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mos雙向電平轉(zhuǎn)換電路_二極管電平轉(zhuǎn)換電路

pecron ? 來源:電路一點(diǎn)通 ? 作者:電路一點(diǎn)通 ? 2022-11-09 09:16 ? 次閱讀

電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計(jì)中會經(jīng)常用到,市面上也有專用的電平轉(zhuǎn)換芯片,專用的電平轉(zhuǎn)換芯片主要是其轉(zhuǎn)換速度較快,多使用在速度較高的通訊接口,一般對速度要求不高的控制電路,則可使用此文介紹的分立器件搭建的電平轉(zhuǎn)換電路。

1、NPN三極管

下圖使用NPN三極管搭建的電平轉(zhuǎn)化電路屬于單向的電平轉(zhuǎn)換

信號發(fā)生器:3.3V,10k,50%,方波

注意事項(xiàng):

(1)該電路的信號只能單向傳輸,b→c。也可以使用NPN三極管+二極管模擬一個NMOS管來實(shí)現(xiàn)雙向傳輸,但 一般不會這樣使用,故此處不做介紹;

(2)輸入輸出為反向,可通過兩個三極管解決反向的問題,但會影響整體電路的延時和轉(zhuǎn)換速度;

(3)三極管所能達(dá)到的開關(guān)速度約為幾十khz,下次補(bǔ)上實(shí)際的測試數(shù)據(jù)。

備注:該電路所能達(dá)到的轉(zhuǎn)換速度主要由三極管的導(dǎo)通延時和c極的放電回路所產(chǎn)生的延時、三極管的斷開延時和c極的充電回路所產(chǎn)生的延時產(chǎn)生。三極管一般不存在導(dǎo)通延時,且ce導(dǎo)通時,ce本身就是“非常好”的放電回路,故放電回路也不會存在延時問題,即導(dǎo)通期間幾乎不存在延時。三極管斷開時會存在延時,一般為us級別,不同型號具體參數(shù)也不同,且斷開時,c極需要充電,即R2、Cce的充電回路也會產(chǎn)生延時,此延時一般取3個的延時,故斷開期間的總延時為Toff + 3R2 * Cce = Toff + 3,對于一般應(yīng)用而言,斷開期間的總延時需要小于1/3的時間長度。即Toff + 3< 1/3 * 1/2T,故T > 6(Toff + 3)。故理論上最大的轉(zhuǎn)換頻率為f <1/{6(Toff + 3)}。

Toff和Cce可通過三極管規(guī)格書查閱,R2為設(shè)計(jì)參數(shù)。

圖3中的T1-T2即為三極管的斷開延時,此仿真數(shù)據(jù)為383ns。

在此啰嗦一下,上述理論頻率是基于兩個前提條件:1、50%占空比;2、斷開期間的總延時需要小于1/3的時間長度。

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;

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;

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;圖 3 三極管的斷開延時

2、NMOS管

下圖使用NMOS管搭建的電平轉(zhuǎn)化電路屬于雙向的電平轉(zhuǎn)換

信號發(fā)生器:3.3V,10k,50%,方波(圖5);5.0V,10k,50%,方波(圖7)

原理分析:

(1)S→D方向

S為低電平時,Vgs導(dǎo)通,故漏極D為低電平;此處需要注意電路是否滿足Vgs的導(dǎo)通電壓

S為高電平時,Vgs截止,故漏極D由于VCC1的上拉而為高電平。

(2)D→S方向

D為低電平時,存在VCC、R2、NMOS的體二極管回路,故源極S為低電平;二極管壓降大小和流過的電流相關(guān)。

D為高電平時,上述回路不存在,故源極S由于VCC的上拉而為高電平。

注意事項(xiàng):

(1)VCC1 > VCC – 0.7,否則在D→S傳輸高電平時會出現(xiàn)問題,即Vs = VCC1 + 0.7,此時的Vs < VCC;

(2)需要注意MOS管的Vgs導(dǎo)通電壓,一般涉及到1.8V的電路需要注意器件選型;

(3)MOS管所能達(dá)到的開關(guān)速度約為100khz左右(需要將R1改為0Ω),下次補(bǔ)上實(shí)際的測試數(shù)據(jù); (4)PMOS管只能實(shí)現(xiàn)單向的電平轉(zhuǎn)換,不能雙向。

備注:D→S方向,源極的高電平會出現(xiàn)5.0V的峰值(圖7),因?yàn)閐s之間存在寄生電容,所以d級電平快速的從0變?yōu)?.0V時,存在電荷泵現(xiàn)象(電容兩端的電壓不能突變),導(dǎo)致s級的電壓直接泵到5.0V,但馬上會通過R2、VCC將多余的電壓釋放掉。若將信號發(fā)生器XFG1的上升時間設(shè)置為1us(默認(rèn)為1ps),則幾乎不存在5.0V峰值,因?yàn)榇藭rs級在泵到5.0V的過程中就已經(jīng)同時通過R2、VCC泄放電壓了。將R1改為0Ω便解決了電荷泵的峰值問題,且開關(guān)速度能大幅提高,達(dá)到100k左右,因?yàn)榇藭r的R1*Cgs的延時變小了,MOS管開關(guān)速度變快了。MOS管是電壓驅(qū)動型,R1改為0Ω不會存在什么問題。

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;圖4 S→D

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;圖5 S→D仿真數(shù)據(jù)

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;圖6 D→S

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;圖7 D→S仿真數(shù)據(jù)

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:mos雙向電平轉(zhuǎn)換電路_二極管電平轉(zhuǎn)換電路

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