OLI測(cè)試硅光芯片內(nèi)部裂紋

硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù)，能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能，是5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐。準(zhǔn)確測(cè)量硅光芯片內(nèi)部鏈路情況，讓硅光芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)都變得十分有意義。

光纖微裂紋診斷儀（OLI）對(duì)硅光芯片耦合質(zhì)量和內(nèi)部裂紋損傷檢測(cè)非常有優(yōu)勢(shì)，可精準(zhǔn)探測(cè)到光鏈路中每個(gè)事件節(jié)點(diǎn)，具有靈敏度高、定位精準(zhǔn)、穩(wěn)定性高、簡(jiǎn)單易用等特點(diǎn)，是硅光芯片檢測(cè)的不二選擇。

使用OLI測(cè)量硅光芯片內(nèi)部情況，分別測(cè)試正常和內(nèi)部有裂紋樣品，圖1為耦合硅光芯片實(shí)物圖。

圖1 耦合硅光芯片實(shí)物圖

OLI測(cè)試結(jié)果如圖2所示。圖2（a）為正常樣品，圖中第一個(gè)峰值為光纖到波導(dǎo)耦合處反射，第二個(gè)峰值為連接處到硅光芯片反射，第三個(gè)峰為硅光芯片到空氣反射；圖2（b）為內(nèi)部有裂紋樣品，相較于正常樣品在硅光芯片內(nèi)部多出一個(gè)峰值，為內(nèi)部裂紋表現(xiàn)出的反射。使用OLI能精準(zhǔn)測(cè)試出硅光芯片內(nèi)部裂紋反射和位置信息。

（a）正常樣品

（b）內(nèi)部有裂紋樣品

圖2 OLI測(cè)試耦合硅光芯片結(jié)果

使用OLI測(cè)試能快速評(píng)估出硅光芯片耦合質(zhì)量，并精準(zhǔn)定位硅光芯片內(nèi)部裂紋位置及回?fù)p信息。OLI以亞毫米級(jí)別分辨率探測(cè)硅光芯片內(nèi)部，可廣泛用于光器件、光模塊損傷檢測(cè)以及產(chǎn)品批量出貨合格判定。