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      NP3416EMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)

      batai ? 來(lái)源：batai ? 作者：batai ? 2022-07-18 17:16 ? 次閱讀

      1.描述
      NP3416EMR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供出色的RDS（開(kāi)啟）、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V時(shí)工作。這個(gè)裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM申請(qǐng)。

      2.一般特征
      * VDS=20V，ID=7A
      RDS(ON)（典型值）=17.3 MΩ@VGS=2.5V
      RDS(ON)（典型值）=13.6 mΩ@VGS=4.5 V
      （1）高功率和電流處理能力
      * 獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
      * 表面貼裝封裝
      ·ESD額定值：3500V HBM

      3.應(yīng)用程序
      * PWM應(yīng)用
      * 負(fù)荷開(kāi)關(guān)

      4.包裝
      SOT-23-3L

      5.示意圖

      pYYBAGLVJL-AeNJ5AADaQO5OBz0953.png


      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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