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最大限度地減少密集PCB布局中多個(gè)iso功率器件的輻射發(fā)射

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-04-06 11:16 ? 次閱讀

集成隔離電源isoPower ?的iCoupler?數(shù)字隔離器采用隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器,可在125 MHz至200 MHz的頻率范圍內(nèi)切換相對(duì)較大的電流。在這些高頻下工作會(huì)引起對(duì)輻射發(fā)射和傳導(dǎo)噪聲的擔(dān)憂。通過電路優(yōu)化(降低負(fù)載電流和電源電壓)和使用與平面間PCB電容實(shí)現(xiàn)的交叉勢(shì)壘旁路電容,可以實(shí)際降低大于25 dB的峰值輻射。

但是,如果您在設(shè)計(jì)中有多個(gè)isoPower器件并且布局非常密集,會(huì)發(fā)生什么?您還能實(shí)現(xiàn)有意義的輻射排放減少嗎?本說明旨在提供一些一般準(zhǔn)則來幫助您處理這種情況。

由于可以構(gòu)建低電感結(jié)構(gòu),平面間拼接電容被證明提供了最大的優(yōu)勢(shì)。在整體PCB面積有限的情況下, 多層是您的朋友.盡可能多地使用層,并盡可能多地重疊電源層和接地層(參考層)。圖 1 顯示了一個(gè)示例堆疊。

poYBAGQuPeCAHcuqAABcCI29MVo963.png

圖1.示例 PCB 層堆疊。

埋地層(初級(jí)側(cè)的 3 和 4,次級(jí)側(cè)的 2 到 5)承載功率和接地電流。屏障上的重疊(例如,初級(jí)側(cè)的第4層GND和次級(jí)側(cè)的第3層V Iso之間)會(huì)產(chǎn)生所需的旁路電容。多層PCB堆疊可以產(chǎn)生多個(gè)重疊,從而增加總電容。減小參考平面之間PCB介電材料的厚度以最大化電容也很重要。

另一個(gè)布局技巧是重疊相鄰 iso電源通道的平面。圖2顯示了具有四個(gè)相鄰?fù)ǖ赖氖纠?/p>

poYBAGQuPeiAMeaLAABX8McS2Ek534.png

圖2.四個(gè)相鄰?fù)ǖ溃哂兄丿B的旁路電容。

在本例中,每個(gè)輸出域都與其他輸出域隔離,但我們?nèi)匀豢梢岳靡恍┲丿B電容。圖3顯示了堆疊,說明了每個(gè)isoPower器件看到的電容增加以及連接相鄰隔離區(qū)域的情況。

pYYBAGQuOYKABoxIAADZU6N-aXQ836.png

圖3.四個(gè)相鄰?fù)ǖ?,具有重疊的旁路電容。

您必須確保根據(jù)最終應(yīng)用滿足外部和內(nèi)部間隙要求。使用鐵氧體磁珠對(duì)任何電纜連接進(jìn)行濾波也很有用,以減少可能輻射的天線效應(yīng)。

總結(jié):

將每個(gè)通道的功率要求降至最低

在多個(gè) PCB 層上創(chuàng)建拼接

盡可能多地使用PCB層

在參考平面之間盡可能使用最薄的電介質(zhì)

相鄰域之間的耦合

確保仍滿足內(nèi)部和外部爬電距離要求

對(duì)任何電纜連接提供過濾

審核編輯:郭婷

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