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高速ADC電源域

星星科技指導員 ? 作者:Umesh Jayamohan ? 2023-02-16 11:16 ? 次閱讀

Umesh Jayamohan

當今的射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器RF ADC)在采樣速率和可用帶寬方面取得了長足的進步。它們還包含更多的數(shù)字處理,并且在電源方面增加了復雜性。話雖如此,為什么當今的RF ADC中有這么多不同的電源軌和域?

要了解電源域和電源的激增,我們需要沿著ADC的歷史軌跡走一趟。在ADC只是ADC的時代,采樣速度較慢(10MHz),數(shù)字內(nèi)容量很小甚至不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及弄清楚如何將位傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路ASIC)或現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點是更高的幾何形狀,大約 180 nm 或更大。您可以從單個電壓軌(1.8 V)和兩個不同的域(分別用于模擬和數(shù)字域的AVDD和DVDD)中獲得足夠的性能。

隨著硅加工技術(shù)的改進,晶體管的幾何形狀減小,這意味著每毫米可以封裝更多的晶體管(換句話說,功能)2.但是,預計ADC仍有望實現(xiàn)與上一代ADC相同(或更好)的性能?,F(xiàn)在,ADC的設計采用了多方面的方法,其中:

必須提高采樣速度和模擬帶寬

性能必須與上一代相同或更好

有更多的片上數(shù)字處理來輔助數(shù)字接收邏輯

讓我們進一步討論這些特性中的每一個,以及它們?nèi)绾螌柙O計構(gòu)成挑戰(zhàn)。

對速度的需求

在CMOS技術(shù)中,最流行的更快(帶寬)的方法是更?。ňw管幾何形狀)。使用幾何形狀更精細的CMOS晶體管可以減少寄生效應,這有助于提高晶體管的速度。更快的晶體管意味著更寬的帶寬。數(shù)字電路中的功率與開關速度有直接關系,但與電源電壓呈平方關系。這由下面的等式顯示:

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哪里:

P為功耗

C勞工處是負載電容

V 為電源電壓

f西 南部是開關頻率

采用更精細的幾何形狀使電路設計人員能夠?qū)崿F(xiàn)更快的電路,同時保持與上一代產(chǎn)品相同的每MHz每個晶體管的功率。以AD9680和AD9695為例,它們分別采用65 nm和28 nm CMOS技術(shù)設計。在1.25 GSPS和1.3 GSPS時,AD9680和AD9695的燃燒功率分別為3.7 W和1.6 W。這表明,對于相同的架構(gòu),無論給予還是接受,相同的電路在28 nm工藝上消耗的功率約為65 nm工藝的一半。由此推論,您可以在 28 nm 工藝上以兩倍的速度運行相同的電路,就像在 65 nm 下運行相同的功率一樣。AD9208很好地說明了這一點。

凈空就是一切

雖然對更寬帶寬采樣的需求使得有必要轉(zhuǎn)向更精細的幾何結(jié)構(gòu),但對數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器性能(如噪聲和線性度)的期望仍然存在。這對模擬設計提出了獨特的挑戰(zhàn)。采用更小的幾何形狀的意外副作用是電源電壓的降低。這大大降低了開發(fā)模擬電路所需的裕量,這些電路需要在高采樣速率下工作并保持相同的噪聲/線性度性能。為了規(guī)避這一限制,電路設計有不同的電壓軌,以提供所需的噪聲和線性度性能。例如,在AD9208中,0.975 V電源為需要快速開關的電路供電。這包括比較器和其他相關電路,以及數(shù)字和驅(qū)動器輸出。1.9 V電源為基準電壓源和其他偏置電路供電。2.5 V電源為輸入緩沖器供電,這需要高裕量才能在高模擬頻率下工作。緩沖器不必采用2.5 V電源;它也可以在1.9 V電壓下工作。電壓軌的降低將導致線性度性能下降。對于數(shù)字電路,不需要動態(tài)余量,因為最重要的參數(shù)是速度。因此,數(shù)字電路通常以最低電源電壓運行,以利用CMOS開關速度和功耗。這在新一代ADC中很明顯,其中最低電壓軌低至0.975 V.下表1顯示了各代ADC的一些常見ADC。

產(chǎn)品 采樣率 (兆字節(jié)) 工藝節(jié)點(納米) 電壓軌 (V)
AD9467 250 180 1.8, 3.3 AVDD1, AVDD2, AVDD3, DRVDD
AD9625 2500 65 1.3, 2.5 AVDD1, AVDD2, DRVDD1, DRVDD2, DVDD1, DVDD2, DVDDIO, SPI_VDDIO
AD9208 3000 28 0.975, 1.9, 2.5 AVDD1, AVDD2, AVDD3, AVDD1_SR, DVDD, DRVDD1, DRVDD2, SPIVDD

