工程師們在MOS管選型時(shí),首先要看的就是MOS管手冊,拿到手冊時(shí),我們怎樣去理解那幾頁到十幾頁的內(nèi)容呢?
其實(shí)并不是每個(gè)參數(shù)都要特別關(guān)心,我們只需重點(diǎn)關(guān)注幾個(gè)重要參數(shù),下面分享一下我對(duì)MOS管手冊的一些理解。
以IRFP460為例來進(jìn)行說明:
打開規(guī)格書,首先看到的就是MOS管的引腳示意圖、封裝形式和三個(gè)重要參數(shù)。一般看到這個(gè),心里對(duì)這個(gè)管子有初步的了解,知道適合在哪個(gè)功率等級(jí)使用。
VDSS,ID和RDS(on),是特別重要的參數(shù),也是必須了解的參數(shù)。下面的表格會(huì)詳細(xì)說明其中的意義。
1.VDSS漏極電壓
這第一個(gè)電氣參數(shù),即DS擊穿電壓,也就是我們關(guān)心的MOS管耐壓,最高不能超過500V,測試條件為25℃。
往下翻有個(gè)VDSS隨溫度變化的曲線,如圖:
可看出VDSS是正溫度系數(shù),只有在溫度為25℃時(shí),管子電壓為500V是安全的。要是在寒冷的場合,比如-50℃,耐壓低于500V,所以一般在電路設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)保留至少10%的余量來保證正常工作。
2.Vgs柵源驅(qū)動(dòng)電壓
設(shè)定該值得目的是防止輸入電壓過高,導(dǎo)致MOS管損壞。電壓一般設(shè)置為12-15V。
3.ID連續(xù)漏極電流
MOS管表面溫度在25℃或更高溫度下,可允許的最大連續(xù)直流電流。從測試條件可以看出,在同樣條件下MOS管的溫度越高,ID越小。
原因是內(nèi)阻隨著溫度的增高而增大,根據(jù)I=U/R可知,內(nèi)阻跟電流成反比,內(nèi)阻越大,通過的電流越小,帶載能力越弱。
4. IDM峰值漏電流
該參數(shù)反應(yīng)了MOS管能通過的最大脈沖電流,它遠(yuǎn)大于連續(xù)通過的電流。如果長時(shí)間工作在此電流下,管子將會(huì)失效。因此,在實(shí)際工作中,需將電流設(shè)置在ID范圍內(nèi)。
5. RDS(on)導(dǎo)通內(nèi)阻
內(nèi)阻是個(gè)比較重要的參數(shù),內(nèi)阻越小,帶載能力越強(qiáng)。溫度對(duì)內(nèi)阻的影響比較大,如圖:
隨著溫度的升高,內(nèi)阻增大,內(nèi)阻越大,管子本身消耗的能量越大,管子發(fā)熱就越嚴(yán)重,情況會(huì)越來越糟,所以一定要控制MOS管的溫度,一般不超過105℃。
6.Vgs(TO)閾值電壓
注意Vgs(to)具有負(fù)溫度系數(shù)特性,溫度越高,開啟電壓越低,高溫時(shí)接近1.5V管子就會(huì)開啟。
有些管子高溫時(shí)約為零點(diǎn)幾伏,這樣只要在柵極有一個(gè)很小的尖峰就可能導(dǎo)致管子誤開通,從而引起系統(tǒng)的不穩(wěn)定。
7.Qg,Qgs,Qgd柵電荷
Qg柵電容的充電電荷。這個(gè)值跟驅(qū)動(dòng)電路有很大關(guān)系。驅(qū)動(dòng)電流的大小通常會(huì)參考Qg的值,然后估算出驅(qū)動(dòng)電流值。
8.td(on)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間、tr上升時(shí)間、td(off)關(guān)斷延時(shí)時(shí)間、tf下降時(shí)間、td(off)關(guān)斷延時(shí)時(shí)間,示意圖如下:
在計(jì)算半橋電路死區(qū)時(shí)間時(shí),常參考這幾個(gè)參數(shù)值。
9.Ciss,Coss,Crss寄生電容
Ciss是輸入電容,當(dāng)輸入電容充電至閾值電壓時(shí),MOS管才能開啟,放電到一定程度才會(huì)關(guān)閉。Ciss對(duì)MOS管的開啟和關(guān)斷延時(shí)有直接影響。
Coss是輸出電容,對(duì)于軟開關(guān)來說這一參數(shù)非常重要,因?yàn)樗赡芤痣娐返闹C振。
Crss,也就是Cgd,叫反向傳輸電容,也叫米勒電容。它影響著開關(guān)上升和下降時(shí)間。
寄生電容當(dāng)然越小越好。
10.體二極管
VSD是二極管的正向?qū)▔航禐?.5V,這個(gè)參數(shù)不是重點(diǎn)。重點(diǎn)的是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr,這個(gè)時(shí)間越小越好,時(shí)間過長,損耗越大。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:MOS管手冊解讀
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