高層次地審視設(shè)計(jì)模擬 IC 的過(guò)程

了解模擬 IC 設(shè)計(jì)過(guò)程的基本步驟以及它與數(shù)字 IC 設(shè)計(jì)的比較。在本文中，我們將高層次地審視設(shè)計(jì)模擬 IC 的過(guò)程。

模擬 IC 設(shè)計(jì)與數(shù)字 IC 設(shè)計(jì)

模擬 IC 設(shè)計(jì)與數(shù)字 IC 設(shè)計(jì)有很大不同。其中數(shù)字IC設(shè)計(jì)在與確定的柵- /晶體管級(jí)放置和路由的具體系統(tǒng)和過(guò)程的抽象水平大多進(jìn)行，模擬IC設(shè)計(jì)通常涉及更個(gè)性化的焦點(diǎn)到每個(gè)電路，甚至大小和每個(gè)具體晶體管。

此外，許多代工工藝主要是為具有模擬功能的數(shù)字 IC 開(kāi)發(fā)的，這要求模擬 IC 設(shè)計(jì)人員處理更適合數(shù)字 IC 的工藝限制和功能。

設(shè)計(jì)規(guī)范

模擬設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)通常從一組規(guī)范和功能開(kāi)始，就像數(shù)字 IC 設(shè)計(jì)一樣。從那里，各種功能的功能模型用于進(jìn)一步縮小約束范圍，并導(dǎo)致對(duì)設(shè)備尺寸、類(lèi)型和其他過(guò)程特征的決策。這可能包括晶體管選擇、高級(jí)布局規(guī)劃、電感器和電容器技術(shù)的包含以及 IC 和子電路的期望品質(zhì)因數(shù)。

架構(gòu)硬件描述語(yǔ)言 (AHDL)，例如 VHDL-AMS，用于執(zhí)行高級(jí)仿真并確定子塊的約束。在這個(gè)階段也可以開(kāi)發(fā)一個(gè)測(cè)試平臺(tái)，稍后用于仿真，盡管模擬設(shè)計(jì)人員也經(jīng)常為他們的子電路設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)測(cè)試平臺(tái)。

子電路設(shè)計(jì)、物理布局和仿真

有了這些細(xì)節(jié)并根據(jù)模擬電路的復(fù)雜性，模擬設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)通常會(huì)將子電路設(shè)計(jì)分配給個(gè)人。進(jìn)行理想化的宏觀測(cè)量，進(jìn)一步確定子電路的約束和性能預(yù)期。

在此之后，這些宏觀原理圖被分解為具有從代工過(guò)程建模的電路元件的原理圖。對(duì)這些電路進(jìn)行仿真和優(yōu)化，然后開(kāi)始物理布局過(guò)程。在寄生提取和布局后仿真之前完成布局和布線(xiàn)，然后是設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 和布局與原理圖。

布局后模擬可能會(huì)揭示設(shè)計(jì)中的缺陷，可能需要重新設(shè)計(jì)、布局和模擬的迭代過(guò)程才能滿(mǎn)足最終設(shè)計(jì)目標(biāo)并提交 IC 進(jìn)行流片。子電路也可能在整個(gè)芯片布局和模擬之前經(jīng)歷自己的設(shè)計(jì)、布局和模擬過(guò)程，盡管任何一種方法都可能導(dǎo)致需要在流片之前重新設(shè)計(jì)電路。

Cadence 模擬設(shè)計(jì)環(huán)境的波形窗口示例。截圖由 Saad Rahman 和 Chintan Patel通過(guò)馬里蘭大學(xué)巴爾的摩縣提供

模擬抽象級(jí)別

以下是模擬 IC 設(shè)計(jì)過(guò)程的抽象層次：

1. 功能性
2. 行為的
3. 宏
4. 電路
5. 晶體管
6. 物理布局

模擬 IC 設(shè)計(jì)流程

具體與模擬 IC 設(shè)計(jì)相關(guān)的步驟可細(xì)分如下：

• 設(shè)計(jì)規(guī)范
  • 規(guī)格
  • 約束
  • 拓?fù)?/li>
  • 測(cè)試臺(tái)開(kāi)發(fā)
• 流程示意圖
  • 系統(tǒng)級(jí)原理圖輸入
  • 架構(gòu) HDL 仿真
  • 塊 HDL 規(guī)范
  • 電路級(jí)原理圖入口
  • 電路仿真和優(yōu)化
• 物理流
  • 基于 PCell 的布局入口
  • 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC)
  • 布局與原理圖 (LVS)
  • 寄生提取
  • 布局后模擬
  • 流片