No.1 案例背景
某QFP器件發(fā)生不良,不良率約10%,初步判斷為接地焊點(diǎn)可能存在虛焊現(xiàn)象。
No.2 分析過(guò)程
Part.1 X-Ray觀察
0°觀察
傾斜45°觀察
說(shuō)明:對(duì)樣品進(jìn)行X-ray檢測(cè),接地部分呈現(xiàn)明顯的陰影霧狀,可能存在虛焊問(wèn)題。
Part.2 接地焊盤(pán)切片斷面分析
接地焊點(diǎn)切片分析圖
說(shuō)明:通過(guò)切片斷面分析,部品的一側(cè)焊點(diǎn)有明顯虛焊,焊錫與器件鍍層未互熔,虛焊點(diǎn)兩側(cè)有明顯錫填充不足的現(xiàn)象。
切片斷面測(cè)量
說(shuō)明:部品底部焊盤(pán)到PCB側(cè)焊盤(pán)距離為0.11㎜,部品底部到引腳底部的距離為0.11㎜。
Part.3 SEM形貌分析
端子側(cè)焊點(diǎn)未融合SEM圖示
說(shuō)明:器件鍍層和焊錫之間存在約5μm的縫隙,界面狀態(tài)顯示二者有作用過(guò),但未互熔,形成了自然狀態(tài)的冷卻形貌。
PCB側(cè)的IMC狀態(tài)分析SEM圖示
說(shuō)明:圖示位置PCB側(cè)焊錫IMC層狀態(tài),整體連續(xù)、致密,平均厚度約在3μm左右。
Part.4 EDS成分分析
焊錫未融合處成分
說(shuō)明:EDS分析結(jié)果,鍍層面主要有Sn、Cu元素,未檢出異常成分。
PCB側(cè)IMC成分
說(shuō)明:PCB側(cè)為IMC層Ni(18.52)、Sn(76.39%)、Cu(5.09%),無(wú)異常元素。
器件接地焊盤(pán)鍍層成分
說(shuō)明:從接地焊盤(pán)鍍層的分析判斷,器件接地鍍層為Sn(純錫)。
Part.5 其他因素對(duì)焊錫的影響
器件尺寸
影響接地焊接的關(guān)鍵尺寸:A1 Standoff,器件接地焊盤(pán)到端子底部的距離。
說(shuō)明:上述A1尺寸的測(cè)量結(jié)果顯示,A1尺寸均接近0.1mm。發(fā)生虛焊產(chǎn)品使用的鋼網(wǎng)厚度為0.11mm
A1尺寸的影響:
在開(kāi)口面積稍大的情況下,錫膏印刷的厚度一般會(huì)≤0.11mm,回流后由于錫膏體積變小,會(huì)發(fā)生塌陷。
若A1尺寸偏大,則存在錫膏和接地焊盤(pán)不能充分接觸的風(fēng)險(xiǎn)。
回流溫度
說(shuō)明:失效樣對(duì)象品生產(chǎn)時(shí)采用的替代測(cè)溫標(biāo)本,且器件接地部分未監(jiān)控溫度,后續(xù)制作對(duì)應(yīng)測(cè)溫標(biāo)本,針對(duì)接地點(diǎn)的溫度實(shí)際測(cè)試如上圖所示。最高溫度246.5℃,220℃以上時(shí)間60s,232℃以上時(shí)間40.5s。從焊接溫度的適合性上判斷,即使器件鍍層為純錫,該溫度也不會(huì)引起虛焊問(wèn)題(液相時(shí)間充足)。
No.3 分析結(jié)果
失效原因分析
綜合上述檢測(cè)結(jié)果,對(duì)接地虛焊的失效原因分析如下:
1.失效特征:焊錫與器件接地焊盤(pán)鍍層虛焊,二者未互熔,虛焊點(diǎn)兩側(cè)有明顯錫填充不足的現(xiàn)象。但從形貌分析,二者在回流過(guò)程中有相互接觸作用,形成了凹凸?fàn)?,如下圖:
2.對(duì)器件關(guān)鍵尺寸和回流溫度的分析,器件A1尺寸接近0.1mm,使用的鋼網(wǎng)厚度0.11mm,存在錫膏與器件接地部分接觸不充分的隱患。
基于以上測(cè)試及分析判斷,導(dǎo)致器件接地焊盤(pán)虛焊的原因?yàn)樵谄骷tandoff A1尺寸偏大的情況下,鋼網(wǎng)接地部分的厚度為0.11mm,由于回流后錫膏體積減小,形成的焊點(diǎn)高度可能小于0.1mm,從而使焊錫與器件接地焊盤(pán)接觸不充分,形成虛焊。
分析驗(yàn)證
增加QFP接地部分的印錫厚度(使用部分階梯鋼網(wǎng),0.11→0.15階梯),進(jìn)行實(shí)際的生產(chǎn)驗(yàn)證,接地部分虛焊的問(wèn)題未再發(fā)生,從而證明了器件Standoff尺寸與鋼網(wǎng)厚度匹配性關(guān)系存在隱患。
案例啟示
針對(duì)QFP封裝器件,在鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)時(shí),要關(guān)注器件Standoff尺寸,確定其允差范圍,從鋼網(wǎng)厚度(接地局部)上做好預(yù)防性規(guī)避措施,避免因?yàn)槠骷tandoff允差造成的潛在性焊接失效。
審核編輯:湯梓紅
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