分類細(xì)敘各類電子元器件的失效模式與機(jī)理

電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。對(duì)于硬件工程師來講電子元器件失效是個(gè)非常麻煩的事情，比如某個(gè)半導(dǎo)體器件外表完好但實(shí)際上已經(jīng)半失效或者全失效會(huì)在硬件電路調(diào)試上花費(fèi)大把的時(shí)間，有時(shí)甚至炸機(jī)。

所以掌握各類電子元器件的實(shí)效機(jī)理與特性是硬件工程師比不可少的知識(shí)。下面分類細(xì)敘一下各類電子元器件的失效模式與機(jī)理。

電阻器失效模式與機(jī)理

失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。

失效機(jī)理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。

電阻器的失效模式與機(jī)理

開路：主要失效機(jī)理為電阻膜燒毀或大面積脫落，基體斷裂，引線帽與電阻體脫落。

阻值漂移超規(guī)范：電阻膜有缺陷或退化，基體有可動(dòng)鈉離子，保護(hù)涂層不良。

引線斷裂：電阻體焊接工藝缺陷，焊點(diǎn)污染，引線機(jī)械應(yīng)力損傷。

短路：銀的遷移，電暈放電。

02

失效模式占失效總比例表

線繞電阻：

非線繞電阻：

失效模式機(jī)理分析

電阻器失效機(jī)理是多方面的，工作條件或環(huán)境條件下所發(fā)生的各種理化過程是引起電阻器老化的原因。

導(dǎo)電材料的結(jié)構(gòu)變化：

薄膜電阻器的導(dǎo)電膜層一般用汽相淀積方法獲得，在一定程度上存在無定型結(jié)構(gòu)。按熱力學(xué)觀點(diǎn)，無定型結(jié)構(gòu)均有結(jié)晶化趨勢(shì)。在工作條件或環(huán)境條件下，導(dǎo)電膜層中的無定型結(jié)構(gòu)均以一定的速度趨向結(jié)晶化，也即導(dǎo)電材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)趨于致密化，能常會(huì)引起電阻值的下降。結(jié)晶化速度隨溫度升高而加快。

電阻線或電阻膜在制備過程中都會(huì)承受機(jī)械應(yīng)力，使其內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，線徑愈小或膜層愈薄，應(yīng)力影響愈顯著。一般可采用熱處理方法消除內(nèi)應(yīng)力，殘余內(nèi)應(yīng)力則可能在長(zhǎng)時(shí)間使用過程中逐步消除，電阻器的阻值則可能因此發(fā)生變化。

結(jié)晶化過程和內(nèi)應(yīng)力清除過程均隨時(shí)間推移而減緩，但不可能在電阻器使用期間終止。可以認(rèn)為在電阻器工作期內(nèi)這兩個(gè)過程以近似恒定的速度進(jìn)行。與它們有關(guān)的阻值變化約占原阻值的千分之幾。

電負(fù)荷高溫老化：任何情況，電負(fù)荷均會(huì)加速電阻器老化進(jìn)程，并且電負(fù)荷對(duì)加速電阻器老化的作用比升高溫度的加速老化后果更顯著，原因是電阻體與引線帽接觸部分的溫升超過了電阻體的平均溫升。通常溫度每升高10℃，壽命縮短一半。如果過負(fù)荷使電阻器溫升超過額定負(fù)荷時(shí)溫升50℃，則電阻器的壽命僅為正常情況下壽命的1/32?？赏ㄟ^不到四個(gè)月的加速壽命試驗(yàn)，即可考核電阻器在10年期間的工作穩(wěn)定性。

直流負(fù)荷—電解作用：直流負(fù)荷作用下，電解作用導(dǎo)致電阻器老化。電解發(fā)生在刻槽電阻器槽內(nèi)，電阻基體所含的堿金屬離子在槽間電場(chǎng)中位移，產(chǎn)生離子電流。濕氣存在時(shí)，電解過程更為劇烈。如果電阻膜是碳膜或金屬膜，則主要是電解氧化；如果電阻膜是金屬氧化膜，則主要是電解還原。對(duì)于高阻薄膜電阻器，電解作用的后果可使阻值增大，沿槽螺旋的一側(cè)可能出現(xiàn)薄膜破壞現(xiàn)象。在潮熱環(huán)境下進(jìn)行直流負(fù)荷試驗(yàn)，可全面考核電阻器基體材料與膜層的抗氧化或抗還原性能，以及保護(hù)層的防潮性能。

