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E2PROM的存儲(chǔ)單元
E2PROM的存儲(chǔ)單元
- 存儲(chǔ)單元(16064)
- EEPROM(79986)
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am335x如何通過(guò)spi實(shí)現(xiàn)對(duì)E2PROM讀寫(xiě)
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用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)的脈沖編碼傳感器設(shè)計(jì)
讀出解碼或者向E2PROM中寫(xiě)入新的編碼。下面介紹工作過(guò)程。首先解碼器讀出內(nèi)部E2PRoM中00h～04h中的5個(gè)十進(jìn)制數(shù)據(jù)，分別保存到5個(gè)內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中。然后調(diào)用接收數(shù)據(jù)子程序，接收1個(gè)數(shù)據(jù)，并先
2011-08-19 09:57:50
設(shè)計(jì)一個(gè)電壓測(cè)量監(jiān)控設(shè)備的相關(guān)資料分享
通過(guò)串口向 PC 機(jī)發(fā)送電壓值，通過(guò)串口接收系統(tǒng)配置參數(shù)并保存到 E2PROM 中。設(shè)備硬件部分主要由電源部分、控制器單元、串口部分、存儲(chǔ)單元組成，系統(tǒng)框圖如圖 1 所示 ：設(shè)計(jì)任務(wù)及要求1...
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有什么方法可以延長(zhǎng)E2PROM芯片的壽命？又如何去實(shí)現(xiàn)它呢？
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一般單片機(jī)都有內(nèi)部E2PROM，可以保存運(yùn)行中數(shù)據(jù)，掉電數(shù)據(jù)不消失，STM32有類(lèi)似這樣的東西嗎？
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請(qǐng)問(wèn)在F28M35中，是否在FLASH中存在一個(gè)區(qū)域被劃為E2PROM，請(qǐng)問(wèn)該如何使用這片區(qū)域，有多大，謝謝
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針對(duì)基于SRAM工藝的器件的下載配置問(wèn)題，本文介紹采用AT89S2051單片機(jī)配合串行E2PROM存儲(chǔ)器，實(shí)現(xiàn)CPLD/FPGA器件的被動(dòng)串行（PS）模式的下載配置。
2021-04-13 06:25:40
采用硬件I2C讀取E2PROM，單片機(jī)復(fù)位發(fā)生死鎖怎么辦？
現(xiàn)象：?jiǎn)纹瑱C(jī)采用硬件I2C讀取E2PROM，當(dāng)單片機(jī)復(fù)位時(shí)，會(huì)有概率出現(xiàn)再無(wú)法與E2PROM通信，此時(shí)SCL為高，SDA一直為低。原因：當(dāng)單片機(jī)正在和E2PROM通信，如果主正好發(fā)生打算發(fā)第9個(gè)時(shí)鐘
2017-08-29 20:17:26
內(nèi)置Reset WDT電路的串行E2PROM芯片資料
內(nèi)置Reset WDT 電路的串行E2PROM一概述CSI24Cxxx 是集E2PROM 存儲(chǔ)器, 精確復(fù)位控制器和看門(mén)狗定時(shí)器三種流行功能于一體的芯片CSI24C161/162 16K CSI24C081/082 8K CSI24C041/042 4K 和CSI24C021/022
2008-07-20 18:14:35
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35內(nèi)置Reset WDT電路的串行E2PROM原理及應(yīng)用設(shè)計(jì)
CAT24Cxxx是集E2PROM存儲(chǔ)器, 精確復(fù)位控制器和看門(mén)狗定時(shí)器三種流行功能于一體的芯片。CAT24C161/162（16K），CAT24C081/082（8K），CAT24C041/042（4K）和CAT24C021/022（2K） 主要作為I2C 串行CMOS E2PR
2009-11-18 11:22:0353
53基于FPGA的可靠性E2PROM控制器設(shè)計(jì)
E2PROM 是較常用的存儲(chǔ)器件。但在特殊的場(chǎng)合，其可靠性或其使用壽命對(duì)系統(tǒng)的正常運(yùn)行有很大影響。為此介紹了I2C 總線(xiàn)及E2PROM 的工作原理，提出了一種具有較高可靠性的E2PROM 控制
2010-01-13 15:14:5315
15高性能開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)及應(yīng)用
對(duì)第一代開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的時(shí)鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設(shè)計(jì)了一種高性能開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元。該電路僅在原存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)MOS管，使誤差降為原來(lái)的4%，
2010-07-05 14:50:4822
22同步串行E2PROM編程設(shè)備設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)
設(shè)計(jì)了一板載同步串行E2PROM編程設(shè)備。計(jì)算機(jī)、應(yīng)用軟件和物理硬件構(gòu)成系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)，計(jì)算機(jī)與物理硬件之間采用USB總線(xiàn)互連，即插即用非常方便。重點(diǎn)介紹了物理硬件結(jié)構(gòu)、客
2010-07-30 17:59:3337
37低電壓甲乙類(lèi)開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元
低電壓甲乙類(lèi)開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元
引言 開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號(hào)處理系統(tǒng)的基本單元電路，其性能的優(yōu)
2007-08-15 16:06:29563
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內(nèi)帶E2PROM的數(shù)字電位器電路圖
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數(shù)字控制電位器(DCP)是一種可由外部微處理器等來(lái)自由設(shè)定阻值的可變電阻器。與機(jī)械式電位器不同，它沒(méi)有可動(dòng)部分，因
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基于SPI方式DSP外部E2PROM接口設(shè)計(jì)
基于SPI方式DSP外部E2PROM接口設(shè)計(jì)
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近年來(lái)，隨著DSP技術(shù)的普及、高性能DSP芯片的出現(xiàn)，DSP已越來(lái)越多地被廣大的工程師所接受，
2010-01-06 14:10:531910
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內(nèi)置Reset_WDT電路的串行E2PROM
CSI24Cxxx 是集E2PROM 存儲(chǔ)器, 精確復(fù)位控制器和看門(mén)狗定時(shí)器三種流行功能于一體的芯片CSI24C161/162 16K CSI24C081/082 8K CSI24C041/042
