11.2.2 開關(guān)模式直流-直流變換器
11.2 基本的功率變換電路
第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
直流
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
439瀏覽量
42937 -
變換器
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
2099瀏覽量
109307
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
AC380V/DC375V交直流變換器變流器換流器
AC380V/DC375V交直流變換器(或稱為變流器、換流器)是一種電力電子設(shè)備,用于將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC),或者在某些情況下也可以將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,但具體轉(zhuǎn)換方向需
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
dc變換器的作用是什么
電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色,它們廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中,如計算機(jī)、通信設(shè)備、便攜式設(shè)備、電動汽車、太陽能系統(tǒng)等。 1. 直流變換器的基本原理 直流變換器的工作原理基于電磁感應(yīng)和電子
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
雙向直流變換器有哪些優(yōu)缺點(diǎn)
雙向直流變換器(Bi-directional DC-DC Converter)作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)直流電能雙向傳輸?shù)碾娏﹄娮釉O(shè)備,在多個領(lǐng)域如混合動力汽車、直流不間斷供電系統(tǒng)、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)以及電動汽車等有著廣泛的應(yīng)用。
什么是雙向直流變換器?它有哪些應(yīng)用?
雙向直流變換器(Bi-directional DC-DC Converter) 是一種能夠?qū)崿F(xiàn)直流電能雙向傳輸?shù)碾娏﹄娮釉O(shè)備。它不僅可以將直流電能從一個電壓等級轉(zhuǎn)換為另一個電壓等級,還能在必要時將
直流pwm變換器電路的基本結(jié)構(gòu)及原理
直流PWM變換器主要由以下幾個部分組成: 輸入電源:直流PWM變換器的輸入電源可以是電池、太陽能電池板、交流整流器等。 功率
碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較
過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J,允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
發(fā)表于 02-29 14:23
?1658次閱讀
簡單認(rèn)識碳化硅功率器件
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子
評論