0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

砷化鎵基板晶面與晶向位置簡析

芯片工藝技術(shù) ? 來源:芯片工藝技術(shù) ? 作者:丁不四 ? 2022-11-10 10:54 ? 次閱讀

對于做激光應(yīng)用的砷化鎵基板,晶向有很重要的應(yīng)用。關(guān)乎了激光芯片的成品質(zhì)量和合格率,通過在wafer上劃片,劈裂,我們得到了die,一顆完整的die如下圖所以,這個只是芯片的一個端面。

但是通常把這個面作為芯片的腔體面,也是激光器的解離面{110}晶面。

69d53dd4-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

側(cè)邊傾斜是由于砷化鎵的100面的傾斜。

定義:

6a208028-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

再來看看die在晶圓中的晶向位置:

6a4b7b8e-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

6a717ffa-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

(0-11)和(0-1-1)原本其實都可以作為出光面,但是實際的基板常有個傾斜問題,如第二幅圖。因此(0-1-1)面是被抬高了旋轉(zhuǎn)了,即基板以[0-11]晶向過圓心的直線為軸,向(011)面旋轉(zhuǎn)一個角度,如下圖的a角。

6aa0901a-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

6b45be46-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

基板旋轉(zhuǎn),(100)晶向不再垂直于晶圓表面,因此(0-1-1)面也不垂直表面了。因此切割出的die所形成的銳角=90°-a角。

PS:英文版的晶向、晶面、晶向族的定義。

6b651db8-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 激光器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    2517

    瀏覽量

    60376
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4912

    瀏覽量

    127992

原文標題:砷化鎵基板晶向---終結(jié)章

文章出處:【微信號:dingg6602,微信公眾號:芯片工藝技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    [求助]晶面的物理意義和實際作用

    半導(dǎo)體中總會提到晶面,有哪位達人能解釋一下討論晶面的意義何在?它們對半導(dǎo)體材料性質(zhì)有
    發(fā)表于 08-12 20:46

    射頻從業(yè)者必看,全球最大的圓代工龍頭解讀

    訊/ 衛(wèi)星通訊下的產(chǎn)業(yè)順風車外,其戰(zhàn)略位置也相對重要,因為國際產(chǎn)業(yè)IDM 大廠近年來已不再擴張產(chǎn)能,為了節(jié)省資本資出,圓的業(yè)務(wù)都釋出
    發(fā)表于 05-27 09:17

    美實驗室開發(fā)圓蝕刻法

    美國伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實驗室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的圓蝕刻法
    發(fā)表于 01-07 11:47 ?1557次閱讀

    概念股有哪些? 概念股一覽

    是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,熔點1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。
    的頭像 發(fā)表于 03-01 14:55 ?3.9w次閱讀

    電池及LED綜述

    電池及LED綜述
    發(fā)表于 08-09 16:39 ?0次下載

    基板對外延磊質(zhì)量的影響

    在光電子激光、LED領(lǐng)域也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體,功率芯片以及
    的頭像 發(fā)表于 04-07 15:32 ?6683次閱讀
    <b class='flag-5'>砷</b><b class='flag-5'>化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>基板</b>對外延磊<b class='flag-5'>晶</b>質(zhì)量的影響

    是什么?的制造流程

    可在一塊芯片上同時處理光電數(shù)據(jù),因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機、DVD計算機外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外,因其電子遷移率比硅高6倍,
    的頭像 發(fā)表于 04-25 10:58 ?1.2w次閱讀

    是什么材料 的應(yīng)用領(lǐng)域

    太陽能電池最大效率預(yù)計可以達到23%~26%,它是目前各種類型太陽能電池中效率預(yù)計最高的一種。
    的頭像 發(fā)表于 02-08 16:02 ?1.5w次閱讀
    <b class='flag-5'>砷</b><b class='flag-5'>化</b><b class='flag-5'>鎵</b>是什么材料 <b class='flag-5'>砷</b><b class='flag-5'>化</b><b class='flag-5'>鎵</b>的應(yīng)用領(lǐng)域

    的應(yīng)用及技術(shù)工藝

    是一種重要的半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。具有良好的電
    發(fā)表于 02-14 17:14 ?2325次閱讀

    二極管的優(yōu)缺點 二極管的應(yīng)用范圍

      二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由(GaAs)材料制成,具有較高的電流密度、較低的功耗
    發(fā)表于 02-16 15:12 ?1918次閱讀

    氮化的區(qū)別 氮化優(yōu)缺點分析

     氮化可以取代。氮化具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代
    發(fā)表于 02-20 16:10 ?2.3w次閱讀

    芯片和氮化芯片制造工藝及優(yōu)缺點分析

    芯片的制造工藝要求高,需要精確控制工藝參數(shù),以保證芯片的質(zhì)量;芯片的制造過程中,由于
    發(fā)表于 02-20 16:32 ?6856次閱讀

    芯片和硅芯片區(qū)別 芯片的襯底是什么

     芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是:硅基芯片是進行物理刻蝕線路工藝(凹刻),可以5-100納米工藝,而
    發(fā)表于 02-20 16:53 ?8823次閱讀

    案例分享第十期:(GaAs)圓切割實例

    圓的材料特性(GaAs)是國際公認的繼
    的頭像 發(fā)表于 10-27 11:35 ?4307次閱讀
    案例分享第十期:<b class='flag-5'>砷</b><b class='flag-5'>化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaAs)<b class='flag-5'>晶</b>圓切割實例

    晶體知識——指數(shù)和晶面指數(shù)

    "在材料科學(xué)中討論有關(guān)晶體的生長、變形、相變及性能等問題時,常需涉及晶體中原子的位置、原子列的方向(稱為)和原子構(gòu)成的平面(稱為晶面)。為了便于確定和區(qū)別晶體中不同方位的
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:34 ?1.7w次閱讀
    晶體知識——<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>向</b>指數(shù)和<b class='flag-5'>晶面</b>指數(shù)