當然可以，最小化熱回路PCB
對于功率轉換器 電阻 電容
開關模式功率轉換器的熱回路是指由高頻(HF)電容和相鄰功率FET形成的臨界高頻交流電流
圖1顯示了同步降壓DC MOSFET 準確提取熱回路的ESR和ESL，有助于預測開關性能并改進熱回路設計。器件的封裝和PCB走線均會影響回路的總寄生參數(shù)。本文主要關注PCB布局設計。有一些工具可幫助用戶提取PCB寄生參數(shù)，例如Ansys Q3D、FastHenry/FastCap、StarRC等。Ansys Q3D之類的商用工具可提供準確的仿真 編程
圖1.帶熱回路ESR和ESL的降壓轉換器
本部分基于ADI IN 位置的影響。LTM4638是一款集成式20 VIN 、15 A降壓型轉換器模塊，采用小型6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm BGA封裝。它具有高功率密度、快速瞬態(tài)響應和高效率特性。模塊內部集成了一個小的高頻陶瓷CIN ，不過受限于模塊封裝尺寸，這還不夠。圖2至圖4展示了演示板上的三種不同熱回路，這些熱回路使用了額外的外部CIN 。第一種是垂直熱回路1（圖2），其中CIN1 放置在μModule穩(wěn)壓器下方的底層。μModule VIN 和GND BGA引腳通過過孔直接連接到CIN1 。這些連接提供了演示板上的最短熱回路路徑。第二種熱回路是垂直熱回路2（圖3），其中CIN2 仍放置在底層，但移至μModule穩(wěn)壓器的側面區(qū)域。其結果是，與垂直熱回路1相比，該熱回路添加了額外的PCB走線，預計ESL和ESR更大。第三種熱回路選項是水平熱回路（圖4），其中CIN3 放置在靠近μModule穩(wěn)壓器的頂層。μModule VIN 和GND引腳通過頂層銅連接到CIN3 ，而不經(jīng)過過孔。然而，頂層的VIN 銅寬度受其他引腳排列的限制，導致回路阻抗高于垂直熱回路1。表1比較了FastHenry提取的熱回路 PCB ESR和ESL。正如預期的那樣，垂直熱回路1的PCB ESR和ESL最低。
圖2.垂直熱回路1：(a)俯視圖和(b)側視圖
圖3.垂直熱回路2：(a)俯視圖和(b)側視圖
圖4.水平熱回路：(a)俯視圖和(b)側視圖
表1.使用FastHenry提取的不同熱回路的PCB ESR和ESL
為了通過實驗驗證不同熱回路的ESR和ESL，我們測試了12V轉1V CCM運行時演示板的效率和VIN 交流紋波。理論上，ESR越低，則效率越高，而ESL越小，則VSW振鈴頻率越高，VIN 紋波幅度越低。圖5a顯示了實測效率。垂直熱回路1的效率最高，因為其ESR最低。水平熱回路和垂直熱回路1之間的損耗差異也是基于提取的ESR計算的，這與圖5b所示的測試結果一致。圖5c中的VIN HF紋波波形是在CIN 上測試的。水平熱回路具有更高的VIN 紋波幅度和更低的振鈴頻率，因此驗證了其回路ESL高于垂直熱回路1。另外，由于回路ESR更高，因此水平熱回路的VIN 紋波衰減速度快于垂直熱回路1。此外，較低的VIN 紋波降低了EMI，因而可以使用較小的EMI濾波器
圖5.演示板測試結果：(a)效率，(b)水平回路與垂直回路1之間的損耗差異，(c)15A輸出時M1導通期間的VIN 紋波
表2.對于不同器件形狀和位置，使用FastHenry提取的熱回路PCB ESR和ESL
