在密集PCB布局中，最大限度降低多個(gè)isoPower器件輻射的要點(diǎn)

集成隔離電源isoPower?的iCoupler?數(shù)字隔離器采用隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器，能夠在125 MHz至200 MHz的頻率范圍內(nèi)切換相對(duì)較大的電流。在這些高頻率下工作可能會(huì)增加對(duì)電磁輻射和傳導(dǎo)噪聲的擔(dān)心。

雖然，咱們官網(wǎng)上的應(yīng)用筆記《isoPower器件的輻射控制建議》提供了最大限度降低輻射的電路和布局指南。實(shí)踐證明，通過電路優(yōu)化（降低負(fù)載電流和電源電壓）和使用跨隔離柵拼接電容（通過PCB內(nèi)層電容實(shí)現(xiàn)），可把峰值輻射降低25 dB以上。（ps.欲查看《isoPower器件的輻射控制建議》，點(diǎn)擊“閱讀原文”即可）

但是，倘若設(shè)計(jì)中具有多個(gè)isoPower器件并且布局非常密集，情況又將如何？ 是否仍然能夠明顯降低輻射？這里，我們將針對(duì)此類情況提供一些一般指導(dǎo)原則。

由于內(nèi)層拼接電容能夠構(gòu)建低電感結(jié)構(gòu)，因此最具優(yōu)勢。在整體PCB區(qū)域受限的情況下，采用多層PCB就是很好的方式。采用盡可能多的層數(shù)切實(shí)可行，同時(shí)盡可能多的交疊電源層和接地層（參考層）。圖1為一個(gè)堆疊示例。

圖1.PCB層堆疊示例

埋層（原邊3、4層，副邊2至5層）可承載電力和接地電流?？缭礁綦x柵的交疊（例如原邊上的第4層GND和副邊上的第3層 V Iso）可形成理想的拼接電容。通過多層PCB堆疊可形成多個(gè)交疊，從而提高整體電容。為使電容最大，還必須減小參考層之間PCB電介質(zhì)材料的厚度。

另一個(gè)布局技巧就是交疊相鄰的isoPower通道的各層。圖2顯示了一個(gè)具有四條相鄰?fù)ǖ赖氖纠?/span>

圖2.具有交疊拼接電容的四個(gè)相鄰?fù)ǖ?/span>

本示例中，每個(gè)輸出域與其他域隔離，但是我們?nèi)阅芾靡恍┙化B電容。圖3顯示了這種堆疊，可看到每個(gè)isoPower器件可增加電容以及相鄰隔離區(qū)連接的情況。

圖3.具有交疊拼接電容的四個(gè)相鄰?fù)ǖ?/span>

必須確保內(nèi)部和外部間隙要求符合最終應(yīng)用。還可使用鐵氧體磁珠在任意電纜連接上提供過濾，從而減少可能產(chǎn)生輻射的天線效應(yīng)。

如何在密集PCB布局中，最大限度降低多個(gè)isoPower器件的輻射？請(qǐng)參考以下幾個(gè)要點(diǎn)↓

• 最大程度降低每個(gè)通道的電源要求

• 在多個(gè)PCB層上構(gòu)建拼接

• 采用盡可能多的PCB層切實(shí)可行

• 在各參考層間使用最薄的電介質(zhì)

• 在相鄰域之間進(jìn)行連接

• 確保內(nèi)部和外部爬電距離仍然符合要求

• 電纜連接上提供過濾