在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的,對(duì)各階段做了定量分析,相信看過的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來(lái)聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。
同學(xué)留言
一位同學(xué)留言說(shuō)即便用感性負(fù)載也仿真不出理論曲線,仿真結(jié)果和阻性負(fù)載差不多。
感謝這位同學(xué)的留言,相信這位同學(xué)應(yīng)該是實(shí)際動(dòng)手仿真過,才有這樣的疑問。那到底是不是這樣的呢?大家不妨跟著二火一起動(dòng)起來(lái),咱們搭個(gè)模型試試,畢竟硬件微講堂還是崇尚用理論+數(shù)據(jù)的方式來(lái)論證觀點(diǎn)。
搭建模型
還記得上一篇阻性負(fù)載時(shí)所搭建的仿真模型么?如下圖所示:
我們只需要把電路中的R3更換為電感L1即可。為了避免電感在MOS管開關(guān)過程中產(chǎn)生巨大的反向電動(dòng)勢(shì),我們需要給電感L1配上一個(gè)續(xù)流二極管D1。
有的同學(xué)會(huì)問為什么會(huì)有巨大的反向電動(dòng)勢(shì)?這里不做過多展開,只說(shuō)兩點(diǎn),其他的請(qǐng)自行腦補(bǔ)。
①電感中的電流不能突變,但電流變化率dI/dt可以突變;
②U=LdI/dt。
仿真電路調(diào)整好后,再進(jìn)行參數(shù)設(shè)置。調(diào)整下VG1,設(shè)置為幅值為5V的方波,用于驅(qū)動(dòng)MOS管的柵極。
VS1是電壓源,10V就夠用,不用調(diào)整。L1取值2mH,這取值是隨意取的。到這里,仿真模型就算搭建完畢,下一步開始仿真。
仿真驗(yàn)證
通過“分析”--“瞬時(shí)分析”,設(shè)置10us的仿真時(shí)間,執(zhí)行即可得到如下波形。而黃框中的部分即為米勒平臺(tái)所對(duì)應(yīng)的Vgs、Id、Vds波形。
對(duì)黃色區(qū)域進(jìn)行局部放大,可以得到如下波形。同樣可以分為4個(gè)階段:
階段①:Vgs
階段②:Vgs>Vth,Vds>Vgs-Vth,飽和區(qū);
階段③:Vgs>Vth,Vds>Vgs-Vth,飽和區(qū);
階段④:Vgs>Vth,Vds
上圖中的階段③和理論曲線所展示的平臺(tái)階段趨勢(shì)基本一致:Vgs保持不變,Id也保持不變。理論曲線在前面文章中已提到過,如下圖所示。
定量計(jì)算
關(guān)于感性負(fù)載的各階段定量關(guān)系計(jì)算,基本和《MOS管的米勒效應(yīng)(6)--阻性負(fù)載》講過的定量關(guān)系類似,這里不再重復(fù)。需要特別說(shuō)明階段③,此時(shí)Vds和Id的變化已不同步,在阻性負(fù)載中所提到的歐姆定律關(guān)系式已不能說(shuō)明問題,內(nèi)部涉及電壓和電流的波形能量轉(zhuǎn)換,開關(guān)管和續(xù)流二極管的換流。
好在此時(shí)的Vgs不變,Id也不變,階段③Vgs和Id的定量計(jì)算可以和階段②在t2時(shí)刻(階段②和階段③臨界點(diǎn))定量計(jì)算的結(jié)果保持相等。Vds的計(jì)算非常復(fù)雜,我們就放過自己吧……
差異點(diǎn)的可能解釋
細(xì)心的同學(xué)發(fā)現(xiàn)階段②,在仿真波形中有一個(gè)明顯的尖峰,而理論曲線沒有?;趥€(gè)人理解,我這邊嘗試進(jìn)行如下解釋,可能未必恰當(dāng)。如有不對(duì),還請(qǐng)指正。
①可能由于仿真模型搭建上有差異。理論曲線中搭建模型中使用的是恒流源,而我仿真模型中使用的是電感。
②理論曲線的仿真模型中所使用的器件是否為理想模型,我不確定。TINA-TI中的模型,確定不是理想模型。
(我自認(rèn)為這個(gè)解釋不夠嚴(yán)謹(jǐn)…)
感性負(fù)載與阻性負(fù)載對(duì)比
我們把感性負(fù)載和阻性負(fù)載的米勒效應(yīng)波形一起看下,如下圖:
具體的差異點(diǎn)都在圖上,我不展開講。
只提一個(gè)點(diǎn):感性負(fù)載時(shí),在階段②,漏極電流Id在變化時(shí),漏源電壓Vds不變;在階段③,Id不變化時(shí),Vds在變化。
想想為什么?
感興趣的同學(xué)自己花點(diǎn)精力研究,我這邊點(diǎn)到為止。歡迎評(píng)論區(qū)留言,說(shuō)出你的觀點(diǎn)。
總 結(jié)
先聊到這里,梳理下今天討論的內(nèi)容:
①搭建感性負(fù)載的米勒效應(yīng)仿真模型;
②對(duì)感性負(fù)載的米勒效應(yīng)4個(gè)階段進(jìn)行簡(jiǎn)要分析;
③定量計(jì)算;
④指出仿真結(jié)果與理論曲線的明顯差異點(diǎn);
⑤對(duì)比感性負(fù)載和阻性負(fù)載的米勒效應(yīng)曲線,特別拋出一個(gè)問題點(diǎn);
怎么樣?一個(gè)簡(jiǎn)短的問題,給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里,能否晉升到陸地神仙境,一劍開天門,就看你的造化了!
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:MOS管的米勒效應(yīng)(7)--感性負(fù)載
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