0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

蝕刻溶液的組成和溫度對腐蝕速率的影響

華林科納半導體設(shè)備制造 ? 來源:華林科納半導體設(shè)備制造 ? 作者:華林科納半導體設(shè) ? 2022-05-20 16:20 ? 次閱讀

我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案,為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液,使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的,研究了混合酸溶液的組成和溫度對腐蝕速率的影響,陰離子表面活性劑的加入提供了防止由蝕刻反應(yīng)產(chǎn)生的淤渣粘附的功能,一種新的配備有流動發(fā)生部件的濕法蝕刻試驗裝置被用于測試商用無堿玻璃和鈉鈣玻璃的蝕刻,通過使用中試裝置,將厚度為640μm的無堿玻璃和厚度為500 μm的鈉鈣玻璃分別蝕刻至45 μm和100 μm,在通過中試裝置進行蝕刻之后,玻璃表面的粗糙度保持在0.01~0.02 μm,本研究為大幅度降低氫氟酸的濃度,制備了加入NH4F、NH4HF2等含氟化合物及硫酸、硝酸等的混酸溶液,與現(xiàn)有氫氟酸基蝕刻溶液相比,不僅探討了蝕刻速度,還探討了蝕刻后的擬玻璃外觀狀態(tài)、表面照度等。作為將大型玻璃薄板化到100μm以下的新系統(tǒng),制作了淤積水流方式的導風裝置,并對其性能進行了探討。

燒杯實驗采用40×50mm尺寸切割LCD用無堿玻璃,以簡單沉積方式探討了蝕刻溶液的組成及溫度的影響,將制備的昵稱溶液200 mL裝入塑料材質(zhì)的燒杯中,將玻璃沉積于裝有蝕刻溶液的燒杯中,蝕刻10~20分鐘,實驗中,為了去除玻璃表面的污泥,每隔2~3分鐘搖晃玻璃。

為了保持恒溫,把燒杯放在恒溫箱里做了實驗,蝕刻一段時間后,將玻璃從燒杯中取出,用蒸餾水清洗,并擦拭玻璃表面不留污漬,用肉眼檢測了蝕刻后玻璃表面的波浪、劃痕、英尺、污漬等,使用表面照度儀測量表面照度,另一方面,為了防止蝕刻中產(chǎn)生的污泥附著在玻璃表面的現(xiàn)象,探討了陰離子系表面活性劑的添加效果,通過燒杯實驗,確定蝕刻溶液的組成,然后使用可處理玻璃而制作的導聯(lián)設(shè)備(圖1)。

在圖2中給出了說明,將含氟化合物濃度控制在10~25wt%范圍,探討了濃度的影響,將40×50mm大小切割的無堿玻璃在20℃、200 mL的蝕刻溶液中簡單沉積,HF的蝕刻時間為10分鐘,NH4F和NH4HF2的蝕刻時間為20分鐘。圖 2是平均蝕刻速率的結(jié)果,表明單獨使用NH4F和NH4HF2的情況下,即使將濃度提高到25 wt%,蝕刻速率也小于1μm/min,蝕刻效果非常微弱,HF的濃度越高,蝕刻速度越快,但如果蝕刻速度過快,蝕刻后玻璃表面會出現(xiàn)波紋、污漬及厚度偏差等問題。

由此可見,含有HF的溶液特別是隨溫度升高的蝕刻速率變化非常大,這意味著即使是微小的溫度變化,蝕刻速率也會有很大的變化,控制起來非常困難;另一方面,對于NH4F來說,添加硫酸或硝酸并沒有顯著增加蝕刻速率,溫度的影響也微乎其微,NH4HF2硫酸或硝酸的添加效果較高,溫度的影響也在較易控制的范圍內(nèi),被飼料為最有用的替代HF的成分。

對于NH4F和NH4HF2來說,這種情況下表面殘留污泥,形成污漬的傾向很強,而對于HF,濃度的增加不僅會導致蝕刻速度過快,難以控制,而且還會導致玻璃表面出現(xiàn)波紋,平滑度變差;另一方面,(b)溶液和(c)溶液的蝕刻速度相差2倍左右,(d)溶液是通過在(c)溶液中加入少量HF,將蝕刻速率調(diào)整為類似于(b)溶液的溶液,在這種情況下,HF和NH4HF2的缺點互補,得到了蝕刻后的玻璃表面狀態(tài)良好的結(jié)果。圖中顯示的蝕刻后玻璃的外觀代表了一個典型的例子,不同的蝕刻方法(設(shè)備)會有所差異。

