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如何在射頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超快速電源暫態(tài)響應(yīng)?

江師大電信小希 ? 來源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2023-01-03 10:24 ? 次閱讀

信號處理單元和片上系統(tǒng)(SoC)單元通常具有突然變化的負(fù)載瞬態(tài)變化。這種負(fù)載瞬態(tài)變化將干擾電源電壓,而電源電壓在射頻(RF)應(yīng)用中極其重要,因?yàn)樽兓碾娫措妷簳叨扔绊?a href="http://wenjunhu.com/tags/時(shí)鐘/" target="_blank">時(shí)鐘頻率。因此,射頻片上系統(tǒng)(RFSoC)通常在負(fù)載瞬態(tài)過程中使用消隱時(shí)間。在5G應(yīng)用中,信息質(zhì)量與過渡區(qū)間中的消隱時(shí)間高度相關(guān)。因此,對于任何射頻片上系統(tǒng)來說,越來越需要減少電源側(cè)的負(fù)載瞬態(tài)效應(yīng),以提高系統(tǒng)級性能。

用于射頻應(yīng)用的快速瞬態(tài)Silent Switcher 3系列

實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)電源軌的最直接方法之一是選擇具有快速瞬態(tài)性能的穩(wěn)壓器。Silent Switcher 3系列IC具有極低頻輸出噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)、低EMI輻射和高效的特性。它采用超高性能誤差放大器設(shè)計(jì),即使采用激進(jìn)的補(bǔ)償方法也能提供額外的穩(wěn)定性。4MHz的最大開關(guān)頻率使IC能夠在固定頻率峰值電流控制模式下將控制環(huán)路的帶寬推至50kHz的范圍。表1列出了設(shè)計(jì)人員可以選擇用以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)性能的Silent Switcher 3 IC。

表1. Silent Switcher 3系列參數(shù)

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圖1顯示了用于5G RFSoC的典型 1 V 輸出電源,其基于LT8625SP,需要同時(shí)具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和低紋波/噪聲水平。1 V負(fù)載由發(fā)射/接收相關(guān)電路以及本振(LO)和壓控振蕩器(VCO)組成。在頻分雙工(FDD)操作中,發(fā)射/接收負(fù)載會經(jīng)歷負(fù)載電流的突然變化。與此同時(shí),LO/VCO負(fù)載恒定,但要求高精度和低噪聲,這很關(guān)鍵。LT8625SP的高帶寬特性使設(shè)計(jì)人員能夠用第二電感(L2)分隔動態(tài)負(fù)載和靜態(tài)負(fù)載,從而用單個(gè)IC為兩個(gè)關(guān)鍵的1 V負(fù)載組供電。圖2顯示了具有4 A至6 A動態(tài)負(fù)載瞬態(tài)的輸出電壓響應(yīng)。動態(tài)負(fù)載在5 μs內(nèi)恢復(fù),不到0.8%的峰峰值電壓,這對靜態(tài)負(fù)載側(cè)的影響極小,不到0.1%的峰峰值電壓。可以修改此電路以支持其他輸出組合,例如0.8 V和1.8 V;由于低頻范圍內(nèi)的超低噪聲、低電壓紋波和超快速瞬態(tài)響應(yīng),它們都能直接為RFSoC負(fù)載供電,而無需LDO穩(wěn)壓器級。

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圖1.LT8625SP的典型應(yīng)用電路,動態(tài)/靜態(tài)射頻負(fù)載分離

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圖2.負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)很快,VOUT偏差極小,不會影響靜態(tài)負(fù)載

在時(shí)分雙工(TDD)模式下,噪聲關(guān)鍵的LO/VCO會隨著發(fā)射/接收模式的變化而加載和卸載。因此,可以使用圖3所示的簡化電路,因?yàn)樗胸?fù)載都被視為動態(tài)負(fù)載,同時(shí)需要更關(guān)鍵的后置濾波來保持LO/VCO的低紋波/低噪聲特性。饋通模式下的3端子電容可用于實(shí)現(xiàn)足夠的后置濾波,其最小化的等效L可保持負(fù)載瞬態(tài)的快速帶寬。饋通電容與遠(yuǎn)端輸出電容一起形成另外兩個(gè)LC濾波級,而所有L都來自3端子電容的ESL,它非常小,對負(fù)載瞬態(tài)的危害較小。圖3還展示了Silent Switcher 3系列的簡單遠(yuǎn)程檢測連接。由于獨(dú)特的參考生成和反饋技術(shù),只需將SET引腳電容(C1)的接地和OUTS引腳開爾文連接到所需的遠(yuǎn)程反饋點(diǎn)。這種連接不需要電平轉(zhuǎn)換電路。圖4顯示了1 A負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)波形,恢復(fù)時(shí)間小于5 μs,輸出電壓紋波小于1 mV。

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圖3.LT8625SP的典型應(yīng)用電路,動態(tài)/靜態(tài)射頻負(fù)載合并