隔離是關鍵

隨著向深亞微米技術(shù)和高速開關電路的轉(zhuǎn)變,功能的集成水平也得到了提高。以AD9467和AD9208為例。AD9467采用180 nm BiCMOS工藝,而AD9208采用28 nm CMOS工藝。當然,AD9467的噪聲密度約為–157 dBFS/Hz,而AD9208的噪聲密度約為–152 dBFS/Hz。但是,如果要做一個簡單的數(shù)據(jù)手冊練習,將總功耗(每通道)除以分辨率和采樣速率,則可以看到AD9467的功耗約為330 μW/位/MSPS,而AD9208僅消耗40 μW/位/MSPS。與AD9467相比,AD9208具有更高的采樣速率(3 GSPS與250 MSPS)、更高的輸入帶寬(9 GHz對0.9 GHz),以及更多的數(shù)字功能。AD9208完成所有這些工作,功耗約為1/8千每比特的功率,每個MSPS。每比特功耗、每MSPS功耗不是行業(yè)標準指標,在本例中用于指出在ADC設計中使用較小幾何尺寸工藝的優(yōu)勢。當您的超快電路在非常接近的地方運行時,各個模塊之間總是存在耦合或顫振的風險。為了改善隔離,設計人員必須考慮各種耦合機制。最明顯的機制是通過共享電源域。如果域盡可能遠離電路,則可以最大限度地降低數(shù)字電路與共享相同電壓軌(AD0中為975.9208 V)的模擬對應電路抖動的可能性。在硅中,電源已經(jīng)分開,接地也是如此。該封裝旨在始終延續(xù)這種隔離的電源域處理。這導致封裝顯示電源域和電源軌激增,如表2所示,以AD9208為例。

電壓域 電壓軌 (V) 描述
AVDD1 0.975 模擬電源
AVDD1_SR 0.975 用于 SYSREF 的模擬電源
AVDD2 1.9 模擬電源
AVDD3 2.5 模擬電源
DVDD 0.975 數(shù)字電源
DRVDD1 0.975 數(shù)字驅(qū)動器電源
DRVDD2 1.9 數(shù)字驅(qū)動器電源
SPIVDD 1.9 用于 SPI 的數(shù)字電源
AGND AVDD1、AVDD1_SR、AVDD2 和 AVDD3 的模擬接地回路
AGND1 時鐘域的接地參考
AGND2 SYSREF的接地參考±
AGND3 隔離接地;片上模擬域和數(shù)字域之間的屏障
DGND 用于 DVDD 和 SPIVDD 的數(shù)字接地回路
DRGND 用于 DRVDD1 和 DRVDD2 的數(shù)字驅(qū)動器接地回路

AD9208各種域的引腳排列圖如圖1所示。

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圖1.AD9208引腳配置(俯視圖)。

這可能會讓系統(tǒng)設計人員感到相當驚愕。乍一看,數(shù)據(jù)手冊給人的印象是,需要單獨處理這些域以優(yōu)化系統(tǒng)性能。

難道看不到盡頭嗎?

情況并不像看起來那么可怕。數(shù)據(jù)手冊的目的只是提醒人們注意各種敏感域,以便系統(tǒng)設計人員能夠關注PDN(供電網(wǎng)絡)設計并對其進行適當分區(qū)。共享同一電源軌的大多數(shù)電源域和接地域都可以組合,從而簡化PDN。這導致簡化的BOM(物料清單)和布局。根據(jù)設計限制,圖9208和圖2顯示了兩種設計AD3PDN的方法。

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圖2.顯示DC-DC轉(zhuǎn)換器LDO的PDNAD9208

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圖3.AD9208 PDN顯示了為所有域供電的DC-DC轉(zhuǎn)換器。

通過充分的濾波和布局分離,可以對各種域進行布局,從而最大限度地提高ADC的性能,同時降低BOM和PDN的復雜性。對各種接地域的開爾文連接方法也將改善隔離。從網(wǎng)表的角度來看,仍然只有一個GND網(wǎng)絡。該板可以分區(qū)到不同的接地域,以提供足夠的隔離。AD9208-3000EBZ是AD9208的評估板,對各種接地進行分區(qū),以便在第9層建立開爾文連接。AD9208-3000EBZ是一個10層PCB(印刷電路板),顯示了各種GND連接,其橫截面如圖4所示。

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圖4.AD9208—AD3000下的9208 EBZ PCB橫截面。

所以,這不是世界末日,不是嗎?

絕對不行。AD9208的數(shù)據(jù)手冊顯示了所有這些域,并不意味著它們必須在系統(tǒng)板上全部分開。了解系統(tǒng)性能目標和ADC目標性能將大大有助于優(yōu)化ADC的PDN。在電路板上使用智能分區(qū)以減少不必要的接地環(huán)路是將各種域之間的串擾降至最低的關鍵。在適用的情況下共享電源域,但請記住隔離要求將簡化 PDN 和 BOM。

審核編輯:郭婷

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