如何通過(guò)最小化熱回路PCB ESR和ESL來(lái)優(yōu)化開(kāi)關(guān)電源布局

Jingjing Sun, Ling Jiang, and Henry Zhang

對(duì)于電源轉(zhuǎn)換器，具有最小寄生參數(shù)的熱回路PCB布局可以提高電源效率，降低電壓振鈴，并減少電磁干擾（EMI）。本文討論如何通過(guò)最小化PCB等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL）來(lái)優(yōu)化熱回路布局設(shè)計(jì)。本文研究并比較了影響因素，包括去耦電容位置、功率FET尺寸和位置以及過(guò)孔布局。通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了分析的有效性，總結(jié)了最小化PCB ESR和ESL的有效方法。

熱回路和PCB布局寄生參數(shù)

開(kāi)關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器的熱回路定義為由HF電容和相鄰功率FET形成的關(guān)鍵高頻（HF）交流電流環(huán)路。它是功率級(jí)PCB布局中最關(guān)鍵的部分，因?yàn)樗遜v/dt和di/dt噪聲成分。設(shè)計(jì)不佳的熱回路布局會(huì)受到高水平的PCB寄生參數(shù)的影響，包括ESL、ESR和等效并聯(lián)電容（EPC），這些參數(shù)對(duì)功率轉(zhuǎn)換器的效率、開(kāi)關(guān)性能和EMI性能有重大影響。

圖1所示為同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器原理圖。熱回路由MOSFET M1和M2以及去耦電容C形成在.M1 和 M2 的開(kāi)關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生高頻 di/dt 和 dv/dt 噪聲。C在提供低阻抗路徑以旁路HF噪聲成分。然而，寄生阻抗（ESR，ESL）存在于元件封裝內(nèi)和熱回路PCB走線中。通過(guò)ESL的高di/dt噪聲會(huì)導(dǎo)致HF振鈴，進(jìn)而產(chǎn)生EMI。存儲(chǔ)在ESL中的能量在ESR上耗散，導(dǎo)致額外的功率損耗。因此，應(yīng)盡量減少熱回路PCB的ESR和ESL，以減少HF振鈴并提高效率。

準(zhǔn)確提取熱回路ESR和ESL有助于預(yù)測(cè)開(kāi)關(guān)性能并改進(jìn)熱回路設(shè)計(jì)。元件的封裝和PCB走線都會(huì)影響總環(huán)路寄生參數(shù)。這項(xiàng)工作主要集中在PCB布局設(shè)計(jì)上.用戶可以使用一些工具來(lái)提取PCB寄生參數(shù)，例如Ansys Q3D，F(xiàn)astHenry/FastCap，StarRC等。Ansys Q3D等商用工具可提供精確的仿真，但通常價(jià)格昂貴。FastHenry/FastCap是一款基于部分單元等效電路（PEEC）數(shù)值建模的免費(fèi)工具1并且可以通過(guò)編程提供靈活的仿真，以探索不同的布局設(shè)計(jì)，盡管需要額外的編碼。FastHenry/FastCap中寄生參數(shù)提取的有效性和準(zhǔn)確性已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，并與Ansys Q3D進(jìn)行了比較，結(jié)果一致。2,3在本文中，F(xiàn)astHenry 被用作提取 PCB ESR 和 ESL 的經(jīng)濟(jì)高效的工具。

圖1.具有熱回路 ESR 和 ESL 的降壓轉(zhuǎn)換器。

熱回路 PCB ESR 和 ESL 與去耦電容器位置的關(guān)系

在本節(jié)中，C 的影響在基于ADI公司的LTM4638 μModule穩(wěn)壓器演示板DC2665A-B對(duì)位置進(jìn)行了研究。LTM4638 是一款集成式 20 V?在、15 A 降壓型降壓轉(zhuǎn)換器模塊，采用微型 6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm BGA 封裝。它具有高功率密度、快速瞬態(tài)響應(yīng)和高效率。該模塊集成了一個(gè)小型HF陶瓷C在內(nèi)部，雖然還不夠，但受模塊封裝尺寸的限制。圖 2 至 4 顯示了演示板上的三種不同熱回路以及額外的外部 C在.第一個(gè)是垂直熱回路 1（圖 2），其中 C合1放置在μModule穩(wěn)壓器正下方的底層。The μModule V在和接地 BGA 引腳連接到 C合1直接通過(guò)過(guò)孔。這些連接提供了演示板上最短的熱回路路徑。第二個(gè)熱回路是垂直熱回路 2（圖 3），其中 C合2仍放置在底層，但移至μModule穩(wěn)壓器的側(cè)面區(qū)域。因此，在熱回路中增加了一條額外的PCB走線，與垂直熱回路1相比，預(yù)計(jì)ESL和ESR更大。第三個(gè)熱回路選項(xiàng)是水平熱回路（圖 4），其中 C合3放置在靠近μModule穩(wěn)壓器的頂層。The μModule V在和 GND 引腳連接到 C合3通過(guò)頂層銅而不通過(guò)過(guò)孔。盡管如此，V在頂層的銅寬受另一個(gè)引腳排列的限制，導(dǎo)致與垂直熱回路1相比，環(huán)路阻抗增加。表1比較了FastHenry提取的PCB ESR和熱回路的ESL。正如預(yù)期的那樣，垂直熱回路 1 具有最低的 PCB ESR 和 ESL。