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圖4.饋通電容可提升瞬態(tài)響應(yīng),同時(shí)保持最小輸出電壓紋波

預(yù)充電信號驅(qū)動Silent Switcher 3系列以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)

在某些情況下,信號處理單元功能強(qiáng)大,具有足夠的GPIO,并且信號處理安排得當(dāng),因?yàn)榭梢蕴崆爸浪矐B(tài)事件。這通常發(fā)生在一些FPGA電源設(shè)計(jì)中,其中可以生成預(yù)充電信號以幫助驅(qū)動電源瞬態(tài)響應(yīng)。圖5顯示了一個(gè)典型應(yīng)用電路,其使用FPGA生成的預(yù)充電信號在實(shí)際負(fù)載轉(zhuǎn)換發(fā)生之前提供偏置,以便LT8625SP有額外的時(shí)間來適應(yīng)負(fù)載擾動,而不會出現(xiàn)太大的VOUT偏差和恢復(fù)時(shí)間。由于預(yù)充電信號對反饋造成干擾,因此省略了從FPGA的GPIO到逆變器輸入的調(diào)諧電路。電平控制為35 mV。此外,為了避免預(yù)充電信號對穩(wěn)態(tài)的影響,在預(yù)充電信號和OUTS之間設(shè)置了一個(gè)高通濾波器。圖6顯示了1.7 A至4.2 A負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)波形。預(yù)充電信號在實(shí)際負(fù)載瞬態(tài)之前施加到反饋(OUTS),而恢復(fù)時(shí)間小于5 μs。

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圖 5. T8625SP 將預(yù)充電信號饋入 OUTS 引腳以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)

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圖6.預(yù)充電信號和負(fù)載瞬態(tài)同時(shí)影響LT8625SP,實(shí)現(xiàn)快速恢復(fù)時(shí)間

電路主動降壓以實(shí)現(xiàn)超快速恢復(fù)瞬態(tài)

在波束形成器應(yīng)用中,電源電壓為適應(yīng)不同的功率水平時(shí)刻變化。因此,對電源電壓的精度要求通常為5%至10%的區(qū)間。在此應(yīng)用中,穩(wěn)定性比電壓精度更重要,因?yàn)樵谪?fù)載瞬態(tài)期間最小化恢復(fù)時(shí)間將最大限度地提高數(shù)據(jù)處理效率。降壓電路非常適合此應(yīng)用,因?yàn)橄陆惦妷嚎蓽p少甚至消除恢復(fù)時(shí)間。如圖7所示LT8627SP的主動降壓電路的原理圖。在誤差放大器的負(fù)輸入端(OUTS)和輸出端(VC)之間添加了一個(gè)額外的降壓電阻,以在瞬態(tài)期間保持反饋控制環(huán)路中的穩(wěn)態(tài)誤差。下降電壓可表示為:

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圖7.LT8627SP的OUTS和VC之間放置一個(gè)主動降壓電阻,以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)恢復(fù)時(shí)間

ΔVOUT是負(fù)載瞬態(tài)引起的初始電壓變化,ΔIOUT是負(fù)載瞬態(tài)電流,g是用于切換電流增益的VC引腳。設(shè)計(jì)圖7所示的降壓電路時(shí),需要特別考慮以下幾點(diǎn):

● 下降電流不應(yīng)超過VC引腳電流限值。對于LT8627SP的誤差放大器輸出,最好將電流限制在200μA以下以避免飽和,這可以通過改變R7和R8的值來實(shí)現(xiàn)。

● 下降電壓需要適應(yīng)輸出電容,以便瞬態(tài)期間的電壓偏差與下降電壓大致接近,從而在瞬態(tài)期間實(shí)現(xiàn)最短恢復(fù)時(shí)間。

圖8顯示了上述電路在1 A至16 A至1 A負(fù)載瞬態(tài)期間的典型波形。值得注意的是,現(xiàn)在16 A至1 A負(fù)載瞬態(tài)速度不再受帶寬限制,但受穩(wěn)壓器最短導(dǎo)通時(shí)間限制。

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圖8.可以實(shí)現(xiàn)降壓瞬態(tài)響應(yīng),以最大限度地縮短LT8627SP的瞬態(tài)恢復(fù)時(shí)間

結(jié)論

由于高速信號處理的時(shí)間關(guān)鍵特性,無線射頻領(lǐng)域變得越來越依賴計(jì)算,并且對瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間敏感。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師面臨的挑戰(zhàn)是提高電源瞬態(tài)響應(yīng)速度,以使消隱時(shí)間最小化。Silent Switcher 3系列是新一代單片穩(wěn)壓器,針對無線、工業(yè)、防務(wù)和醫(yī)療健康領(lǐng)域的噪聲敏感、強(qiáng)動態(tài)負(fù)載瞬態(tài)解決方案進(jìn)行了優(yōu)化。根據(jù)負(fù)載條件,可以應(yīng)用特殊技術(shù)和電路來進(jìn)一步改善瞬態(tài)響應(yīng)。

審核編輯:湯梓紅

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