樣品的典型外貌

面電極有斷裂空澗

面電解銀層不連續(xù)帶狀空隙

硫化：

有一批現(xiàn)場(chǎng)儀表在某化工廠使用一年后，儀表紛紛出現(xiàn)故障。經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)儀表中使用的厚膜貼片電阻阻值變大了，甚至變成開路了。把失效的電阻放到顯微鏡下觀察，可以發(fā)現(xiàn)電阻電極邊緣出現(xiàn)了黑色結(jié)晶物質(zhì)，進(jìn)一步分析成分發(fā)現(xiàn)，黑色物質(zhì)是硫化銀晶體。原來電阻被來自空氣中的硫給腐蝕了。

氣體吸附與解吸：

膜式電阻器的電阻膜在晶粒邊界上，或?qū)щ婎w粒和黏結(jié)劑部分，總可能吸附非常少量的氣體，它們構(gòu)成了晶粒之間的中間層，阻礙了導(dǎo)電顆粒之間的接觸，從而明顯影響阻值。

合成膜電阻器是在常壓下制成，在真空或低氣壓工作時(shí)，將解吸部分附氣體，改善了導(dǎo)電顆粒之間的接觸，使阻值下降。同樣，在真空中制成的熱分解碳膜電阻器直接在正常環(huán)境條件下工作時(shí)，將因氣壓升高而吸附部分氣體，使阻值增大。如果將未刻的半成品預(yù)置在常壓下適當(dāng)時(shí)間，則會(huì)提高電阻器成品的阻值穩(wěn)定性。

溫度和氣壓是影響氣體吸附與解吸的主要環(huán)境因素。對(duì)于物理吸附，降溫可增加平衡吸附量，升溫則反之。由于氣體吸附與解吸發(fā)生在電阻體的表面。所以對(duì)膜式電阻器的影響較為顯著。阻值變化可達(dá)1%~2%。

氧化：

氧化是長(zhǎng)期起作用的因素（與吸附不同），氧化過程是由電阻體表面開始，逐步向內(nèi)部深入。除了貴金屬與合金薄膜電阻外，其他材料的電阻體均會(huì)受到空氣中氧的影響。氧化的結(jié)果是阻值增大。電阻膜層愈薄，氧化影響就更明顯。

防止氧化的根本措施是密封（金屬、陶瓷、玻璃等無機(jī)材料）。采用有機(jī)材料（塑料、樹脂等）涂覆或灌封，不能完全防止保護(hù)層透濕或透氣，雖能起到延緩氧化或吸附氣體的作用，但也會(huì)帶來與有機(jī)保護(hù)層有關(guān)的些新的老化因素。

有機(jī)保護(hù)層的影響：

有機(jī)保護(hù)層形成過程中，放出縮聚作用的揮發(fā)物或溶劑蒸氣。熱處理過程使部分揮發(fā)物擴(kuò)散到電阻體中，引起阻值上升。此過程雖可持續(xù)1~2年，但顯著影響阻值的時(shí)間約為2~8個(gè)月，為了保證成品的阻值穩(wěn)定性，把產(chǎn)品在庫(kù)房中擱置一段時(shí)間再出廠是比較適宜的。

機(jī)械損傷：

電阻的可靠很大程度上取決于電阻器的機(jī)械性能。電阻體、引線帽和引出線等均應(yīng)具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度，基體缺陷、引線帽損壞或引線斷裂均可導(dǎo)致電阻器失效。

