會(huì)導(dǎo)致MOS管
發(fā)表于 07-21 15:28
?2235次閱讀
MOS封裝工藝是指將制造好的MOS管芯片通過(guò)一系列步驟封裝到外殼中的過(guò)程。以下是MOS封裝工藝的詳細(xì)步驟和相關(guān)信息:
發(fā)表于 06-09 17:07
?1585次閱讀
壓NMOS和PMOS管,可搭配芯片。
我司MOS具有:低內(nèi)阻、低開啟、低結(jié)電容、等特性,SGT工藝和溝道MOS 管專注高品質(zhì)
發(fā)表于 05-28 15:36
第二問(wèn)我不明白為什么解析說(shuō)
,(穩(wěn)壓管最大穩(wěn)定電流>=電阻最大電流+穩(wěn)壓管最小電流),所以最大穩(wěn)定電流至少是20+5 = 25mA
發(fā)表于 04-07 22:58
騷擾通過(guò)MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話,在騷擾電壓一定的情況下,阻抗很低,騷擾電流很大,導(dǎo)致
發(fā)表于 03-25 14:41
?1153次閱讀
做電源設(shè)計(jì),或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路,難免要用到場(chǎng)效應(yīng)管,也就是人們常說(shuō)的MOS管。
發(fā)表于 03-19 10:46
?2.3w次閱讀
您好!
我請(qǐng)教一個(gè)關(guān)于LT8705死區(qū)時(shí)間的問(wèn)題:客戶在使用LT8705過(guò)程中想確認(rèn)上下功率MOS管的死區(qū)時(shí)間最小是多少?目前客戶測(cè)試結(jié)果只有30ns左右。而根據(jù)MOS的上升沿和下降
發(fā)表于 01-03 06:23
評(píng)論