Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能指標;CG2H80060D包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移速率;及其更高的導熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,CG2H80060D具備更多的功率密度參數(shù)和更寬的網(wǎng)絡帶寬。
特征
60W典型的PSAT
28V操控
高擊穿場強
高溫度操控
最高的8GHz操控
效率高
應用
雙重專用型收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施建設
測試設備
ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣;CDMA波型
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業(yè)內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產(chǎn)品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商,擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道,并長期庫存現(xiàn)貨,以備中國市場需求。
Product SKU |
Technology |
Frequency Min |
Frequency Max |
Peak Output Power |
Gain |
Efficiency |
Operating Voltage |
Form |
Package Type |
CG2H80060D-GP4 |
GaN on SiC |
DC |
8 GHz |
60 W |
>12 dB |
70% |
28 V |
Discrete Bare Die |
Die |
審核編輯:湯梓紅
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