2016-06-03 15:31:430
0ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)_E2PROM存儲(chǔ)器
電子專(zhuān)業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)04E2PROM存儲(chǔ)器
2016-09-13 17:23:280
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2017-01-07 21:39:440
0基于OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元讀取閥值
。O工P存儲(chǔ)器的種類(lèi)很多，很多是基于熔絲和反熔絲，本文介紹的O工P存儲(chǔ)器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲(chǔ)器中，通過(guò)對(duì)選中單元的編程改變了存儲(chǔ)單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機(jī)制下，沒(méi)有編程的存儲(chǔ)單元讀取時(shí)會(huì)讀出0，而通過(guò)編程的存儲(chǔ)單元在讀取時(shí)會(huì)讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111
11AT24C02串行CMOS E2PROM的使用資料詳解
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AT24C02串行CMOS E2PROM的使用資料詳解。
2019-06-14 17:44:0010
10存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線(xiàn)的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線(xiàn)對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上，在一些
2020-05-14 09:19:473282
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垂直環(huán)繞柵晶體管可縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元！
個(gè)名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元。 Spin Memory將設(shè)備稱(chēng)為通用選擇器（Universal
2020-09-04 16:10:132090
2090根據(jù)數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲(chǔ)單元有幾種
按照數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲(chǔ)單元分為兩種：靜態(tài)存儲(chǔ)單元一靜態(tài)RAM（SRAM）;動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）。 1.靜態(tài)存儲(chǔ)單元（SRAM）：它由電源來(lái)維持信息，如觸發(fā)器，寄存器
2020-12-02 14:31:302182
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計(jì)算機(jī)信息存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)解析
數(shù)據(jù)必須首先在計(jì)算機(jī)內(nèi)被表示，然后才能被計(jì)算機(jī)處理。計(jì)算機(jī)表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲(chǔ)設(shè)備；而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的具體單位是存儲(chǔ)單元；因此，了解存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269
2269便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類(lèi)存儲(chǔ)單元的應(yīng)用及設(shè)計(jì)方案
采用HSPICE分別對(duì)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真，晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V；輸入電流iin=40μA，信號(hào)頻率fin=100 kHz
2021-02-18 10:06:391450
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CSI93CXX系列E2PROM的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
CSI93C46/56/57/66/86 是一種存儲(chǔ)器可以定義為16 位ORG 引腳接Vcc 或者定義為8 位ORG 引腳接GND 的1K/2K/2K/4K/16K 位的串行E2PROM 每一個(gè)
2021-03-30 15:15:2016
16MB85RQ4ML作為一種FRAM芯片，它的特點(diǎn)是什么
MB85RQ4ML是一種FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片，采用524，288字×8位的配置，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來(lái)形成非易失性存儲(chǔ)單元。采用四路串行外設(shè)接口（QSPI），可使用四個(gè)
2021-05-04 10:12:00950
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STC89C52RC單片機(jī)額外篇 | 08 - 認(rèn)識(shí)I2C協(xié)議以及E2PROM存儲(chǔ)器（AT24Cxx）
STC89C52RC單片機(jī)額外篇 | 08 - 認(rèn)識(shí)I2C協(xié)議以及E2PROM存儲(chǔ)器（AT24Cxx）
2021-11-22 11:06:0837
37【藍(lán)橋杯】單片機(jī)學(xué)習(xí)（10）——I2C通信協(xié)議與E2PROM
總線(xiàn)的尋址模式二、I2C總線(xiàn)器件的擴(kuò)展1、擴(kuò)展電路2、E2PROM（1）向E2PROM寫(xiě)數(shù)據(jù)流程（2）從E2PROM讀數(shù)據(jù)流程三、實(shí)例一、I2C總線(xiàn)I2C總線(xiàn)是兩線(xiàn)式串行總線(xiàn)，有兩根雙向信號(hào)線(xiàn)。一根是數(shù)據(jù)線(xiàn)SDA，一根是時(shí)鐘線(xiàn)SCL。I2C總線(xiàn)的特點(diǎn)是：接口方式簡(jiǎn)單，兩條線(xiàn)可以?huà)於鄠€(gè)參與通信的
2021-11-25 14:36:109
9淺談閃速存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)單元連接方式
閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱(chēng)閃存(Flash)，是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場(chǎng)效應(yīng)管(見(jiàn)圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076
1076介紹一款超小型封裝尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT
使用的存儲(chǔ)單元可以執(zhí)行1013次寫(xiě)/讀操作，大大超過(guò)了閃存或E2PROM可以重寫(xiě)的次數(shù)。不需要像閃存和E2PROM這樣的長(zhǎng)寫(xiě)入時(shí)間，并且寫(xiě)入等待時(shí)間為零。 因此，無(wú)需等待寫(xiě)入完成序列。
2022-11-17 15:31:27573
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論