三星計(jì)劃2027年1.4nm工藝用上BSPDN背面供電技術(shù)

etnews報(bào)道說(shuō)，三星電子將把改變半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)模式的“BSPDN”技術(shù)商用化。背面電源（back-power）是在晶片背面向半導(dǎo)體供電的革新技術(shù)，但目前還沒(méi)有在世界范圍內(nèi)實(shí)施。

據(jù)業(yè)界透露，三星電子最近將配電技術(shù)的商用日程具體化。三星電子代工部門(mén)最高技術(shù)負(fù)責(zé)人Gitae Jeong最近在研討會(huì)上表示：“計(jì)劃到2027年在1.4納米工程中也適用BSPDN?！?/p>

據(jù)悉，三星電子目前正在開(kāi)發(fā)BSPDN，但具體的商用時(shí)期和適用對(duì)象尚屬首次。該公司解釋說(shuō)，技術(shù)開(kāi)發(fā)取得了相當(dāng)大的進(jìn)展，而且從半導(dǎo)體委托生產(chǎn)的特性上看，隨著與發(fā)包方就設(shè)置BSPDN的討論取得進(jìn)展，日程也逐漸具體化。

背光是一項(xiàng)前所未有的創(chuàng)新技術(shù)。要想驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體，就需要電力，因此過(guò)去是將電源線放在晶片上，在上面畫(huà)電路。

但是隨著電路的小型化，將電路和電源線刻在一邊變得困難了。另外，如果電路間隔變窄，就會(huì)產(chǎn)生干涉，對(duì)半導(dǎo)體性能產(chǎn)生不良影響。背面電源供應(yīng)克服了這一局限性，因?yàn)閷㈦娫淳€放置在晶片背面，將電路和電源空間分離。由于可以同時(shí)提高能源效率和半導(dǎo)體性能，因此，不僅是三星電子，臺(tái)灣半導(dǎo)體、英特爾等晶圓企業(yè)也在摸索攻擊性的技術(shù)開(kāi)發(fā)。日本的東京電子公司（tel）和奧地利的ev group （evg）提供bspdn實(shí)現(xiàn)裝置。

三星電子的后臺(tái)辦公適用時(shí)間和目標(biāo)是2027年適用1.4納米工程，但根據(jù)市場(chǎng)需求，日程可能會(huì)有所推遲。三星計(jì)劃在確保需求后，將bspdn應(yīng)用到2nm工程中。

三星電子有關(guān)負(fù)責(zé)人表示：“今后電力半導(dǎo)體的量產(chǎn)時(shí)間可能會(huì)根據(jù)顧客的日程發(fā)生變化?！比请娮拥哪繕?biāo)是，到2025年批量生產(chǎn)比1.4納米領(lǐng)先的2納米工程。據(jù)悉，三星電子目前正在對(duì)背面電源技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)行顧客需求調(diào)查。

隨著三星電子公開(kāi)雙面電力調(diào)配計(jì)劃，預(yù)計(jì)轉(zhuǎn)包企業(yè)的技術(shù)力領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)將愈演愈烈。目前三家公司占支配地位。被選為白波技術(shù)的領(lǐng)先者的英特爾計(jì)劃在2024年以英特爾20a（2納米級(jí)）工程批量生產(chǎn)應(yīng)用該技術(shù)的半導(dǎo)體。英特爾還制造了自己的技術(shù)品牌powerbia，強(qiáng)調(diào)了背面電源供應(yīng)技術(shù)的優(yōu)秀性。臺(tái)積電計(jì)劃到2026年為止，在2納米以下的工程上也適用該技術(shù)。