新型存儲技術(shù)不斷出現(xiàn) ULTRARAM占據(jù)制高點

新型存儲技術(shù)不斷出現(xiàn)，這次ULTRARAM占據(jù)了制高點。

正如我們在本周早些時候所解釋的，ULTRARAM 看起來像是存儲技術(shù)的救世主，據(jù)說速度至少與 RAM 一樣快，但功耗要求更低，它還符合存儲器的非易失性特性，這種東西可以持續(xù)使用1000年。

新興技術(shù)中令人困惑且同樣具有亞當(dāng)斯風(fēng)格的技術(shù)細(xì)節(jié)，例如可能由超智能藍(lán)色色調(diào)構(gòu)想出來的三重勢壘共振隧道結(jié)構(gòu)，確實使得 ULTRARAM 很難作為一個外行觀察者進(jìn)行感官“享受”。但更需要關(guān)注的是，現(xiàn)實世界的實用性存在一些非常明顯的問題。

畢竟，英特爾和美光圍繞 3D XPoint 技術(shù)有著非常相似的敘述，該技術(shù)構(gòu)成了 Optane SSD 系列和內(nèi)存持久存儲 DIMM 的基礎(chǔ)，但進(jìn)展并不順利。

那么，如果英特爾不能讓傲騰（Optane）發(fā)揮作用，獨(dú)立初創(chuàng)公司還指望什么呢？為了找到答案，我們采訪了一個應(yīng)該有好主意的人。他正是英國蘭卡斯特大學(xué)物理學(xué)教授馬努斯·海恩 (Manus Hayne)。他也是 ULTRARAM 的發(fā)明者。

海恩教授的研究興趣集中在低維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的物理學(xué)，以及在新型器件的開發(fā)中利用這些特性。這促使他發(fā)明了 ULTRARAM，這是一種基于復(fù)合半導(dǎo)體的系統(tǒng)存儲器，具有 DRAM 和閃存的特性和性能。

首先，關(guān)于英特爾傲騰并行技術(shù)，海恩對此有何看法？

“毫無疑問，前方存在著巨大的挑戰(zhàn)，”海恩說?！暗绻覀儾徽J(rèn)為有廣泛采用的前景，我們就不會將其作為商業(yè)前景來追求?！?/p>

“英特爾確實在 Optane 方面遇到了問題，但這并不是一個孤立的案例。有幾種新興存儲技術(shù)，其中，Optane 是市場份額方面最著名和最重要的例子。這些新型存儲器很難實現(xiàn)如DRAM或閃存那樣低的成本，再加上攀登容量高峰的挑戰(zhàn)，意味著它們占據(jù)了不到 1% 的市場份額，通常是在利基但穩(wěn)定的應(yīng)用中?！?/p>

“ULTRARAM 本質(zhì)上是快速且非常高效的，因此在單位級別上與 DRAM 在技術(shù)上具有競爭力，但規(guī)?；魬?zhàn)仍然存在。”

換句話說，海恩既精通更廣泛的存儲市場，又對挑戰(zhàn)持現(xiàn)實態(tài)度，這無疑是一個充滿希望的開始，他還認(rèn)識到技術(shù)需要多長時間才能完全成熟。

“由于批量生產(chǎn)的技術(shù)和商業(yè)問題以及相關(guān)成本問題，不會出現(xiàn)‘大爆炸’的顛覆性變化。例如，在 1980 年代發(fā)明的閃存花了（仍在花費(fèi)）很長時間，取代硬盤驅(qū)動器，”他說。

談到閃存這個話題，海恩深知金錢萬能?！伴W存的趨勢是容量越來越大，而耐用性卻越來越低，因為每比特的成本更低，”他說。但仍然存在 ULTRARAM 可以取代 RAM 和閃存的用例，“最有可能在需要很少存儲的應(yīng)用中，例如家用電器和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備?！?/p>

ULTRARAM 可以說是 RAM 的更好替代品，它能夠成功有其技術(shù)原因，例如，與硅相比，它使用化合物半導(dǎo)體，這可能是一種制造優(yōu)勢。

“有一個完全不同的半導(dǎo)體世界，其中化合物半導(dǎo)體占主導(dǎo)地位，那就是光子學(xué)，”海恩解釋道。“化合物半導(dǎo)體很容易獲得，多層不同的化合物半導(dǎo)體（異質(zhì)結(jié)構(gòu)）通常在批量制造過程中以非常高的材料質(zhì)量生長。事實上，由于 ULTRARAM 的大部分復(fù)雜性都是在這個單一的技術(shù)過程中實現(xiàn)的，因此步驟減少了，半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)存儲器所需的時間大大減少，從而降低了成本?！?/p>

同樣，在容量和密度方面，據(jù)說 ULTRARAM 至少與傳統(tǒng) RAM 一樣好，即使不是更好。

“我們有一個 ULTRARAM 架構(gòu)，至少可以與 DRAM 競爭，并且如果有適當(dāng)?shù)墓ぞ?，預(yù)計它可以擴(kuò)展到 10nm以下制程工藝。因此，至少可以與 DRAM 競爭，另一個因素是外圍電路?！?/p>

“所有存儲芯片都需要邏輯來尋址陣列、編程/擦除/讀出功能和 I/O 電路。然而，DRAM 需要補(bǔ)償刷新和破壞性讀取，閃存需要電荷泵和磨損均衡來補(bǔ)償較差的耐用性。ULTRARAM 不需要這些，而是為實際內(nèi)存留下更多的提升空間，”Hayne 說。

如果所有這些在該技術(shù)的最終版本中都是正確的，那么在計算平臺中支持 ULTRARAM 可能仍然存在一些主要的技術(shù)障礙。例如，Intel 或 AMD 等公司真的有可能在其 CPU 中添加對 ULTRARAM 的支持嗎？

鑒于 ULTRARAM 項目的早期性質(zhì)（目前只是首次展示），海恩不會透露細(xì)節(jié)，但他可以證實，與行業(yè)參與者的對話已經(jīng)在進(jìn)行中。

我們只能說，PC 的核心組件最近一直相對停滯，因此，我們和我們的Hoovooloo霸主絕對歡迎新的和創(chuàng)新的事物，尤其是像 ULTRARAM 這樣有前途的技術(shù)。






審核編輯：劉清