度亙激光9xxnm激光芯片產品全面升級！研究成果于國際著名期刊發(fā)表，獲得專家高度認可！

近期，度亙激光楊國文博士帶領的研發(fā)團隊在高功率半導體激光器領域取得新進展，實現(xiàn)了輸出功率和電光轉換效率的雙重突破。230μm條寬的915nm單管器件在48A/30℃/CW條件下，輸出功率高達48.5W，電光轉換效率（PCE）峰值高達72.6%，30W功率點的PCE大于67%，35W輸出時的PCE仍高達64.5%！

研究成果《48 W continuous-wave output from a high-efficiency single emitter laser diode at 915 nm》發(fā)表于國際著名學術期刊《Photonics Technology Letters》，并獲得評審專家高度認可：“所取得的激光芯片的特性測試結果十分出色”、“研究結果令人印象深刻”、“建議最快速度發(fā)表”。

度亙激光Photonics Technology Letters發(fā)表的研究成果論文

01

應用與背景

高功率9xx-nm半導體激光器（LDs）作為光纖激光器泵浦源及直接半導體激光器光源廣泛應用于工業(yè)加工領域。由于摻Yb光纖在915nm波段吸收帶較寬，特別適合大溫度范圍條件下工作，在降低激光系統(tǒng)溫控成本上具有優(yōu)勢，因此915nm半導體激光器是光纖激光器泵浦源的重要選擇。隨著工業(yè)加工領域的快速發(fā)展，對光纖激光器的功率提升的需求十分迫切。因此也對半導體激光芯片的性能、可靠性和穩(wěn)定性提出了更為嚴格的要求。提高9xx-nm半導體激光器的功率和效率具有重要的應用及經濟價值。

摻鐿(Yb)光纖的吸收譜

02

技術難點

1. 極高輸出光功率下的熱反轉（Thermal rollover）導致的功率受限問題；

2. 極高功率密度和電流密度工作條件下的腔面光學災變損傷（COMD）問題；

3. 芯片要求同時具備低損耗、低電壓、高內量子效率以及低發(fā)散角，但參數(shù)之間又有相互制約與矛盾的設計挑戰(zhàn)；

4. 低缺陷密度、低雜質密度和高重復穩(wěn)定的高質量外延材料生長的挑戰(zhàn)。

03

研究成果

針對高功率輸出的目標，首先基于激光芯片特性參量進行了模擬計算，分析了內量子效率及內部光損耗對斜率效率的影響，以及閾值電流和斜率效率對輸出功率的影響。結果表明實現(xiàn)高內量子效率的同時，實現(xiàn)低的內損耗是獲得高功率輸出的關鍵。通過新型結構設計、高質量外延生長以及精細化工藝制備，獲得了內損耗低至0.31cm?1，內量子效率高達96%的性能紀錄水平。在此基礎上，制備的230μm條寬單管器件在48A，30℃，CW條件下實現(xiàn)了高達48.5 W最高輸出功率！

30℃，CW條件下，10只單管半導體激光器的功率電流測試特性曲線

室溫25℃連續(xù)工作條件下芯片的測試結果表明，14A時最大電光轉換效率高達72.6%！30W輸出的PCE大于67%，35W輸出時的PCE仍高達64.5%。基于以上技術提升，最新推出的230μm條寬的30W和35W單管產品已通過客戶驗證并開始批量生產。

25℃，CW條件下，功率、電壓和電光轉換效率隨電流變化曲線

55只器件長期可靠性測試曲線

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形成的主要系列產品

在以上技術的研究成果基礎上，開發(fā)形成了880/915/945/975nm的系列單管產品。