電解電容失效

01

耗盡失效

第一種解釋

通常電解電容器壽命的終了評(píng)判依據(jù)是電容量下降到額定（初始值）的80%以下。由于早期鋁電解電容器的電解液充盈，鋁電解電容器的電容量在工作早期緩慢下降。隨著負(fù)荷過程中工作電解液不斷修補(bǔ)倍雜質(zhì)損傷的陽(yáng)極氧化膜所致電解液逐漸減少。到使用后期，由于電解液揮發(fā)而減少，粘稠度增大的電解液就難于充分接觸經(jīng)腐蝕處理的粗糙的鋁箔表面上的氧化膜層，這樣就使鋁電解電容器的極板有效面積減小，即陽(yáng)極、陰極鋁箔容量減少，引起電容量急劇下降。因此，可以認(rèn)為鋁電解電容器的容量降低是由于電解液揮發(fā)造成。而造成電解液的揮發(fā)的最主要的原因就是高溫環(huán)境或發(fā)熱。

第二種解釋

由于應(yīng)用條件使鋁電解電容器發(fā)熱的原因是鋁電解電容器在工作在整流濾波（包括開關(guān)電源輸出的高頻整流濾波）、功率電爐的電源旁路時(shí)的紋波（或稱脈動(dòng)）電流流過鋁電解電容器，在鋁電解電容器的ESR產(chǎn)生損耗并轉(zhuǎn)變成熱使其發(fā)熱。

當(dāng)鋁電解電容器電解液蒸發(fā)較多、溶液變稠時(shí)，電阻率因粘稠度增大而上升，使工作電解質(zhì)的等效串聯(lián)電阻增大，導(dǎo)致電容器損耗明顯上升，損耗角增大。例如對(duì)于105度工作溫度的電解電容器，其最大芯包溫度高于125度時(shí)，電解液粘稠度驟增，電解液的ESR增加近十倍。.增大的等效串聯(lián)電阻會(huì)產(chǎn)生更大熱量，造成電解液的更大揮發(fā)。如此循環(huán)往復(fù)，鋁電解電容器容量急劇下降，甚至?xí)斐杀ā?/p>

第三種解釋

漏電流增加往往導(dǎo)致鋁電解電容器失效。應(yīng)用電壓過高和溫度過高都會(huì)引起漏電流的增加。

02

壓力釋放裝置動(dòng)作

為了防止鋁電解電容器中電解液由于內(nèi)部高溫沸騰的氣體或電化學(xué)過程而產(chǎn)生的氣體而引起內(nèi)部高氣壓造成鋁電解電容器的爆炸。為了消除鋁電解電容器的爆炸，直徑8毫米以上的鋁電解電容器均設(shè)置了壓力釋放裝置，這些壓力釋放裝置在鋁電解電容器內(nèi)部的氣壓達(dá)到尚未使鋁電解電容器爆炸的危險(xiǎn)壓力前動(dòng)作，泄放出氣體。隨著鋁電解電容器的壓力釋放裝置的動(dòng)作，鋁電解電容器即宣告失效。

鋁電解電容器壓力釋放裝置(中間的十字)

電化學(xué)過程導(dǎo)致壓力釋放裝置動(dòng)作

鋁電解電容器的漏電流就是電化學(xué)過程，前面已經(jīng)詳盡論述，不再贅述。電化學(xué)過程將產(chǎn)生氣體，這些氣體的聚積將造成鋁電解電容器的內(nèi)部氣壓上升，最終達(dá)到壓力釋放裝置動(dòng)作泄壓。

溫度過高導(dǎo)致壓力釋放裝置動(dòng)作

鋁電解電容器溫度過高可能是環(huán)境溫度過高，如鋁電解電容器附近有發(fā)熱元件或整個(gè)電子裝置就出在高溫環(huán)境；

鋁電解電容器溫度過高的第二個(gè)原因是芯包溫度過高。鋁電解電容器芯包溫度過高的根本原因是鋁電解電容器流過過高的紋波電流。過高的紋波電流在鋁電解電容器的ESR中產(chǎn)生過度的損耗而產(chǎn)生過度的發(fā)熱使電解液沸騰產(chǎn)生大量氣體使鋁電解電容器內(nèi)部壓力及急劇升高時(shí)壓力釋放裝置動(dòng)作。

