實(shí)現(xiàn)不確定性不變的高級(jí)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的未來(lái)

片上系統(tǒng) （SoC） 的設(shè)計(jì)依賴于許多預(yù)定義的目標(biāo)參數(shù)，包括功耗、電源電壓、時(shí)鐘頻率、數(shù)據(jù)路徑時(shí)序和所需的物理區(qū)域。對(duì)此類靜態(tài)參數(shù)的最壞情況進(jìn)行仿真和建?？赡軙?huì)取得成功。然而，不太確定的是芯片在其整個(gè)生命周期中的行為，因?yàn)榭赡軙?huì)應(yīng)用意外的激勵(lì)，軟件可能會(huì)更新，工作負(fù)載活動(dòng)可能會(huì)超出設(shè)計(jì)的原始意圖。此外，隨著時(shí)間的推移，底層硅制造工藝將不斷發(fā)展，從而導(dǎo)致性能漂移。此外，測(cè)試設(shè)備的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)也將發(fā)生變化。因此，可以肯定的是，我們可以說(shuō)會(huì)有不確定性。隨著幾何尺寸的縮小、柵極密度的增加以及整體設(shè)計(jì)復(fù)雜性的無(wú)限增長(zhǎng)，這種不確定性的幅度將會(huì)增加。

嵌入式傳感超越技術(shù)曲線

片內(nèi)靜態(tài)測(cè)量和實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)檢測(cè)提供了對(duì)“后硅片”設(shè)計(jì)的活動(dòng)和行為的洞察。隨著我們接近3nm及以下的技術(shù)，對(duì)此類嵌入式儀器的依賴只會(huì)增加。這帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，因?yàn)?a target="_blank">傳感器技術(shù)必須跟上。除非高質(zhì)量的監(jiān)控和傳感仍然可用，否則升級(jí)到新的、更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的功耗、性能、面積 （PPA） 優(yōu)勢(shì)將會(huì)減少。模擬傳感器面臨的一個(gè)特殊挑戰(zhàn)是，其組成組件通常不會(huì)隨著幾何形狀的縮小而改善，這給設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了“靜止不動(dòng)”的局面。

先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)可行性取決于顯示器的發(fā)展曲線，因?yàn)橄冗M(jìn)的節(jié)點(diǎn)技術(shù)可以避免使用這種電路，這早已過(guò)去。那么，會(huì)發(fā)生什么呢？

硅評(píng)估和現(xiàn)場(chǎng)分析的機(jī)會(huì)

硅生命周期管理（SLM）為芯片內(nèi)更分散、更精細(xì)、更有洞察力和更有意義的信息源提供了一個(gè)解決方案平臺(tái)，這些信息源可以在芯片的整個(gè)生命周期的各個(gè)階段使用。正確的決策以所提供的良好信息為指導(dǎo)。使用過(guò)程、電壓和溫度（PVT）監(jiān)視器以及能夠提供實(shí)時(shí)設(shè)計(jì)裕量分析的新一代性能傳感器，將允許探索每個(gè)芯片的最佳功率、性能或可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

現(xiàn)在是收集芯片和系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品生命周期階段（從制造、測(cè)試、封裝、部署到最終生命周期結(jié)束）的嵌入式見解的最有趣時(shí)機(jī)。在高性能計(jì)算 （HPC） 環(huán)境中，每平方毫米面積的功耗更高，這帶來(lái)了熱和配電挑戰(zhàn)。在汽車環(huán)境中，將相對(duì)不成熟的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)用于長(zhǎng)壽命、高可靠性的應(yīng)用，其中電路老化和退化尚未得到充分觀察。這些挑戰(zhàn)將持續(xù)存在，并且只會(huì)因堆疊芯片封裝安排（例如2.5D，3D和小芯片）而變得更加復(fù)雜。

產(chǎn)品的生命周期管理包括硅評(píng)估，以改善設(shè)計(jì)和制造流程，包括收集用于產(chǎn)品轉(zhuǎn)向的運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)，將提供必要的工具，以超越視野并繼續(xù)為社會(huì)開發(fā)引人注目的產(chǎn)品。

審核編輯：郭婷