針對2.4G頻段的無線單發(fā)芯片——SI24R2E,在開發(fā)過程中會遇到的常見問題進行匯總解答。
技術提問
Q1:雖說Si24R2E布局走線非常簡單,是否有提供建議參考,可以避免一些誤區(qū)?
動能世紀A1:有的。芯片數(shù)據(jù)手冊上有標準的參考原理圖,同時我們會提供一份《Si24R2E硬件設計指南》,避免客戶在設計過程中的一些問題,減少后期調試改板等工作。
Q2:我看到大多數(shù)Si24R2E的板子上都會加一顆100uf的鉭電容,具體作用是什么?
動能世紀A2:因為Si24R2E主要針對是低功耗有源標簽應用,一般是紐扣電池供電,加100uf鉭電容可以有效穩(wěn)定供電,同時保護電池延長電池壽命。
Q3:Si24R2E SPI 輸入口必須強制10K電阻上拉,否則靜態(tài)電流異常。如果這個10K上拉電阻沒有加,會有什么影響?
動能世紀A3:靜態(tài)電流會大一些。對于芯片的燒錄以及芯片的燒錄均沒有影響,但是我們強烈建議加上這幾個10K上拉電阻,主要還是穩(wěn)定性更好。
Q4:Si24R2E是如何進行芯片燒錄的?是否可以外掛MCU控制?
動能世紀A4:正常是通過我司提供的PC端芯片燒錄上位機編程器進行程序的下載,測試與量產(chǎn)都非常的方便。同時也支持外接MCU控制。
Q5:Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款產(chǎn)品有什么區(qū)別?
動能世紀A5:三款芯片均是脫胎于Si24R1,主要的區(qū)別是針對應用領域不同,所以功能有所差異。
Si24R2F兼容Si24R2E情況下新增了部分功能:
1.自動發(fā)射模式下,最多支持4個不同信道輪詢發(fā)射;
2.集成溫度監(jiān)測和報警功能(開啟溫度監(jiān)測,每次發(fā)射數(shù)據(jù)都會包含芯片工作環(huán)境溫度數(shù)據(jù));
3.支持按鍵發(fā)射功能;
4.支持發(fā)射數(shù)據(jù)加密。
Si24R2H相比Si24R2E有幾個較大的區(qū)別:
1.R2H功率要高于R2E。分別是12dBm和7dBm;
2.封裝不一樣,分別是R2H QFN32和R2E QFN20;
3.R2H內置125K,R2E則沒有;
4.跳頻通道不一樣,R2H只支持4通道跳頻,R2E只支持3通道跳頻;
5.內置NVM寄存器燒寫次數(shù)不一樣,R2H可燒寫次數(shù)較少為32次,R2E為128次;
6.R2H支持數(shù)據(jù)加密功能,R2E則不支持;
7.R2H支持內部測溫,NTC測溫,外掛溫濕度傳感器。R2E則不支持。
如果您還有其他技術問題未得到解決,可以在評論區(qū)留言一起交流,我們有專業(yè)的技術團隊給您提供強大的技術支持!
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