03

瞬時(shí)超溫

通常鋁電解電容器的芯包核心溫度每降低10℃，其壽命將增大到原來的一倍。這個(gè)核心大致位于電容器的中心，是電容器內(nèi)部最熱的點(diǎn)?？墒牵?dāng)電容器升溫接近其最大允許溫度時(shí)，對(duì)于大多數(shù)型號(hào)電容器在125℃時(shí)，其電解液要受到電容器芯包的排擠（driven），導(dǎo)致電容器的ESR增大到原來的10倍。在這種作用下，瞬間超溫或過電流可以使ESR永久性的增大，從而造成電容器失效。在高溫和大紋波電流的應(yīng)用中特別要警惕瞬時(shí)超溫發(fā)生的可能，還要額外注意鋁電解電容器的冷卻。

04

瞬時(shí)過電壓的產(chǎn)生

上電沖擊

上電過程中，由于濾波電感釋放儲(chǔ)能到濾波電容器中，導(dǎo)致濾波電容器的過瞬時(shí)過電壓。

上電過電壓示意圖

電容過電壓失效的防范

電容器在過壓狀態(tài)下容易被擊穿，而實(shí)際應(yīng)用中的瞬時(shí)高電壓是經(jīng)常出現(xiàn)的。

選擇承受瞬時(shí)過電壓性能好的鋁電解電容器，RIFA有的鋁電解電容器就給出了瞬時(shí)過電壓值得參數(shù)。

05

電解液干涸是鋁電解電容器失效的最主要原因

電解液干涸的原因：電解液自然揮發(fā)、電解液的消耗。

電解液自然揮發(fā)

電解液的揮發(fā)速度隨溫度的升高

電解液的揮發(fā)速度與電容器的密封質(zhì)量有關(guān)，無論在高溫還是在低溫條件下都要有良好的密封性。

電解液的消耗

漏電流所引起的電化學(xué)效應(yīng)消耗電解液，鋁電解電容器的壽命隨漏電流增加而減少。

漏電流隨溫度的升高而增加：25℃時(shí)漏電流僅僅是85℃時(shí)漏電流的不到十分之一漏電流隨施加電壓升高而增加：耐壓為400V的鋁電解電容器在額定電壓下的漏電流大約是90%額定電壓下的漏電流的5倍。

06

電解液干涸影響鋁電解電容器壽命

影響鋁電解電容器壽命的的因素：溫度

根據(jù)鋁電解電容器的電解液的不同，鋁電解電容器的最高工作溫度可分為：

●一般用途，85℃

●一般高溫用途，105℃

●特殊高溫用途，125℃

●汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙，140~150℃

溫度每升高10℃，壽命小時(shí)數(shù)減半。

影響鋁電解電容器壽命的的因素：額定壽命小時(shí)數(shù)

按壽命小時(shí)數(shù)鋁電解電容器可以分為：

●一般用途（常溫，3年以內(nèi)），1000小時(shí)

●一般用途（常溫，希望比較長(zhǎng)的時(shí)間），2000小時(shí)以上

●工業(yè)級(jí)，更長(zhǎng)的壽命小時(shí)數(shù)

影響鋁電解電容器壽命的的因素：電解液

電解液的多與寡決定鋁電解電容器的壽命。

影響鋁電解電容器壽命的的因素：應(yīng)用條件

高溫縮短鋁電解電容器壽命；高紋波電流縮短鋁電解電容器壽命；工作電壓過高縮短鋁電解電容器壽命。

07

影響鋁電解電容器壽命的參數(shù)與應(yīng)用條件

工作電壓與漏電流的關(guān)系

工作電壓與漏電流的關(guān)系

某公司生產(chǎn)的450V/4700μF/85℃鋁電解電容器的漏電流與施加電壓的關(guān)系如下：

溫度與漏電流的關(guān)系

某公司生產(chǎn)的450V/4700μF/85℃鋁電解電容器的漏電流與環(huán)境溫度的關(guān)系如下：

溫度、電壓、紋波電流共同作用對(duì)壽命的影響

以某電子鎮(zhèn)流器用鋁電解電容器為例。

在不同的電壓與溫度條件下的鋁電解電容器壽命不同，表格如下：

某電子鎮(zhèn)流器用鋁電解電容器降額壽命特性，如下圖：

某電子鎮(zhèn)流器用鋁電解電容器的過電壓壽命特性，如下圖：

鋁電解電容器的壽命與溫度、紋波電流的關(guān)系，如下圖：

3

電感失效分析

電感器失效模式：電感量和其他性能的超差、開路、短路。

模壓繞線片式電感失效機(jī)理：

●磁芯在加工過程中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力較大，未得到釋放;

