大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D

Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后;最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，Keep Tops產(chǎn)品將高性能、高可靠性電流控制PWM開關(guān)控制與GaN集成一起，在充電器次級應(yīng)用中，真正實現(xiàn)一顆芯實現(xiàn)的目的，大大簡化120W內(nèi)小功率充電器的初級設(shè)計。

內(nèi)置650V 耐壓功率器件，分別120mΩ的RDS(on) ，芯片采用DFN8X8 封裝，并且支持CCM/QR混合模式架構(gòu);全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW。該系列產(chǎn)品也是熙素微電子長期開發(fā)GaN器件規(guī)劃的一部分。在有限的時間、空間內(nèi)創(chuàng)造出65W、90W、120W充電器通用的氮化鎵功率芯片，Keep Tops的研發(fā)實力可見一斑。

Keep Tops是一家聚焦于第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域的高科技芯片公司，從電子元器件逐漸延展至精細(xì)化工產(chǎn)品的代理銷售。多年來我司服務(wù)于航天軍工、交通軌道、電氣設(shè)備、數(shù)據(jù)通訊、光電顯示、微電子行業(yè)以及半導(dǎo)體等諸多行業(yè)，并取得十分顯著的成績及客戶的認(rèn)可。

Keep Tops該系列產(chǎn)品都是基于氮化鎵(GaN) 材料開發(fā)的高集成芯片，該系列產(chǎn)品中的GaN 包含硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵、藍(lán)寶石基氮化鎵;根據(jù)性能的需要選擇世界一流的產(chǎn)品材料和制造工藝，打造出面向高效率高密度應(yīng)用于開關(guān)電源的器件。

KT65C1R070D、KT65C1R120D是一款高性能高可靠性電流控制型PWM開關(guān)控制氮化鎵功率芯片，僅需 +11V 非穩(wěn)壓電源輸入，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)，并且支持QR/CCM混合模式，芯片耐壓650V，結(jié)溫220度，專有技術(shù)降低 GaNFET開關(guān)損耗提高產(chǎn)品效率及功率密度，改善產(chǎn)品EMI。

在低壓輸入時會進(jìn)入CCM模式;在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，并采用專有技術(shù)，以降低開關(guān)損耗，同時結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率。設(shè)計人員在快充(PD)等電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。

該系列產(chǎn)品的固有優(yōu)勢超越硅MOSFET性能，又具備使用硅MOSFET和常規(guī)驅(qū)動IC一樣的便利性，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開關(guān)節(jié)點振鈴。

KT65C1R070D、KT65C1R120D系列產(chǎn)品含專有的氮化鎵(GaN)技術(shù)，易于開發(fā)高效高可靠性開關(guān)電源產(chǎn)品，在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在 BurstMode模式，有效去除音頻噪音;同時在該模式下，可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。

審核編輯：湯梓紅