D類功放芯片損壞的解決方法

問題

產(chǎn)線生產(chǎn)某款電子產(chǎn)品過程中，發(fā)現(xiàn)有很大比例的D類功放芯片損壞。

分析

1、從拿到的壞機芯片樣品來看，芯片有燒壞的痕跡，明顯是電應(yīng)力損壞的。

2、用萬用表量芯片的各個引腳，輸出腳直接對地短路了。很可能過壓導(dǎo)致芯片內(nèi)的mos管損壞。

3、用示波器量正常板子的輸出引腳波形，發(fā)現(xiàn)電壓峰值達到6.8V，而規(guī)格書上要求的電壓只有5.5V，可以判斷是過壓導(dǎo)致的損壞（喇叭線圈上產(chǎn)生的反向電動勢導(dǎo)致電壓過高）。

解決

由于D類功放芯片的電源是5V，加上喇叭線圈上的反向電動勢，很容易使得電壓超過5.5V，導(dǎo)致芯片損壞。因此，整改方案直接降低5V電源為4V（滿足產(chǎn)品喇叭功率的要求）。

如果板子上D類功放輸出有LC位置，可以直接上磁珠和電容，吸收尖峰，測試的電壓峰值也會低很多。

小結(jié)

1、采用新芯片方案時，需要把規(guī)格書的關(guān)鍵參數(shù)弄清楚，設(shè)計上考慮余量；

2、D類功放設(shè)計要考慮喇叭線圈導(dǎo)致的反向電動勢；

3、D類功放設(shè)計輸出最好預(yù)留RC或LC位置，遇到問題可以調(diào)整參數(shù)解決，比如輻射。

D類功放原理：

D類功放芯片的典型電路圖：

D類功放芯片規(guī)格：VDD最高電壓是6V，其他管腳（包括輸出）最高電壓是5.5V

D類功放芯片輸出的磁珠和電容：