金譽(yù)半導(dǎo)體在接到客戶咨詢關(guān)于MOS管的時(shí)候,總會(huì)被問(wèn)到一個(gè)問(wèn)題:怎么選擇合適的MOS管?關(guān)于這一個(gè)問(wèn)題,金譽(yù)半導(dǎo)體昨天針對(duì)這個(gè)問(wèn)題,在電壓、電流方面已經(jīng)做出了部分解釋,今天我們來(lái)看其他方面的影響。
確定N、P溝道的選擇
選型之前我們要清楚MOS管的原理:MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式,即N溝道型和P溝道型,結(jié)構(gòu)不一樣,使用的電壓極性也會(huì)不一樣,因此,在確定選擇哪種產(chǎn)品前,首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。
MOS管的兩種結(jié)構(gòu):N溝道型和P溝道型
由于制造工藝的原因,P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導(dǎo)通電阻,這意味著導(dǎo)通功耗會(huì)更大。這是選擇時(shí)需要注意的地方。一般而言,如果是低邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用,使用N溝MOS管是首選,驅(qū)動(dòng)方便,選擇靈活。如果是高邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用,P溝MOS管驅(qū)動(dòng)相對(duì)簡(jiǎn)單,但導(dǎo)通電阻相對(duì)較大,價(jià)格相對(duì)較高。N溝MOS管驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜,一般需要額外的電源或者自動(dòng)驅(qū)動(dòng)。
確定熱要求
散熱要求方面設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況:最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù),比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,以及最大的結(jié)溫。
器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積,即結(jié)溫=最大環(huán)境溫度(熱阻×功率耗散)。根據(jù)這個(gè)方程可解出系統(tǒng)的最大功率耗散=I2×RDS(ON)。
由于設(shè)計(jì)人員已確定將要通過(guò)器件的最大電流,因此可以計(jì)算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是,在處理簡(jiǎn)單熱模型時(shí),設(shè)計(jì)人員還必須考慮半導(dǎo)體結(jié)/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量;即要求印刷電路板和封裝不會(huì)立即升溫。
確定開(kāi)關(guān)性能
選擇MOS管的最后一步是確定其開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)這些電容充電,會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗;MOS管的開(kāi)關(guān)速度也因此被降低,器件效率隨之下降;其中,柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大。
為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗,設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff),進(jìn)而推導(dǎo)出MOS管開(kāi)關(guān)總功率:Psw=(EonEoff)×開(kāi)關(guān)頻率。
封裝因素考量
不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率,需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度(如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素),基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下,選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。
小到選N型還是P型、封裝類型,大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等,不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化,工程師在選擇MOS管時(shí),一定要依據(jù)電路設(shè)計(jì)需求及MOS管工作場(chǎng)所來(lái)選取合適的MOS管,從而獲得最佳的產(chǎn)品設(shè)計(jì)體驗(yàn)。當(dāng)然,在考慮性能的同時(shí),成本也是選擇的因素之一,只有高性價(jià)比的產(chǎn)品,才能讓工程師設(shè)計(jì)的產(chǎn)品在品質(zhì)與收益中達(dá)到平衡。
審核編輯:湯梓紅
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