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Nanodcal石墨烯納米帶中的輸運(yùn)

鴻之微 ? 來(lái)源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-10-21 17:04 ? 次閱讀

Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)程,是目前國(guó)內(nèi)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件??深A(yù)測(cè)材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運(yùn)性質(zhì)。

迄今為止,Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計(jì)等重要研究課題中,并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究的領(lǐng)域。

本期將給大家介紹Nanodcal石墨烯和其它1D/2D材料 4.4-4.4.1.2的內(nèi)容。

4.4. 石墨烯納米帶中的輸運(yùn)

石墨烯具有簡(jiǎn)單規(guī)則的蜂窩狀幾何形狀,因其具有許多優(yōu)異的性能而成為眾多領(lǐng)域爭(zhēng)相研究的熱點(diǎn)。在微電子學(xué)器件中,無(wú)限片材石墨烯通常需要切割成合適的形狀,常見的有石墨烯納米帶(GNR)。石墨烯納米帶的邊緣需要考慮氫鈍化以滿足所有碳的價(jià)電子成鍵,這在有限結(jié)構(gòu)中是必須的。

教程缺陷Z字形納米帶結(jié)構(gòu)模型如下:

54c055d8-505f-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

4.4.1. 二維石墨烯的能帶結(jié)構(gòu)

4.4.1.1. 自洽計(jì)算

(1)雙擊圖標(biāo)DeviceStudio快捷方式打開軟件;

(2)選擇Create a new Project→OK→文件名:GrapheneNanoribbon,保存類型:ProjectFiles(*.hpf)→保存即可;

(3)導(dǎo)入graphene的晶胞:File→Import…→ImportLocal,選取material→2Dmaterials→X-enes→graphene.hzw;

(4)點(diǎn)擊Simulator→Nanodcal→SCFCalculation→Generatefile,設(shè)置參數(shù)并生成自洽計(jì)算所需的輸入文件scf.input和基組文件C_PBE-DZP.nad;

54e7c014-505f-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

(5)在DeviceStudio的Project窗口中,右擊scf.input文件,Run→Run即開始自洽計(jì)算。自洽計(jì)算結(jié)束后,會(huì)產(chǎn)生以下輸出文件:CalculatedResults.mat、log.txt、NanodcalObject.mat、TotalEnergy.mat。

4.4.1.2. 能帶結(jié)構(gòu)的計(jì)算

(1)在自洽計(jì)算的基礎(chǔ)上,準(zhǔn)備輸入文件BandStructure.input,參考如下:

55a414e4-505f-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

(2)同樣,在DeviceStudio的Project窗口中,右擊BandStructure.input文件,Run→Run即開始能帶計(jì)算。

(3)計(jì)算結(jié)束后,生成的BandStructure.xml文件可以在DeviceStudio中可視化分析,即:Simulator→Nanodcal→AnalysisPlot,選擇BandStructure.xml文件打開;

55c70a6c-505f-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

圖 4-2:

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Nanodcal石墨烯和其它1D/2D材料(石墨烯納米帶中的輸運(yùn)01)

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