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元器件失效機(jī)理分析

Torex產(chǎn)品資訊 ? 來源:Torex產(chǎn)品資訊 ? 作者:Torex產(chǎn)品資訊 ? 2022-08-19 11:25 ? 次閱讀

元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機(jī)械等因素的影響。

溫度導(dǎo)致失效

環(huán)境溫度是導(dǎo)致元件失效的重要因素。

溫度變化對半導(dǎo)體器件的影響:構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元P-N結(jié)對溫度的變化很敏感,當(dāng)P-N結(jié)反向偏置時,由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響,其關(guān)系為:

755d83d6-1ee3-11ed-ba43-dac502259ad0.png

式中:

ICQ―――溫度T0C時的反向漏電流ICQR――溫度TR℃時的反向漏電流T-TR――溫度變化的絕對值

由上式可以看出,溫度每升高10℃,ICQ將增加一倍。這將造成晶體管放大器的工作點發(fā)生漂移、晶體管電流放大系數(shù)發(fā)生變化、特性曲線發(fā)生變化,動態(tài)范圍變小。

溫度與允許功耗的關(guān)系如下:

756b871a-1ee3-11ed-ba43-dac502259ad0.png

式中:PCM―――最大允許功耗TjM―――最高允許結(jié)溫T――――使用環(huán)境溫度RT―――熱阻

由上式可以看出,溫度的升高將使晶體管的最大允許功耗下降。

由于P-N結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大,所以用P-N為基本單元構(gòu)成的雙極型半導(dǎo)體邏輯元件(TTL、HTL等集成電路)的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密切的關(guān)系。當(dāng)溫度升高時,P-N結(jié)的正向壓降減小,其開門和關(guān)門電平都將減小,這就使得元件的低電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而變??;高電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而增大,造成輸出電平偏移、波形失真、穩(wěn)態(tài)失調(diào),甚至熱擊穿。

溫度變化對電阻的影響

溫度變化對電阻的影響主要是溫度升高時,電阻的熱噪聲增加,阻值偏離標(biāo)稱值,允許耗散概率下降等。

但我們也可以利用電阻的這一特性,比如,有經(jīng)過特殊設(shè)計的一類電阻:PTC(正溫度系數(shù)熱敏電阻)和NTC(負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻),它們的阻值受溫度的影響很大。

對于PTC,當(dāng)其溫度升高到某一閾值時,其電阻值會急劇增大。利用這一特性,可將其用在電路板的過流保護(hù)電路中,當(dāng)由于某種故障造成通過它的電流增加到其閾值電流后,PTC的溫度急劇升高,同時,其電阻值變大,限制通過它的電流,達(dá)到對電路的保護(hù)。而故障排除后,通過它的電流減小,PTC的溫度恢復(fù)正常,同時,其電阻值也恢復(fù)到其正常值。

對于NTC,它的特點是其電阻值隨溫度的升高而減小。

溫度變化對電容的影響

溫度變化將引起電容的到介質(zhì)損耗變化,從而影響其使用壽命。溫度每升高10℃時,電容器的壽命就降低50%,同時還引起阻容時間常數(shù)變化,甚至發(fā)生因介質(zhì)損耗過大而熱擊穿的情況。

此外,溫度升高也將使電感線圈、變壓器、扼流圈等的絕緣性能下降。

濕度導(dǎo)致失效

濕度過高,當(dāng)含有酸堿性的灰塵落到電路板上時,將腐蝕元器件的焊點與接線處,造成焊點脫落,接頭斷裂。

濕度過高也是引起漏電耦合的主要原因。

而濕度過低又容易產(chǎn)生靜電,所以環(huán)境的濕度應(yīng)控制在合理的水平。

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過高電壓導(dǎo)致器件失效

施加在元器件上的電壓穩(wěn)定性是保證元器件正常工作的重要條件。過高的電壓會增加元器件的熱損耗,甚至造成電擊穿。對于電容器而言,其失效率正比于電容電壓的5次冪。對于集成電路而言,超過其最大允許電壓值的電壓將造成器件的直接損壞。

電壓擊穿是指電子器件都有能承受的最高耐壓值,超過該允許值,器件存在失效風(fēng)險。主動元件和被動元件失效的表現(xiàn)形式稍有差別,但也都有電壓允許上限。晶體管元件都有耐壓值,超過耐壓值會對元件有損傷,比如超過二極管、電容等,電壓超過元件的耐壓值會導(dǎo)致它們擊穿,如果能量很大會導(dǎo)致熱擊穿,元件會報廢。

振動、沖擊影響

機(jī)械振動與沖擊會使一些內(nèi)部有缺陷的元件加速失效,造成災(zāi)難性故障,機(jī)械振動還會使焊點、壓線點發(fā)生松動,導(dǎo)致接觸不良;若振動導(dǎo)致導(dǎo)線不應(yīng)有的碰連,會產(chǎn)生一些意想不到的后果。

可能引起的故障模式,及失效分析。

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電氣過應(yīng)力(Electrical Over Stress,EOS)是一種常見的損害電子器件的方式,是元器件常見的損壞原因,其表現(xiàn)方式是過壓或者過流產(chǎn)生大量的熱能,使元器件內(nèi)部溫度過高從而損壞元器件(大家常說的燒壞),是由電氣系統(tǒng)中的脈沖導(dǎo)致的一種常見的損害電子器件的方式。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:先收藏了!工程師必知的那些元器件失效機(jī)理

文章出處:【微信號:gh_454737165c13,微信公眾號:Torex產(chǎn)品資訊】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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