華大電子MCU CIU32L061x8存儲器（Flash）二

5.3.5User flash區(qū)擦除操作

User flash區(qū)支持以下擦除方式：

l頁擦除（512字節(jié)）

l塊擦除（16KB）

l批量擦除（128KB）

Flash存儲器在執(zhí)行擦除操作時(shí)，不能同時(shí)進(jìn)行讀取操作，需要等待存儲器完成 擦除操作后，讀取操作才能正常進(jìn)行，擦除完成后的Flash數(shù)據(jù)為全1。

5.3.5.1User flash區(qū)頁擦除步驟

對User flash區(qū)進(jìn)行頁擦除操作（512字節(jié)），可遵循以下步驟：

1） 檢查Flash狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的BSY標(biāo)志，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的Flash操作；

2） 檢查FLASH_SR寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；

3） 解鎖Flash控制寄存器（FLASH_CR），使LOCK位清0；（詳見：Flash控 制寄存器解鎖）

4） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域?yàn)?1，進(jìn)入頁擦除模式；

5） 配置FLASH_CR寄存器中的PNB[7:0]位域，選擇待擦除區(qū)域的頁號；

6） 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1，啟動(dòng)Flash擦除，同時(shí)BSY標(biāo)志將自動(dòng)置1；

7） 查詢并等待BSY標(biāo)志清0，表明擦除操作已完成，此時(shí)ERASE位也將自 動(dòng)清 0；

8） 如果要對多個(gè)頁執(zhí)行擦除操作，可重復(fù)執(zhí)行步驟5到7；

9） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域?yàn)?0，退出擦除模式；

10） 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，恢復(fù)FLASH_CR寄存器的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。

5.3.5.2User flash區(qū)塊擦除步驟

對User flash區(qū)進(jìn)行塊擦除操作（16KB），可遵循以下步驟：

1） 檢查Flash狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的BSY標(biāo)志，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的Flash操作；

2） 檢查FLASH_SR寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；

3） 解鎖Flash控制寄存器（FLASH_CR），使LOCK位清0；（詳見：Flash控制寄存器解鎖）；

4） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域?yàn)?0，進(jìn)入塊擦除模式；

5） 配置FLASH_CR寄存器中的PNB[2:0]位域，選擇待擦除區(qū)域的塊號；

6） 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1，啟動(dòng)Flash擦除，同時(shí)BSY標(biāo)志將自動(dòng)置1；7） 查詢并等待BSY標(biāo)志清0，表明擦除操作已完成，此時(shí)ERASE位也將自動(dòng)清0；

8） 如果要對多個(gè)塊執(zhí)行擦除，可重復(fù)執(zhí)行步驟5到7；

9） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域?yàn)?0，退出擦除模式；

10） 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，恢復(fù)FLASH_CR寄存器的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。

5.3.5.3User flash區(qū)批量擦除步驟

批量擦除用于擦除整個(gè)User flash區(qū)域（128KB），可遵循以下步驟：

1） 檢查Flash狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的BSY標(biāo)志，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的Flash操作；

2） 檢查FLASH_SR寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；

3） 解鎖Flash控制寄存器（FLASH_CR），使LOCK位清0（詳見：Flash控制寄存器解鎖）；

4） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域?yàn)?1，進(jìn)入批量擦除模式；

5） 配置FLASH_CR寄存器中的ERASE位置1，啟動(dòng)Flash擦除，同時(shí)BSY標(biāo)志將自動(dòng)置1；

6） 查詢并等待BSY標(biāo)志清0，表明擦除操作已完成，此時(shí)ERASE位也將自動(dòng)清 0；

7） 配置FLASH_CR寄存器中的ER_MODE[1:0]位域?yàn)?0，退出擦除模式；

8） 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，恢復(fù)FLASH_CR寄存器的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。

