國(guó)博電子：擬開(kāi)展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期建設(shè)
來(lái)源：國(guó)博電子
國(guó)博電子2月22日發(fā)布公告稱，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目整體規(guī)劃，公司擬使用自有或自籌資金購(gòu)買(mǎi)位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購(gòu)買(mǎi)金額和面積以實(shí)際出讓文件為準(zhǔn)），并開(kāi)展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期建設(shè)。
公告顯示，本次項(xiàng)目投資預(yù)計(jì)為6.98億元，其中土地使用權(quán)購(gòu)置費(fèi)預(yù)計(jì)0.40億元，設(shè)計(jì)采購(gòu)施工總承包費(fèi)用預(yù)計(jì)6.02億元。
據(jù)了解，射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資16.62億元，分兩期建設(shè)。目前一期已基本完成中試廠房、芯片廠房和模塊廠房的建設(shè)和工藝設(shè)備購(gòu)置。
深圳芯盛會(huì)
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審核編輯黃宇
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發(fā)表于 08-16 18:09
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