長(zhǎng)電科技加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)解決方案營(yíng)收有望大幅增長(zhǎng)

新能源汽車(chē)和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進(jìn)入產(chǎn)能擴(kuò)充階段,預(yù)計(jì)2024年起相關(guān)產(chǎn)品營(yíng)收規(guī)模翻番,將有利促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場(chǎng)的快速上量。

碳化硅,氮化鎵產(chǎn)品相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度,支持高電流密度,耐受更高的溫度,低導(dǎo)通和開(kāi)通損耗的同時(shí),也伴隨著一些挑戰(zhàn),如寄生電感效應(yīng)、封裝寄生電阻、電磁干擾等。先進(jìn)封裝技術(shù)在解決這些挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了越來(lái)越為關(guān)鍵作用。

長(zhǎng)電科技和全球領(lǐng)先客戶(hù)共同開(kāi)發(fā)的高密度集成解決方案融合了多種封裝技術(shù),包括開(kāi)爾文(Kelvin Source)結(jié)構(gòu)、倒裝(Flip Chip)技術(shù)等,成功減少了寄生電感的干擾。同時(shí),通過(guò)采用Clip和Ribbon鍵合工藝降低了封裝的寄生電阻,從而提高了功率轉(zhuǎn)換效率。其次,封裝的散熱能力直接關(guān)乎功率器件的穩(wěn)定性和效率,長(zhǎng)電科技解決方案通過(guò)頂部散熱結(jié)構(gòu)(TSC)等多種技術(shù)手段,極大降低了器件的熱阻,改善了熱傳導(dǎo)路徑,使封裝的散熱能力大幅提升,助力第三代半導(dǎo)體器件充分釋放材料性能潛力。

包括英諾賽科在內(nèi)的國(guó)內(nèi)外眾多領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品公司相繼發(fā)布了大規(guī)模晶圓擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,為長(zhǎng)電科技的高密度中大功率器件成品制造解決方案提供了廣闊的應(yīng)用發(fā)展空間。根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè),2021-2027年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)保持超過(guò)30%的年復(fù)合增長(zhǎng),長(zhǎng)電科技積極擴(kuò)產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)能滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)外客戶(hù)的需求。

長(zhǎng)電科技工業(yè)及智能應(yīng)用事業(yè)部總經(jīng)理金宇杰表示,“長(zhǎng)電科技面向第三代半導(dǎo)體器件的高密度模組解決方案在開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)應(yīng)用上均取得了可喜的成果,我們期待相關(guān)業(yè)務(wù)的營(yíng)收規(guī)模在未來(lái)幾年將獲得顯著增長(zhǎng)?！?/p>

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品制造商英諾賽科表示:“長(zhǎng)電科技一直是我們產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中的不可或缺的合作伙伴,雙方在不斷的創(chuàng)新和合作中激發(fā)靈感,共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,共同為市場(chǎng)帶來(lái)更多創(chuàng)新產(chǎn)品。”

審核編輯 黃宇