●磁芯內(nèi)有雜質(zhì)或空洞磁芯材料本身不均勻，影響磁芯的磁場(chǎng)狀況，使磁芯的磁導(dǎo)率發(fā)生了偏差;

●由于燒結(jié)后產(chǎn)生的燒結(jié)裂紋;

●銅線與銅帶浸焊連接時(shí)，線圈部分濺到錫液，融化了漆包線的絕緣層，造成短路;

●銅線纖細(xì)，在與銅帶連接時(shí)，造成假焊，開路失效。

01

耐焊性

低頻片感經(jīng)回流焊后感量上升20％。

由于回流焊的溫度超過了低頻片感材料的居里溫度，出現(xiàn)退磁現(xiàn)象。片感退磁后，片感材料的磁導(dǎo)率恢復(fù)到最大值，感量上升。一般要求的控制范圍是片感耐焊接熱后，感量上升幅度小于20%。

耐焊性可能造成的問題是有時(shí)小批量手工焊時(shí)，電路性能全部合格（此時(shí)片感未整體加熱，感量上升?。?。但大批量貼片時(shí)，發(fā)現(xiàn)有部分電路性能下降。這可能是由于過回流焊后，片感感量會(huì)上升，影響了線路的性能。在對(duì)片感感量精度要求較嚴(yán)格的地方（如信號(hào)接收發(fā)射電路），應(yīng)加大對(duì)片感耐焊性的關(guān)注。

檢測(cè)方法：先測(cè)量片感在常溫時(shí)的感量值，再將片感浸入熔化的焊錫罐里10秒鐘左右，取出。待片感徹底冷卻后，測(cè)量片感新的感量值。感量增大的百分比既為該片感的耐焊性大小

02

可焊性

電鍍簡(jiǎn)介

當(dāng)達(dá)到回流焊的溫度時(shí)，金屬銀（Ag）會(huì)跟金屬錫（Sn）反應(yīng)形成共熔物，因此不能在片感的銀端頭上直接鍍錫。而是在銀端頭上先鍍鎳（2ｕm 左右） ，形成隔絕層，然后再鍍錫（4－8ｕm ）。

可焊性檢測(cè)

將待檢測(cè)的片感的端頭用酒精清洗干凈，將片感在熔化的焊錫罐中浸入4秒鐘左右，取出。如果片感端頭的焊錫覆蓋率達(dá)到90％以上，則可焊性合格。

可焊性不良

1）端頭氧化：當(dāng)片感受高溫、潮濕、化學(xué)品、氧化性氣體（SO2、NO2等）的影響， 或保存時(shí)間過長(zhǎng)，造成片感端頭上的金屬Sn氧化成SnO2，片感端頭變暗。由于SnO2不和Sn、 Ag、Cu等生成共熔物，導(dǎo)致片感可焊性下降。片感產(chǎn)品保質(zhì)期：半年。如果片感端頭被污染，比如油性物質(zhì)，溶劑等，也會(huì)造成可焊性下降。

2）鍍鎳層太薄，吃銀：如果鍍鎳時(shí)，鎳層太薄不能起隔離作用?；亓骱笗r(shí)，片感端頭上的Sn和自身的Ag首先反應(yīng)，而影響了片感端頭上的Sn和焊盤上的焊膏共熔，造成吃銀現(xiàn)象，片感的可焊性下降。

判斷方法：將片感浸入熔化的焊錫罐中幾秒鐘，取出。如發(fā)現(xiàn)端頭出現(xiàn)坑洼情況，甚至出現(xiàn)瓷體外露，則可判斷是出現(xiàn)吃銀現(xiàn)象的。