圖2.垂直熱回路 1：（a） 頂視圖和 （b） 側(cè)視圖。

圖3.垂直熱回路 2：（a） 頂視圖和 （b） 側(cè)視圖。

圖4.水平熱回路：（a） 頂視圖和 （b） 側(cè)視圖。

為了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證不同熱回路中的ESR和ESL，演示板效率和V在測(cè)試12 V至1 V CCM操作下的交流紋波。從理論上講，較低的ESR導(dǎo)致更高的效率，而較小的ESL導(dǎo)致更高的V西 南部振鈴頻率和較低的V在漣漪幅度。圖5a顯示了測(cè)得的效率。垂直熱回路 1 提供與最低 ESR 相對(duì)應(yīng)的最高效率。水平熱回路和垂直熱回路1之間的損耗差也是基于提取的ESR計(jì)算的，這與圖5b所示的測(cè)試結(jié)果一致。五世在圖5c中的HF紋波波形是跨C測(cè)試的在.水平熱回路具有更高的V在紋波幅度和較低的振鈴頻率，從而驗(yàn)證了與垂直熱回路 1 相比更高的環(huán)路 ESL。此外，由于環(huán)路ESR較高，V在水平熱回路中的波紋比垂直熱回路 1 中的波紋衰減得更快。此外，較低的V在紋波可降低 EMI，并允許更小的 EMI 濾波器尺寸。

圖5.演示板測(cè)試結(jié)果：（a） 效率，（b） 水平環(huán)路和垂直環(huán)路 1 之間的損耗差異，以及 （c） V在M1 導(dǎo)通期間紋波，輸出電流為 15 A。

熱回路 PCB ESR 和 ESL 與 MOSFET 的尺寸和位置

對(duì)于分立式設(shè)計(jì)，功率FET的布局和封裝尺寸也會(huì)對(duì)熱回路ESR和ESL產(chǎn)生重大影響。典型的半橋熱回路，功率FET M1和M2以及去耦電容C在在本節(jié)中建模和調(diào)查。如圖6所示，比較了常用的功率FET封裝尺寸和放置位置。表 2 顯示了每種情況下提取的 ESR 和 ESL。

案例（a）至（c）展示了三種流行的功率FET布局，分別采用5 mm×6 mm MOSFET。熱回路的物理長(zhǎng)度決定了寄生阻抗。因此，案例 （b） 中的 90° 形狀放置和案例 （c） 中的 180° 形狀設(shè)備放置都會(huì)導(dǎo)致 ESR 降低 60% 和 ESL 降低 80%，因?yàn)榕c案例 （a） 中的環(huán)路路徑相比更短。由于 90° 形狀放置顯示出好處，因此根據(jù)案例 （b） 研究了更多案例，以進(jìn)一步降低環(huán)路 ESR 和 ESL。在情況（d）中，5 mm × 6 mm MOSFET被兩個(gè)并聯(lián)的3.3 mm ×3.3 mm MOSFET取代。由于 MOSFET 占位面積更小，環(huán)路長(zhǎng)度進(jìn)一步縮短，從而將環(huán)路阻抗降低了 7%。在案例（e）中，當(dāng)在熱回路層下放置接地層時(shí)，與案例（d）相比，熱回路ESR和ESL進(jìn)一步降低了2%。原因是在接地層產(chǎn)生渦流，從而感應(yīng)出相反的磁場(chǎng)并等效地降低環(huán)路阻抗。在情況（f）中，另一個(gè)熱回路層被構(gòu)造為底層。如果將兩個(gè)并聯(lián)的MOSFET對(duì)稱放置在頂層和底層并通過(guò)過(guò)孔連接，則由于并聯(lián)阻抗，熱回路PCB ESR和ESL降低更為明顯。因此，在頂層和底層具有對(duì)稱 90° 形狀或 180° 形狀放置的較小尺寸器件可實(shí)現(xiàn)最低的 PCB ESR 和 ESL。