5.3.5.4User flash區(qū)擦除錯(cuò)誤

在對User flash區(qū)執(zhí)行擦除操作的過程中，可能會出現(xiàn)以下錯(cuò)誤標(biāo)志：

lFlash操作序列錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR：

-在ERASE位被置1的同時(shí)，如果ER_MODE[1:0]位域?yàn)?0，則不會

啟動(dòng)擦除操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR將置1；

-在ERASE位被置1的同時(shí)，如果待擦除的區(qū)域（PNB[7:0]）超出了

Flash的有效空間，則不會啟動(dòng)擦除操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR將置1；

-當(dāng)有錯(cuò)誤標(biāo)志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）

未被清除時(shí)，配置ERASE位置1，則不會啟動(dòng)擦除操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR將置1；

-ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2個(gè)以上控制位同時(shí)置1，

則不會啟動(dòng)對應(yīng)的操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR將置1。

l寫保護(hù)錯(cuò)誤標(biāo)志W(wǎng)RPERR：

-如果要擦除的區(qū)域受到安全保護(hù)機(jī)制的影響，包含有受保護(hù)的區(qū)域，

則不會啟動(dòng)擦除操作，F(xiàn)LASH_SR寄存器中的WRPERR標(biāo)志將置1。

5.3.6User flash區(qū)編程操作

對Flash存儲器執(zhí)行編程操作，每次能寫入的數(shù)據(jù)長度固定為 32bits（字），不支持其他長度的數(shù)據(jù)寫入。

FLASH存儲器在執(zhí)行編程操作時(shí)，不能同時(shí)進(jìn)行讀取操作，需要等待存儲器完成編程操作后，讀取操作才能正常進(jìn)行。

與Flash擦除操作類似，編程操作也會受到安全保護(hù)機(jī)制的影響：

5.3.6.1User flash區(qū)編程操作步驟

對User flash區(qū)進(jìn)行編程操作，可遵循以下步驟：

1） 檢查Flash狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的BSY標(biāo)志，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的Flash操作；

2） 檢查FLASH_SR寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；

3） 解鎖Flash控制寄存器（FLASH_CR），使LOCK位清0（詳見：Flash控制寄存器解鎖）；

4） 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE為1，進(jìn)入Flash編程模式；

5） 向Flash目標(biāo)地址寫入32bits數(shù)據(jù)，寫入后BSY標(biāo)志將自動(dòng)置1；

6） 查詢并等待BSY標(biāo)志清0，表明編程操作已完成；7） 如果要對多個(gè)地址進(jìn)行編程，可重復(fù)步驟5和6；

8） 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE位為0，退出Flash編程模式；

9） 配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，恢復(fù)FLASH_CR寄存器的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。

5.3.6.2User flash區(qū)編程錯(cuò)誤

在對User flash區(qū)進(jìn)行編程操作的過程中，可能會出現(xiàn)以下錯(cuò)誤標(biāo)志：

l編程錯(cuò)誤標(biāo)志PROGERR：

-當(dāng)Flash地址內(nèi)的數(shù)據(jù)不是 0xFFFF FFFF時(shí)，表明該地址已經(jīng)執(zhí)行過

編程操作，向該地址寫入數(shù)據(jù)，則寫入的數(shù)據(jù)會被忽略，不會啟動(dòng)編

程操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PROGERR將置1；

-當(dāng)PG_MODE位為0時(shí)，向Flash地址寫入數(shù)據(jù)，則寫入的數(shù)據(jù)會被

忽略，不會啟動(dòng)編程操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PROGERR將置1；

-當(dāng)有錯(cuò)誤標(biāo)志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）

未被清除時(shí)，向Flash地址寫入數(shù)據(jù)，則寫入的數(shù)據(jù)會被忽略，不會啟動(dòng)編程操作，錯(cuò)誤標(biāo)志 PROGERR將置1。