03

焊接不良

內(nèi)應(yīng)力

如果片感在制作過程中產(chǎn)生了較大的內(nèi)部應(yīng)力，且未采取措施消除應(yīng)力，在回流焊過程中，貼好的片感會(huì)因?yàn)閮?nèi)應(yīng)力的影響產(chǎn)生立片，俗稱立碑效應(yīng)。

判斷片感是否存在較大的內(nèi)應(yīng)力，可采取一個(gè)較簡(jiǎn)便的方法：取幾百只的片感，放入一般的烤箱或低溫爐中，升溫至230℃左右，保溫，觀察爐內(nèi)情況。如聽見噼噼叭叭的響聲，甚至有片子跳起來的聲音，說明產(chǎn)品有較大的內(nèi)應(yīng)力。

元件變形

如果片感產(chǎn)品有彎曲變形，焊接時(shí)會(huì)有放大效應(yīng)。

焊接不良、虛焊：

焊接正常：

焊盤設(shè)計(jì)不當(dāng)：

MLCI在熔焊后的各項(xiàng)要素：

a.焊盤兩端應(yīng)對(duì)稱設(shè)計(jì)，避免大小不一，否則兩端的熔融時(shí)間和潤(rùn)濕力會(huì)不同

b.焊合的長(zhǎng)度在0.3mm以上（即片感的金屬端頭和焊盤的重合長(zhǎng)度）

c.焊盤余地的長(zhǎng)度盡量小，一般不超過0.5mm。

d.焊盤的本身寬度不宜太寬，其合理寬度和MLCI寬度相比，不宜超過0.25mm

貼片不良

當(dāng)貼片時(shí)，由于焊墊的不平或焊膏的滑動(dòng)，造成片感偏移了θ角。由于焊墊熔融時(shí)產(chǎn)生的潤(rùn)濕力，可能形成以上三種情況，其中自行歸正為主，但有時(shí)會(huì)出現(xiàn)拉的更斜，或者單點(diǎn)拉正的情況，片感被拉到一個(gè)焊盤上，甚至被拉起來，斜立或直立（立碑現(xiàn)象）。目前帶θ角偏移視覺檢測(cè)的貼片機(jī)可減少此類失效的發(fā)生。

焊接溫度

回流焊機(jī)的焊接溫度曲線須根據(jù)焊料的要求設(shè)定，應(yīng)該盡量保證片感兩端的焊料同時(shí)熔融，以避免兩端產(chǎn)生潤(rùn)濕力的時(shí)間不同，導(dǎo)致片感在焊接過程中出現(xiàn)移位。如出現(xiàn)焊接不良，可先確認(rèn)一下，回流焊機(jī)溫度是否出現(xiàn)異常，或者焊料有所變更。

電感在急冷、急熱或局部加熱的情況下易破損，因此焊接時(shí)應(yīng)特別注意焊接溫度的控制，同時(shí)盡可能縮短焊接接觸時(shí)間。

回流焊推薦溫度曲線

手工焊推薦溫度曲線

04

上機(jī)開路

虛焊、焊接接觸不良

從線路板上取下片感測(cè)試，片感性能是否正常

電流燒穿

如選取的片感，磁珠的額定電流較小，或電路中存在大的沖擊電流會(huì)造成電流燒穿，片感或磁珠 失效，導(dǎo)致電路開路。從線路板上取下片感測(cè)試，片感失效，有時(shí)有燒壞的痕跡。如果出現(xiàn)電流燒穿，失效的產(chǎn)品數(shù)量會(huì)較多，同批次中失效產(chǎn)品一般達(dá)到百分級(jí)以上。

焊接開路

回流焊時(shí)急冷急熱，使片感內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力，導(dǎo)致有極少部分的內(nèi)部存在開路隱患的片感的缺陷變大，造成片感開路。從線路板上取下片感測(cè)試，片感失效。如果出現(xiàn)焊接開路，失效的產(chǎn)品數(shù)量一般較少，同批次中失效產(chǎn)品一般小于千分級(jí)。

