能源變革大時代，這些IGBT值得推薦！

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作為智能電源和智能感知技術(shù)的市場領(lǐng)導者，安森美(onsemi)也推出多款超高能效明星IGBT，具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，能最大程度降低導通損耗和開關(guān)損耗，助力客戶的系統(tǒng)設(shè)計。一起來看看我們的推薦產(chǎn)品吧~

安森美FGY75T120SWD正是采用新穎的第7代場截止IGBT和二極管技術(shù)，以及TP247三引腳封裝，性能極佳，開關(guān)損耗和導通損耗低，用于太陽能、不間斷電源(UPS)和儲能系統(tǒng)(ESS)等基建應(yīng)用提供高能效。

這款新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出，其低開關(guān)損耗可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。對于高功率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，F(xiàn)S7器件的正溫度系數(shù)使其能夠輕松實現(xiàn)并聯(lián)運行。

FS7器件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有器件都含一個優(yōu)化的二極管，實現(xiàn)低VF，減少開關(guān)損耗，可在高達175℃的結(jié)溫（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開關(guān)性能領(lǐng)先市場現(xiàn)有1200V IGBT。經(jīng)7倍額定電流的測試，這種高可靠性的IGBT產(chǎn)品展現(xiàn)出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對以導通損耗為主的中速開關(guān)應(yīng)用如電機控制和固態(tài)繼電器進行了優(yōu)化。FGY100T120RWD在100 A時VCESAT低至1.45V，比前一代器件降低了0.4V。

FGY60T120SQDN IGBT 采用堅固耐用、經(jīng)濟高效的超場截止 (FS) 溝槽結(jié)構(gòu)，能夠為要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用提供出色性能，提供低導通電壓，并最大限度降低開關(guān)損耗，非常適合于UPS和太陽能設(shè)備的應(yīng)用。此外，該器件結(jié)合了一個軟性和快速的組合封裝續(xù)流二極管，具有低正向電壓。具體參數(shù)包括工作電壓1200V、工作電流60A以及功耗517瓦，采用TO-247-3封裝。

NCD57252/3/5/6是大電流雙通道隔離IGBT柵極驅(qū)動器，從輸入到每個輸出的內(nèi)部電隔離2.5或5 kVrms，兩個輸出通道之間也提供功能隔離。該器件在輸入端接受3.3 V至20 V的偏置電壓和信號電平，在輸出端接受高達32V的偏置電壓。

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