l編程位寬錯(cuò)誤標(biāo)志SIZERR：

-如果向Flash地址寫入字節(jié)或半字，則寫入的數(shù)據(jù)會被忽略，不會啟

動(dòng)編程操作，錯(cuò)誤標(biāo)志SIZERR將置1。

l編程地址未對齊錯(cuò)誤標(biāo)志PGAERR：

-如果編程操作的目標(biāo)地址沒有按字對齊（地址2位不為b00），則

寫入的數(shù)據(jù)會被忽略，不會啟動(dòng)編程操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PGAERR將置1。

l寫保護(hù)錯(cuò)誤標(biāo)志W(wǎng)RPERR：

-如果要編程的區(qū)域受到安全保護(hù)機(jī)制的影響，處于受保護(hù)的狀態(tài)，向

該區(qū)域中的地址寫入數(shù)據(jù)，則寫入的數(shù)據(jù)會被忽略，不會啟動(dòng)編程操

作，錯(cuò)誤標(biāo)志W(wǎng)RPERR將置1。

5.4Option bytes區(qū)操作說明

5.4.1選項(xiàng)字節(jié)組成

選項(xiàng)字節(jié)存放于Flash存儲器的Option bytes區(qū)，用于保存與芯片硬件功能相關(guān)的配置項(xiàng)，用戶可根據(jù)應(yīng)用對選項(xiàng)字節(jié)進(jìn)行配置，以實(shí)現(xiàn)特定的硬件功能。

為了校驗(yàn)選項(xiàng)字節(jié)的正確性，在Option bytes區(qū)的每個(gè)字（32bits）被拆分成兩

部分，低16bits存放選項(xiàng)字節(jié)，高16bits存放選項(xiàng)字節(jié)的反碼。

復(fù)位后，硬件會自動(dòng)將Option bytes區(qū)中的內(nèi)容，加載到寄存器里，這些寄存器被稱為選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器，選項(xiàng)字節(jié)中各控制位的作用，可查看以下寄存器的詳細(xì)描述：

lFLASH_OPTR1：選項(xiàng)字節(jié)寄存器 1

lFLASH_OPTR2：選項(xiàng)字節(jié)寄存器 2

lFLASH_PCROP1AS：代碼讀出保護(hù)區(qū) 1A起始地址寄存器

lFLASH_PCROP1AE：代碼讀出保護(hù)區(qū) 1A結(jié)束地址寄存器

lFLASH_PCROP1BS：代碼讀出保護(hù)區(qū) 1B起始地址寄存器

lFLASH_PCROP1BE：代碼讀出保護(hù)區(qū) 1B結(jié)束地址寄存器

lFLASH_WRP1AS：寫保護(hù)區(qū)A起始地址寄存器

lFLASH_WRP1AE：寫保護(hù)區(qū)A結(jié)束地址寄存器

lFLASH_WRP1BS：寫保護(hù)區(qū)B起始地址寄存器

lFLASH_WRP1BE：寫保護(hù)區(qū)B結(jié)束地址寄存器

lFLASH_SECR：用戶安全配置寄存器

5.4.2選項(xiàng)字節(jié)更新

Option bytes區(qū)與User flash區(qū)不同，用戶不能直接對 Option bytes區(qū)執(zhí)行擦除或編程操作，而是要通過對應(yīng)的選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器進(jìn)行更新。

對選項(xiàng)字節(jié)的更新遵循以下步驟：

1） 檢查Flash狀態(tài)寄存器（FLASH_SR）中的BSY標(biāo)志位，以確認(rèn)當(dāng)前沒有正在執(zhí)行的Flash操作；

2） 檢查FLASH_SR寄存器，確認(rèn)錯(cuò)誤標(biāo)志均已清除；

3） 解鎖Flash選項(xiàng)字節(jié)的寫保護(hù)，使Flash控制寄存器（FLASH_CR）中的

OPTLOCK位清0（詳見：Flash選項(xiàng)字節(jié)解鎖）；

4） 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE為1，進(jìn)入Flash編程模式；

5） 配置選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器；

6） 將FLASH_CR寄存器中的OPTSTRT位置1，啟動(dòng)選項(xiàng)字節(jié)的更新，同時(shí)BSY標(biāo)志將自動(dòng)置1；