05

磁體破損

磁體強(qiáng)度

片感燒結(jié)不好或其它原因，造成瓷體強(qiáng)度不夠，脆性大，在貼片時(shí)，或產(chǎn)品受外力沖擊造成瓷體破損

附著力

如果片感端頭銀層的附著力差，回流焊時(shí)，片感急冷急熱，熱脹冷縮產(chǎn)生應(yīng)力，以及瓷體受外力沖擊，均有可能會(huì)造成片感端頭和瓷體分離、脫落；或者焊盤太大，回流焊時(shí)，焊膏熔融和端頭反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生的潤(rùn)濕力大于端頭附著力，造成端頭破壞。

片感過燒或生燒，或者制造過程中，內(nèi)部產(chǎn)生微裂紋。回流焊時(shí)急冷急熱，使片感內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力，出現(xiàn)晶裂，或微裂紋擴(kuò)大，造成瓷體破損。

4

半導(dǎo)體器件失效分析

半導(dǎo)體器件失效分析就是通過對(duì)失效器件進(jìn)行各種測(cè)試和物理、化學(xué)、金相試驗(yàn)，確定器件失效的形式(失效模式)，分析造成器件失效的物理和化學(xué)過程(失效機(jī)理)，尋找器件失效原因，制訂糾正和改進(jìn)措施。加強(qiáng)半導(dǎo)體器件的失效分析，提高它的固有可靠性和使用可靠性，是改進(jìn)電子產(chǎn)品質(zhì)量最積極、最根本的辦法，對(duì)提高整機(jī)可靠性有著十分重要的作用。

半導(dǎo)體器件與使用有關(guān)的失效十分突出，占全部失效器件的絕大部分。進(jìn)口器件與國(guó)產(chǎn)器件相比，器件固有缺陷引起器件失效的比例明顯較低，說明進(jìn)口器件工藝控制得較好，固有可靠性水平較高。

01

與使用有關(guān)的失效

與使用有關(guān)的失效原因主要有：過電應(yīng)力損傷、靜電損傷、器件選型不當(dāng)、使用線路設(shè)計(jì)不當(dāng)、機(jī)械過應(yīng)力、操作失誤等。

過電應(yīng)力損傷

過電應(yīng)力引起的燒毀失效占使用中失效器件的絕大部分，它發(fā)生在器件測(cè)試、篩選、安裝、調(diào)試、運(yùn)行等各個(gè)階段，其具體原因多種多樣，常見的有多余物引起的橋接短路、地線及電源系統(tǒng)產(chǎn)生的電浪涌、烙鐵漏電、儀器或測(cè)試臺(tái)接地不當(dāng)產(chǎn)生的感應(yīng)電浪涌等。按電應(yīng)力的類型區(qū)分，有金屬橋接短路后形成的持續(xù)大電流型電應(yīng)力，還有線圈反沖電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的瞬間大電流型電應(yīng)力以及漏電、感應(yīng)等引起的高壓小電流電應(yīng)力；按器件的損傷機(jī)理區(qū)分，有外來過電應(yīng)力直接造成的PN結(jié)、金屬化燒毀失效，還有外來過電應(yīng)力損傷PN結(jié)觸發(fā)CMOS電路閂鎖后引起電源電流增大而造成的燒毀失效。

靜電損傷

嚴(yán)格來說，器件靜電損傷也屬于過電應(yīng)力損傷，但是由于靜電型過電應(yīng)力的特殊性以及靜電敏感器件的廣泛使用，該問題日漸突出。靜電型過電應(yīng)力的特點(diǎn)是：電壓較高(幾百伏至幾萬伏)，能量較小，瞬間電流較大，但持續(xù)時(shí)間極短。與一般的過電應(yīng)力相比，靜電型損傷經(jīng)常發(fā)生在器件運(yùn)輸、傳送、安裝等非加電過程中，它對(duì)器件的損傷過程是不知不覺的，危害性很大。從靜電對(duì)器件損傷后的失效模式來看，不僅有PN結(jié)劣化擊穿、表面擊穿等高壓小電流型的失效模式，也有金屬化、多晶硅燒毀等大電流失效模式。

器件選型不當(dāng)

