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標(biāo)簽 > 功率芯片
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隨著車輛的網(wǎng)聯(lián)化和智能化的逐步提升,汽車上芯片的數(shù)量越來越多。據(jù)網(wǎng)上統(tǒng)計(jì),2021年每輛汽車的芯片需求已經(jīng)突破1000顆,一些高端新能源汽車的芯片需求甚...
GaAs晶圓作為常用的一類晶圓,在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過程中需要關(guān)注的點(diǎn)。
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
驅(qū)動(dòng)功率芯片是電動(dòng)汽車的核心部件之一,它直接影響著整車的性能。 一、引言 隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境污染問題的日益嚴(yán)重,電動(dòng)汽車作為一種清潔、環(huán)保的交通工具...
2024-07-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車機(jī)械電子器件 602 0
功率芯片是一種集成電路芯片,其核心功能在于控制和管理電能,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。以下將從功率芯片的原理和應(yīng)用兩個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
深度解析車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
計(jì)算及控制芯片以微控制器和邏輯Ic為主,主要用于計(jì)算分析及決策;功率芯片主要對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制;傳感器芯片主要負(fù)責(zé)感應(yīng)汽車運(yùn)行工況,將非電學(xué)...
如之前的介紹用于 IC 封裝的再分布層(RDL)技術(shù)及晶圓級(jí)封裝中的窄間距RDL技術(shù)及應(yīng)用]技術(shù)通常用于芯片封裝中的信號(hào)和電源引腳映射,用于實(shí)現(xiàn)芯片與封...
IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān),一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎?它可以每個(gè)周期快速關(guān)斷600安培的電流,電流...
車規(guī)級(jí)SiC MOSFET制造技術(shù)進(jìn)展
隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)效率的不斷追求,SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來前所未有的增速。
2023-11-07 標(biāo)簽:新能源汽車SiC功率半導(dǎo)體 408 0
TC358774XBG/TC358775XBG低功率芯片規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-06-13 標(biāo)簽:lvds功率芯片 415 0
納微半導(dǎo)體推出智能GaNFast氮化鎵功率芯片立即下載
類別:電子資料 2023-02-22 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 330 0
基于Icepak的放大器芯片熱設(shè)計(jì)與優(yōu)化立即下載
類別:嵌入式開發(fā) 2015-08-24 標(biāo)簽:Icepak熱設(shè)計(jì)功率芯片 1028 0
功率芯片焊盤上放多少個(gè)散熱過孔才算是最優(yōu)?計(jì)算告訴你答案-電路設(shè)計(jì)知識(shí)點(diǎn)
Part 01 前言 PCB常規(guī)的FR4材料的熱導(dǎo)率較低(通常約為 0.3~0.4 W/m·K),這使得它在大功率電路應(yīng)用中不利于功率芯片熱量的快速散發(fā)...
2024-12-12 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)焊盤過孔 232 0
芯長(zhǎng)征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)
在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,芯長(zhǎng)征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過近兩個(gè)月的激烈競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格評(píng)審...
Sic功率芯片制造工藝技術(shù)知識(shí)與專家報(bào)告分享
Sic功率芯片:即碳化硅(Silicon Carbide,簡(jiǎn)稱SiC)芯片,是一種基于第三代半導(dǎo)體材料的芯片。SiC芯片具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電...
納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場(chǎng),幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也...
惠科Mini-LED項(xiàng)目和高功率芯片散熱封測(cè)項(xiàng)目落戶綿陽
近日,綿陽市與惠科股份有限公司共同簽署了項(xiàng)目投資協(xié)議,標(biāo)志著總投資100億元的惠科Mini-LED項(xiàng)目和高功率芯片散熱封測(cè)項(xiàng)目正式落戶綿陽。
集成之巔,易用至極!納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片,具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測(cè)功能,助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。...
2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 743 0
近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...
2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 374 0
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌,近日在馬來西亞正式啟動(dòng)了其史上規(guī)模最大的功率芯片工廠——居林工廠的生產(chǎn)線。這一里程碑式的舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅(...
CNBC對(duì)話納微CEO,探討下一代氮化鎵和碳化硅發(fā)展
近日,納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC,與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對(duì)話,分享了在AI...
2024-06-13 標(biāo)簽:AI功率芯片納微半導(dǎo)體 549 0
CNBC對(duì)話納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan
在AI技術(shù)的快速發(fā)展推動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心對(duì)電源功率的需求正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan近日在CNBC的WORLDWIDE EX...
2024-06-11 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心功率芯片納微半導(dǎo)體 682 0
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