7） 查詢并等待BSY標(biāo)志清0，表明選項(xiàng)字節(jié)已更新完成，此時(shí)OPTSTRT位也將被自動(dòng)清 0；

8） 配置FLASH_CR寄存器中的PG_MODE位為0，退出Flash編程模式；

9） 配置FLASH_CR寄存器中的OPTLOCK位置1，恢復(fù)選項(xiàng)字節(jié)的寫保護(hù)鎖定狀態(tài)；

10） 此時(shí)FLASH_CR寄存器處于解鎖狀態(tài)，可根據(jù)需要配置FLASH_CR寄存器中的LOCK位置1，將其恢復(fù)成寫保護(hù)鎖定狀態(tài)。

在啟動(dòng)選項(xiàng)字節(jié)更新后，將對Option bytes區(qū)進(jìn)行擦除，并自動(dòng)生成選項(xiàng)字節(jié)的反碼，隨后會將選項(xiàng)字節(jié)及其反碼更新到Option bytes區(qū)。

在完成對選項(xiàng)字節(jié)的更新后，直接讀取Option bytes區(qū)，可獲取更新后的選項(xiàng)字節(jié)值。但是更新后的選項(xiàng)字節(jié)此時(shí)并未生效，如果讀取選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器，獲得的仍將是最近一次已加載生效的選項(xiàng)字節(jié)值。在對選項(xiàng)字節(jié)進(jìn)行更新的過程中，可能會出現(xiàn)以下錯(cuò)誤標(biāo)志：

lFlash操作序列錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR：

-在OPTSTRT位被置1的同時(shí)，如果PG_MODE位為0，則不會啟動(dòng)

選項(xiàng)字節(jié)更新，錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR將置1；

-當(dāng)有錯(cuò)誤標(biāo)志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）

未被清除時(shí)，配置OPTSTRT位置1，則不會啟動(dòng)選項(xiàng)字節(jié)更新，錯(cuò)誤

標(biāo)志PESERR將置1；

-ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2個(gè)以上控制位同時(shí)置1，

則不會啟動(dòng)對應(yīng)的操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR將置1。

5.4.3選項(xiàng)字節(jié)加載

要使Option bytes區(qū)中選項(xiàng)字節(jié)生效，可通過以下方式對選項(xiàng)字節(jié)進(jìn)行加載：

l以下復(fù)位將觸發(fā)加載：

-POR/PDR復(fù)位

-退出Standby模式復(fù)位

l配置FLASH_CR寄存器中OBL_LAUNCH位為1啟動(dòng)加載，加載執(zhí)行時(shí)BSY標(biāo)志將自動(dòng)置1，加載完成后該標(biāo)志將自動(dòng)清0并觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位。

如果ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH中任意2個(gè)以上控制位同時(shí)置1，則不會啟動(dòng)對應(yīng)的操作，錯(cuò)誤標(biāo)志PESERR將置1。

在選項(xiàng)字節(jié)加載過程中，將自動(dòng)對選項(xiàng)字節(jié)及其反碼進(jìn)行校驗(yàn)，如果出現(xiàn)錯(cuò)誤，將維持復(fù)位狀態(tài)不再執(zhí)行任何操作，直到發(fā)生POR/PDR復(fù)位。

當(dāng)選項(xiàng)字節(jié)加載生效后，Option bytes區(qū)中的選項(xiàng)字節(jié)將被自動(dòng)復(fù)制到對應(yīng)的加載寄存器。讀取選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器，獲得的總是加載生效后的選項(xiàng)字節(jié)值。

