意法半導(dǎo)體的新型IGBT器件可將功耗降低11%

2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。

新推出的STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉(zhuǎn)換能效，相關(guān)參數(shù)十分出色，例如，飽和電壓Vce(sat)很低，確保器件在導(dǎo)通狀態(tài)下耗散功率很低。續(xù)流二極管的壓降很低，關(guān)斷電能得到優(yōu)化，讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開(kāi)關(guān)準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器具有更高的能效。

新IGBT具有很好的耐變性和能效，非常適合電磁加熱設(shè)備，包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的新型IGBT器件可將功耗降低11%。

此外，Vce(sat) 具有正溫度系數(shù)效應(yīng)，器件之間緊密的參數(shù)分布有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并輕松并聯(lián)多個(gè) IGBT管，以滿(mǎn)足高功率應(yīng)用需求。

該系列先期推出的兩款器件25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 現(xiàn)已量產(chǎn)，采用標(biāo)準(zhǔn) TO-247 長(zhǎng)引線(xiàn)功率封裝。

審核編輯：劉清