利用CMOS設(shè)計(jì)電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。
如圖所示,非電路由一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS組成。 當(dāng)uI=0,PMOS管導(dǎo)通,NMOS管關(guān)斷,u0約等于VDD,為高電平; 當(dāng)uI=VDD,PMOS管關(guān)斷,NMOS管導(dǎo)通,u0約等于0,為低電平;
2、與非門設(shè)計(jì)
如圖所示,與非門設(shè)計(jì)包含兩個(gè)PMOS和兩個(gè)NMOS。 兩個(gè)PMOS并聯(lián),實(shí)現(xiàn)A、B兩個(gè)任何一個(gè)為0,都能導(dǎo)通,使Y輸出高電平。 兩個(gè)NMOS串聯(lián),實(shí)現(xiàn)A、B兩個(gè)同時(shí)為VDD,才能導(dǎo)通,使Y輸出低電平。 下表中1代表VDD高電平,0代表低電平
A | B | Y |
1 | 1 | 0 |
1 | 0 | 1 |
0 | 1 | 1 |
0 | 0 | 1 |
3、或非門
如圖所示,或非門設(shè)計(jì)包含兩個(gè)PMOS和兩個(gè)NMOS。 兩個(gè)PMOS串聯(lián)聯(lián),實(shí)現(xiàn)A、B兩個(gè)同時(shí)為0,才能導(dǎo)通,使Y輸出高電平。 兩個(gè)NMOS串聯(lián),實(shí)現(xiàn)A、B兩個(gè)任何一個(gè)為VDD,就能導(dǎo)通,使Y輸出低電平。 下表中1代表VDD高電平,0代表低電平
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:基于CMOS的非門、與非門、或非門設(shè)計(jì)
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