5.5Flash安全保護(hù)機(jī)制

Flash存儲器支持以下安全保護(hù)機(jī)制：

lFlash讀出保護(hù)（RDP）：通過配置不同RDP保護(hù)等級，對存儲器的操作權(quán)限進(jìn)行限制。

lFlash代碼讀出保護(hù)（PCROP）：禁止對受保護(hù)的區(qū)域執(zhí)行讀取、編程或擦

除操作，僅允許取指操作。

lFlash寫入保護(hù)（WRP）：禁止對受保護(hù)的區(qū)域執(zhí)行編程或擦除操作，但允

許取指和讀取操作。

lFlash用戶安全區(qū)域：在復(fù)位后，用戶安全區(qū)域處于未保護(hù)狀態(tài)，可執(zhí)行

取指、讀取、編程和擦除操作。當(dāng)安全區(qū)域使能后，該區(qū)域不可見，禁止

對該區(qū)域執(zhí)行任何操作，直到重新復(fù)位。

5.5.1Flash讀出保護(hù)

5.5.1.1RDP保護(hù)權(quán)限

Flash讀出保護(hù)（RDP），共有三種保護(hù)等級：

RDP0：

l從User flash/SRAM啟動(dòng)

-User flash區(qū)：允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū)：僅允許取指

-Option bytes區(qū)：允許讀取、更新（通過選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器）

-OTP區(qū)：允許讀取、編程（每個(gè)字僅可編程一次）

-備份寄存器：允許讀取、寫入

l從Bootloader啟動(dòng)

-User flash區(qū)：允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū)：允許取指、讀取

-Option bytes區(qū)：允許讀取、更新（通過選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器）

-OTP區(qū)：禁止執(zhí)行任何操作

-備份寄存器：禁止執(zhí)行任何操作

l調(diào)試接口

-User flash區(qū)：允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū)：僅允許取指

-Option bytes區(qū)：允許讀取、更新（通過選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器）

-OTP區(qū)：允許讀取、編程（每個(gè)字僅可編程一次）

-備份寄存器：允許讀取、寫入

注意：從Bootloader啟動(dòng)時(shí)，禁用調(diào)試接口。

RDP1：

l從User flash啟動(dòng)

-User flash區(qū)：允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū)：僅允許取指

-Option bytes區(qū)：允許讀取、更新（通過選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器）

-OTP區(qū)：允許讀取、編程（每個(gè)字僅可編程一次）

-備份寄存器：允許讀取、寫入

l從Bootloader啟動(dòng)

-User flash區(qū)：僅允許取指

-System memory區(qū)：允許讀取、取指

-Option bytes區(qū)：允許讀取、更新（通過選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器）

-OTP區(qū)：禁止執(zhí)行任何操作

-備份寄存器：禁止執(zhí)行任何操作

l禁止從SRAM啟動(dòng)

l禁用調(diào)試接口

RDP2：

l從User flash啟動(dòng)

-User flash區(qū)：允許取指、讀取、編程、擦除

-System memory區(qū)：僅允許取指

-Option bytes區(qū)：僅允許讀取-

OTP區(qū)：允許讀取、編程（每個(gè)字僅可編程一次）

-備份寄存器：允許讀取、寫入

l禁止從Bootloader啟動(dòng)

l禁止從SRAM啟動(dòng)

l禁用調(diào)試接口

對于Flash存儲器，當(dāng)Flash控制器檢測到無權(quán)限的非法操作時(shí)，F(xiàn)LASH_SR寄 存器中的 ACERR錯(cuò)誤標(biāo)志將立刻置1，非法操作會被立刻終止，并產(chǎn)生總線訪 問錯(cuò)誤，觸發(fā) HardFault中斷。

對Option bytes區(qū)的更新，必須通過相應(yīng)的選項(xiàng)字節(jié)加載寄存器來完成。當(dāng)保護(hù)等級為 RDP2時(shí)，不允許更新該區(qū)域，此時(shí)如果FLASH_CR寄存器中的

OPTSTRT位被置1，則FLASH_SR寄存器中的ACERR錯(cuò)誤標(biāo)志將置1，wo對Option bytes區(qū)的操作將被終止，并產(chǎn)生總線訪問錯(cuò)誤，觸發(fā)HardFault中斷。

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審核編輯黃宇