案例分享第十期：砷化鎵(GaAs)晶圓切割實例

砷化鎵晶圓的材料特性

砷化鎵(GaAs)是國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，作為第二代半導體材料中價格昂貴的一種，被冠以“半導體貴族”之稱，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。

砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象，使芯片的晶體內部產(chǎn)生應力損傷,導致產(chǎn)品失效和使用性能降低。

砷化鎵晶圓的應用

用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點，可用于生產(chǎn)二極管、場效應晶體管（FET）和集成電路（IC）等，主要應用于高端軍事電子、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無線通信系統(tǒng)、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。

目前，基于砷化鎵襯底的led發(fā)光芯片在市場上有大量需求。

選刀要點

切割砷化鎵晶圓，通常采用輪轂型電鍍劃片刀，選刀不當極易造成晶片碎裂，導致成品率偏低。用極細粒度金剛石（4800#，5000#）規(guī)格的刀片，能有效減少晶片碎裂，但切割之前需要進行修刀。

案例實錄

?

測試目的

1、對比測試

2、驗證切割品質

?

材料情況

?

修刀參數(shù)

?

工藝參數(shù)

?

樣刀準備

SSTYE 5000-R-90-AAA

?

樣刀規(guī)格

?

測試結果

1、刀痕良好，＜18μm，在控制范圍內。

2、正面崩邊＜3μm。

3、背面崩邊＜15μm，在控制范圍內。

切割效果（滑動查看更多圖片）

西斯特科技

深圳西斯特科技有限公司 (簡稱西斯特SST) ，以“讓一切磨削加工變得容易”為主旨，倡導磨削系統(tǒng)方法論，2015年金秋創(chuàng)立于深圳，根植于技術創(chuàng)新的精神，屹立于創(chuàng)造價值、追求夢想的企業(yè)文化。

基于對應用現(xiàn)場的深度解讀、創(chuàng)新性的磨具設計和磨削系統(tǒng)方法論的實際應用，西斯特秉承先進的磨削理念，踐行于半導體、消費電子、汽車零部件等行業(yè)，提供高端磨具產(chǎn)品以及“切、磨、鉆、拋”系統(tǒng)解決方案，在晶圓與封裝基板劃切、微晶玻璃和功能陶瓷磨削、汽車零部件精密磨削等領域應用廣泛。

西斯特科技始終以先進的技術、創(chuàng)新的產(chǎn)品、優(yōu)質服務的理念，引領產(chǎn)業(yè)革命，創(chuàng)造無限可能。