為了通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證MOSFET布局的影響，使用了ADI公司的高效率、4開(kāi)關(guān)同步降壓-升壓控制器演示板LT8390/DC2825A和LT8392/DC2626A.4如圖7a和圖7b所示，DC2825A具有直MOSFET布局，DC2626A具有90°形狀MOSFET布局。為了進(jìn)行公平比較，兩款演示板配置了相同的MOSFET和去耦電容，并在36 V至12 V/10 A、300 kHz降壓操作下進(jìn)行了測(cè)試。圖 7c 顯示了測(cè)試的 V在M1導(dǎo)通時(shí)刻的交流紋波。通過(guò) 90° 形狀的 MOSFET 放置，V在紋波具有較低的幅度和較高的諧振頻率，因此由于熱回路路徑較短，驗(yàn)證了較小的PCB ESL。相反，由于更長(zhǎng)的熱回路和更高的ESL，直MOSFET的放置導(dǎo)致更高的V在紋波幅度和較慢的諧振頻率。根據(jù)Cho和Szokusha研究中的EMI測(cè)試結(jié)果，較高的輸入電壓紋波也會(huì)導(dǎo)致更嚴(yán)重的EMI發(fā)射。4

圖6.熱回路多氯聯(lián)苯型號(hào)：（a） 5 mm × 6 mm MOSFET，直線放置;（b） 5毫米×6毫米MOSFET，呈90°形狀放置;（c） 5°形狀放置的6毫米×180毫米MOSFET;（d） 兩個(gè)平行的3.3毫米×3.3毫米MOSFET，呈90°形狀放置;（e） 兩個(gè)平行的3.3毫米×3.3毫米MOSFET，與接地層呈90°形狀放置;（f） 在頂層和底層以 3° 形狀放置對(duì)稱的 3.3 毫米× 3.90 毫米 MOSFET。

圖7.（a） LT8390/DC2825A 熱回路，具有直 MOSFET 放置;（b） LT8392/DC2626A 熱回路，放置 90° MOSFET;（c） 五在M1導(dǎo)通時(shí)的紋波波形。

圖8.熱回路 PCB 型號(hào)，（a） 五個(gè) GND 過(guò)孔靠近 C在和 M2;（b） 14 個(gè) GND 過(guò)孔放置在 C 之間在和 M2;（c） 根據(jù)（b）在GND上再放置6個(gè)過(guò)孔;（d） 根據(jù) （c） 在 GND 區(qū)域再放置 <> 個(gè)過(guò)孔。

熱回路 PCB ESR 和 ESL 與通孔貼裝

熱回路中的過(guò)孔位置對(duì)環(huán)路ESR和ESL也有關(guān)鍵影響。如圖8所示，對(duì)具有兩層PCB結(jié)構(gòu)和直功率FET放置的熱回路進(jìn)行了建模。FET放置在頂層，第二層是接地層。寄生阻抗Z2在C之間在GND焊盤和M2源焊盤是熱回路的一部分，并作為示例進(jìn)行研究。Z2 提取自 FastHenry。表3總結(jié)并比較了模擬的ESR2和 ESL2具有不同的過(guò)孔位置。

通常，增加更多過(guò)孔會(huì)降低PCB寄生阻抗。然而，ESR的降低2和 ESL2與過(guò)孔數(shù)量不成線性比例。靠近端子焊盤的通孔可最明顯地降低 PCB ESR 和 ESL。因此，對(duì)于熱回路布局設(shè)計(jì)，必須將幾個(gè)關(guān)鍵過(guò)孔放置在靠近C焊盤的位置在和 MOSFET，以最大限度地降低 HF 環(huán)路阻抗。

結(jié)論

降低熱回路的寄生參數(shù)有助于提高電源效率、降低電壓振鈴并降低EMI。為了最小化PCB寄生參數(shù)，研究并比較了具有不同去耦電容位置、MOSFET尺寸和位置以及通孔布局的熱回路布局設(shè)計(jì)。較短的熱回路路徑、更小尺寸的 MOSFET、對(duì)稱的 90° 形狀和 180° 形狀 MOSFET 布局以及靠近關(guān)鍵元件的通孔有助于實(shí)現(xiàn)最低的熱回路 PCB ESR 和 ESL。

審核編輯：郭婷