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高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器MS2510參數(shù)

xbwzwx ? 來源:xbwzwx ? 作者:xbwzwx ? 2022-07-13 21:17 ? 次閱讀

MS2510描述

MS2510 是 8 比特,20MSPS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADCs),同時使用一個半閃速結(jié)構(gòu)。MS2510在 5V 的電源電壓下工作,其典型功耗只有 130mW,包括一個內(nèi)部的采樣保持電路,具有高阻抗方式的并行輸出口以及內(nèi)部基準(zhǔn)電阻。

與閃速轉(zhuǎn)換器(flash converters)相比,半閃速結(jié)構(gòu)減少了功耗和晶片尺寸。通過在 2步過程(2-step process)中實現(xiàn)轉(zhuǎn)換,可以大大減少比較器的數(shù)目。轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)等待時間為 2.5個時鐘。

MS2510 有兩種工作模式。模式一使用 3 個內(nèi)部基準(zhǔn)電阻連接 VDDA 可產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)的2V(5VDD)/1.3V(3.3VDD)滿度轉(zhuǎn)換范圍。為了實現(xiàn)此選項僅需外部跳線器。模式二通過內(nèi)部電阻區(qū)產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)的 4V 滿度轉(zhuǎn)換范圍。這減少了對外部基準(zhǔn)或電阻器的需求。差分線性度在25℃溫度下為 0.5LSB,在整個工作溫度范圍內(nèi)的最大值是 0.75LSB。用差分增益 1%和差分相位為 0.7%可以規(guī)定動態(tài)特性范圍。

MS2510 的工作溫度范圍從-20℃至 75℃。

應(yīng)用范圍

?數(shù)字電視

?多媒體圖像處理

?視頻會議

?高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換

?正交調(diào)制解調(diào)器

特點:

?模擬信號輸入范圍:

-模式一…2V MAX

-模式二…4V MAX

?8 比特分辨率

?積分線性誤差

±0.75 LSB(25℃)

±1 LSB(-20℃-75℃)

?微分線性誤差

±0.5 LSB(25°C)

±0.75 LSB(-20℃-75℃)

?最快轉(zhuǎn)換頻率

20MSPS

?3.3V/5V 單電源工作

?低功耗

模式一…127.5mW

模式二…150mW

管腳圖

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管腳說明圖

2ce33b6d5baf400dbc9e0f11aee547cf?from=pc

結(jié)構(gòu)框圖

1f001d78ee42427196552133338256e2?from=pc

輸入/輸出結(jié)構(gòu)示意圖

a685744bae0a417799baa9dd57e4682e?from=pc

電學(xué)特性

VDD=5V,VREFT=2.5V,VREFB=0.5V,f(CLK)=20MHz,TA=25oC 時的電學(xué)特性(除特別說明外)

數(shù)字 I/O

867221ec6dc64af99092e88ff6698fe8?from=pc

a5652ffcd43b4bc69e21bbbfec7747c6?from=pc

工作特性

工作條件 VDD=5V,VREFT=2.5V,VREFB=0.5V,f(CLK)=20MHz,TA=25oC 時(除非特別說明

外)

c4a0d0c9bfb24b0992bac69792d312b1?from=pc

功能說明

MS2510 是具有兩個低位比較器塊的半閃速(semiflash)ADC(每四位一個比較器)。如圖 3 所示,輸入電壓 VI(1)在 CLK1 的下降沿采樣入高位比較器塊和低位比較器塊(A),S(I)。高位比較器塊在 CLK2 上升沿確定高位數(shù)據(jù) UD(1),同時,低基準(zhǔn)電壓(lower referencevoltage)產(chǎn)生與高位數(shù)據(jù)相對應(yīng)的電壓 RV(1)。低位比較器塊(A)在 CLK3 上升沿確定低位數(shù)據(jù) LD(1)。VD(1)和 LD(1)在 CLK4 的上升沿組合在一起并輸出為 OUT(1)。根據(jù)上面所述的內(nèi)部操作,輸出數(shù)據(jù)滯后模擬輸入電壓采樣點 2.5 個時鐘。輸入電壓 VI(2)在 CLK2 下降沿被采樣,UD(2)在 CLK3 的上升沿最后確定,LD(2)在 CLK4 的上升沿被低位比較器塊(B)最后確定。OUT(2)在 CLK5 上升沿輸出。

內(nèi)部基準(zhǔn)

工作模式

MS2510 具有三個內(nèi)部電阻以便能產(chǎn)生內(nèi)部基準(zhǔn)電壓。這些電阻連接到 VDDA,REFT,REFB 以及 AGND。

內(nèi)部產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓,如圖 4 所示那樣連接。這種連接提供用于額定數(shù)字輸出的標(biāo)準(zhǔn)視頻 2V 基準(zhǔn)。

f6720ce0f11a41739772fbaeb8ed1aad?from=pc

?強度超出所列的極限參數(shù)可能導(dǎo)致器件的永久性損壞,這些僅是極限參數(shù),并不意味著

在極限參數(shù)條件下或在任何其他超出推薦工作條件下所示參數(shù)的情況下器件能有效地

工作。 延長在極限參數(shù)條件下的工作時間會影響器件的可靠性。

應(yīng)用資料

以下注記是應(yīng)當(dāng)與 MS2510 一起使用的設(shè)計推薦項。

?為了減少系統(tǒng)噪聲,外部模擬和數(shù)字電路應(yīng)當(dāng)實際上分離開來并盡可能屏蔽。

?MS2510 的 PIN9(VDDD)與 PIN11(VDDA)的供電,請串入 100 歐姆電阻隔離。

?在整個評估和生產(chǎn)過程中應(yīng)當(dāng)使用射頻RF)試驗板或印制電路板 (PCB)技術(shù)。 用于測試評估(bench evaluation)的試驗板應(yīng)當(dāng)鍍銅。

?因為 AGND 和 DGND 在內(nèi)部未連接,所以這些引腳需要在外部連接。采用試驗板時,這些地線應(yīng)當(dāng)通過具有良好電源旁路的單獨引線連接。為了使拾取的噪聲為最小,最好把隔開的雙鉸線電纜(separate twisted-pair cabels)用于電源線。在印制電路板布局上應(yīng)用使用模擬和數(shù)字地平面。

?VDD 至 AGND 和 VDDD 至 DGND 應(yīng)當(dāng)分別用 1μF 電容器去耦,去耦電容應(yīng)當(dāng)盡可能靠近它所影響的器件引腳處。對 0.01μF 電容,推薦使用陶瓷芯片電容器。對模擬和數(shù)字地,為了確保無固態(tài)噪聲(solid noise-free)的接地連接,試驗時應(yīng)當(dāng)小心。

?VDD,AGND 以及 ANALOG IN 引腳應(yīng)當(dāng)與高頻引腳 CLK 和 D0-D7 隔離開來。當(dāng)可能時,在印制電路板上 AGND 走線應(yīng)當(dāng)放在 ANALOG IN 走線的兩側(cè)以供屏蔽之用。

?在測試與使用器件時,在感興趣的頻率范圍內(nèi)連接到模擬輸入端的驅(qū)動源電阻應(yīng)當(dāng) 是10Ω或更小的數(shù)值。

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審核編輯 黃昊宇


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