MASK ROM:是制造商為了要大量生產(chǎn),事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當作樣本,然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM,這一種做為大量生產(chǎn)的ROM樣本就是MASK ROM,而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。
高度集成化的NAND構成。(1個晶體管單元)
數(shù)據(jù)的寫入方法
- “1”:將離子注入晶體管
- “0”:不注入離子
數(shù)據(jù)的讀取方法
使讀取單元的Word線電位為0V
使讀取單元以外的Word線電位為Vcc
→ 對Bit線施加電壓,
如果有電流流過,則判斷為“1”
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27460瀏覽量
219531 -
存儲器
+關注
關注
38文章
7507瀏覽量
163951 -
ROM
+關注
關注
4文章
575瀏覽量
85816
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1,對嗎?
判斷題:DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1
發(fā)表于 08-23 09:29
MOS存儲單元的工作原理
方式邊界對齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結構和工作過程存儲系統(tǒng)的層次結構半導體存儲器靜態(tài)MOS存儲器 SRAM靜態(tài)MOS存儲單元靜態(tài)MOS存儲器
發(fā)表于 07-28 07:59
高性能開關電流存儲單元的設計及應用
對第一代開關電流存儲單元產(chǎn)生的時鐘饋通誤差做了合理的近似分析,設計了一種高性能開關電流存儲單元。該電路僅在原存儲單元的基礎上增加了一個MOS管,使誤差降為原來的4%,
發(fā)表于 07-05 14:50
?22次下載
低電壓甲乙類開關電流存儲單元
低電壓甲乙類開關電流存儲單元
引言 開關電流存儲單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號處理系統(tǒng)的基本單元電路,其性能的優(yōu)
發(fā)表于 08-15 16:06
?609次閱讀
存儲單元結構
靜態(tài)RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元,再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲器中,存儲單
發(fā)表于 05-14 09:19
?3786次閱讀
存儲單元是指什么
存儲單元是計算機系統(tǒng)中的基本元素,用于存儲和檢索數(shù)據(jù)。以下是對存儲單元的全面解析,涵蓋其定義、類型、功能、特點以及在計算機系統(tǒng)中的重要作用。
評論