器件選型不當(dāng)也是經(jīng)常發(fā)現(xiàn)的使用問題引起失效的原因之一，主要是設(shè)計(jì)人員對(duì)器件參數(shù)、性能了解不全面、考慮不周，選用的器件在某些方面不能滿足所設(shè)計(jì)的電路要求。

操作失誤

操作失誤也是器件經(jīng)常出現(xiàn)的失效原因之一，例如器件的極性接反引起的燒毀失效等。

02

器件固有缺陷引起的失效

與器件固有缺陷有關(guān)的失效原因主要有：表面問題、金屬化問題、壓焊絲鍵合問題、芯片鍵合問題、封裝問題、體內(nèi)缺陷等。在這幾種原因中，對(duì)器件可靠性影響較大的是表面問題、鍵合問題和粘片問題引起的失效，它們均帶有批次性，且經(jīng)常重復(fù)出現(xiàn)。

表面問題

從可靠性方面考慮，對(duì)器件影響最大的是二氧化硅層內(nèi)的可動(dòng)正離子電荷，它會(huì)使器件的擊穿電壓下降，漏電流增大，并且隨著加電時(shí)間的增加使器件性能逐漸劣化。有這種缺陷的器件用常規(guī)的篩選方法不能剔除，對(duì)可靠性危害很大。此外，芯片表面二氧化硅層中的針孔對(duì)器件可靠性的影響也較大。有這種缺陷的器件，針孔剛開始時(shí)往往還有一層極薄的氧化層，器件性能還是正常的，還可順利通過老煉、篩選等試驗(yàn)，但長(zhǎng)期使用后由于TDDB效應(yīng)和電浪涌的沖擊，針孔就會(huì)穿通短路，引起器件失效。

金屬化問題

引起器件失效的常見的金屬化問題是臺(tái)階斷鋁、鋁腐蝕、金屬膜劃傷等。對(duì)于一次集成電路，臺(tái)階斷鋁、鋁腐蝕較為常見：對(duì)于二次集成電路來說，內(nèi)部金屬膜電阻在清洗、擦拭時(shí)被劃傷而引起開路失效也是常見的失效模式之一。

壓焊絲鍵合問題

常見的壓焊絲鍵合問題引起的失效有以下幾類。

（1）壓焊絲端頭或壓焊點(diǎn)沾污腐蝕造成壓焊點(diǎn)脫落或腐蝕開路。

（2）外壓焊點(diǎn)下的金層附著不牢或發(fā)生金鋁合金，造成壓焊點(diǎn)脫落。

（3）壓焊點(diǎn)過壓焊，使壓焊絲頸部斷開造成開路失效。

（4）壓焊絲弧度不夠，與芯片表面夾角太小，容易與硅片棱或與鍵合絲下的金屬化鋁線相碰，造成器件失效。

芯片鍵合問題

最常見的是芯片粘結(jié)的焊料太少、焊料氧化、燒結(jié)溫度過低等引起的開路現(xiàn)象。芯片鍵合不好，焊料氧化發(fā)黑，導(dǎo)致芯片在"磁成形"時(shí)受到機(jī)械應(yīng)力作用后從底座抬起分離，造成開路失效。

封裝問題

封裝問題引起的失效有以下幾類。

（1）封裝不好，管殼漏氣，使水汽或腐蝕性物質(zhì)進(jìn)入管殼內(nèi)部，引起壓焊絲和金屬化腐蝕。

（2）管殼存在缺陷，使管腿開路、短路失效。

（3）內(nèi)涂料龜裂、折斷鍵合鋁絲，造成器件開路或瞬時(shí)開路失效。這種失效現(xiàn)象往往發(fā)生在器件進(jìn)行高、低溫試驗(yàn)時(shí)。

體內(nèi)缺陷

半導(dǎo)體器件體內(nèi)存在缺陷也可引起器件的結(jié)特性變差而失效，但這種失效形式并不多見，而經(jīng)常出現(xiàn)的是體內(nèi)缺陷引起器件二次擊穿耐量和閂鎖閾值電壓降低而造成燒毀。

編輯：黃飛