熱回路PCB ESR和ESL與MOSFET尺寸和位置的關系 對于分立式設計，功率FET的布置和封裝尺寸對熱回路ESR和ESL也有重大影響。本部分對使用功率FET M1和M2以及解耦電容C IN 的典型半橋熱回路進行了建模和研究。圖6比較了常見功率FET封裝尺寸和放置位置。表2顯示了每種情況下提取的ESR和ESL。 情況(a)至(c)展示了三種常見功率FET布置，其中采用5 mm × 6 mm MOSFET。熱回路的物理長度決定了寄生阻抗。與情況(a)相比，情況(b)中的90°形狀布置和情況(c)中的180°形狀布置的回路路徑更短，導致ESR降低60%，ESL降低80%。由于90°形狀布置顯示出了優(yōu)勢，我們基于情況(b)研究了更多情況，以進一步降低回路ESR和ESL。情況(d)將一個5 mm × 6 mm MOSFET替換為兩個并聯(lián)的3.3mm × 3.3mm MOSFET。由于MOSFET尺寸更小，回路長度進一步縮短，導致回路阻抗降低7%。情況(e)將一個接地層放置在熱回路層下方，與情況(d)相比，熱回路ESR和ESL進一步降低2％。原因是接地層上產(chǎn)生了渦流，其感應出相反的磁場，相當于降低了回路阻抗。情況(f)構建了另一個熱回路層作為底層。如果將兩個并聯(lián)MOSFET對稱布置在頂層和底層，并通過過孔連接，則由于并聯(lián)阻抗，熱回路PCB ESR和ESL的降低更加明顯。因此，在頂層和底層上以對稱90°形狀或180°形狀布置較小尺寸的器件，可以獲得最低的PCB ESR和ESL。
為了通過實驗驗證MOSFET布置的影響，我們使用了AD IN 交流紋波。采用90°形狀的MOSFET布置時，VIN 紋波的幅度更低，諧振頻率更高，這就驗證了熱回路路徑較短導致PCB ESL更小。相反，直線MOSFET布置的熱回路更長，ESL更高，導致VIN 紋波幅度要高得多，并且諧振頻率更低。根據(jù)Cho和Szokusha研究的EMI測試結果，較高的輸入電壓紋波還會導致EMI輻射更嚴重。
圖6.熱回路PCB模型：(a)5mm×6mm MOSFET，直線布置；(b)5mm×6mm MOSFET，以90°形狀布置；(c)5mm×6mm MOSFET，以180°形狀布置；(d)兩個并聯(lián)的3.3mm×3.3mm MOSFET，以90°形狀布置；(e)兩個并聯(lián)的3.3mm×3.3mm MOSFET，以90°形狀布置，帶有接地層；(f)對稱的3.3mm×3.3mm MOSFET，位于頂層和底層，以90°形狀布置。
圖7.(a) LT8390/DC2825A熱回路，MOSFET以直線布置；(b) LT8392/DC2626A熱回路，MOSFET以90°形狀布置；(c) M1導通時的VIN 紋波波形。
圖8.熱回路PCB模型，(a) 5個GND過孔靠近CIN和M2布置；(b) 14個GND過孔布置在CIN和M2之間；(c) 基于(b)，GND上再布置6個過孔；(d) 基于(c)，GND區(qū)域上再布置9個過孔。
熱回路中的過孔布局對回路ESR和ESL也有重要影響。圖8對使用兩層PCB結構和直線布置功率FET的熱回路進行了建模。FET放置在頂層，第二層是接地層。CIN GND焊盤和M2源極焊盤之間的寄生阻抗Z2是熱回路的一部分，作為示例進行研究。Z2是從FastHenry提取的。表3總結并比較了不同過孔布置的仿真ESR2 和ESL2 。
通常，添加更多過孔會降低PCB寄生阻抗。然而，ESR2和ESL2的降低程度與過孔數(shù)量并不是線性比例關系?？拷_焊盤的過孔，所導致的PCB ESR和ESL的降低最明顯。因此，對于熱回路布局設計，必須將幾個關鍵過孔布置在靠近CIN和MOSFET焊盤的位置，以使高頻回路阻抗最小。 表3.使用不同過孔布置時提取的熱回路PCB ESR2 和ESL2
減小熱回路的寄生參數(shù)有助于提高電源效率，降低電壓振鈴，并減少EMI。為了盡量減小PCB寄生參數(shù)，我們研究并比較了使用不同解耦電容位置、MOSFET尺寸和位置以及過孔布置的熱回路布局設計。更短的熱回路路徑、更小尺寸的MOSFET、對稱的90°形狀和180°形狀MOSFET布置、靠近關鍵元器件
原文標題：如何通過最小化熱回路來優(yōu)化開關電源布局?
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