除了這種可視化確認的問題,玻璃表面照度的變化還會導致透明度等方面的差異,對有代表性的蝕刻成分進行了蝕刻后玻璃表面照度的變化分析,結(jié)果實驗過程的圖中已給出,對于HF溶液,可以看出雖然蝕刻速度快,但表面照度與蝕刻前相比變得非常粗糙,與平均照度相比,蝕刻前玻璃為0.01μm,而用HF溶液蝕刻后,照度約為0.03-0.05μm,提高了3-5倍左右,對于NH4HF2溶液,蝕刻速度較慢,但蝕刻引起的表面照度變化幾乎沒有,在NH4HF2中添加HF少于5wt%,使其具有與HF溶液相似的蝕刻速度,即使蝕刻前和后的表面照度也幾乎沒有變化。

根據(jù)NH4HF2和H2SO4中添加0.1 wt%陰離子系表面活性劑的混酸溶液中加入少量HF(小于5 wt%)的蝕刻溶液,利用中試設(shè)備進行了實驗,以通過燒杯實驗得到的結(jié)果為基礎(chǔ),本實驗使用了以沉積水流方式設(shè)計的先導設(shè)備,將玻璃浸入蝕刻溶液后,通過設(shè)置在下部和兩側(cè)的噴嘴產(chǎn)生水流,旨在最大限度地減少玻璃位置上的厚度偏差,格拉斯使用了150× 100毫米大小的無堿玻璃、370 × 470毫米大小的純堿玻璃兩種,反應(yīng)溫度為20℃,由于HF的加入,調(diào)整后的蝕刻速率保持在20℃左右,無堿玻璃約為6.0 μm/min,純堿玻璃約為7.0 μm/min,蝕刻前640μm厚的無堿玻璃,在試驗設(shè)備中可以蝕刻約100分鐘,以45米厚薄板,在純堿玻璃中,500μm厚的玻璃可以蝕刻約60 min,以100μm厚薄板,可以看出如果用100米以下的厚度進行薄板化,玻璃的柔韌性會增加。

1)含氟化合物(HF、NH4F、NH4HF2)單組分情況下,HF的GLAS刻蝕速度較快,但刻蝕后GLAS表面狀態(tài)存在很多問題,NH4F和NH4HF2的刻蝕速度非常慢。

2)氟化化合物中添加硫酸或硝酸提高了蝕刻速度,特別是NH4HF2中添加硫酸的情況下,蝕刻速度大大提高,蝕刻后的玻璃表面狀態(tài)也相對良好。

3)在蝕刻溶液中加入少量陰離子系表面活性劑,可防止蝕刻反應(yīng)過程中產(chǎn)生的沉淀物附著在玻璃表面產(chǎn)生的污漬等問題,并能保持非常干凈的表面狀態(tài)。

4)使用沉積水流方式的先導裝置,640μm(150× 100)μm)厚的無堿玻璃和500米(370× 470 μm)厚的純堿玻璃,分別可以薄判為45μm和100μm以下的厚度。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 蝕刻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    414

    瀏覽量

    15392
  • 溶液
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    23

    瀏覽量

    8016
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    芯片濕法蝕刻工藝

    、傳感器和光電器件的制造過程中。 與干法蝕刻相比,濕法蝕刻通常具有較低的設(shè)備成本和較高的生產(chǎn)效率,適合大規(guī)模生產(chǎn)。 化學原理 基于化學反應(yīng)的選擇性,不同材料在特定化學溶液中的溶解速率
    的頭像 發(fā)表于 12-27 11:12 ?87次閱讀

    ER腐蝕速率探頭 陰極保護測試樁

    ER腐蝕速率探頭陰保樁是一種集成了ER腐蝕速率探頭和陰極保護測試功能的設(shè)備。
    的頭像 發(fā)表于 12-01 17:38 ?124次閱讀
    ER<b class='flag-5'>腐蝕</b><b class='flag-5'>速率</b>探頭 陰極保護測試樁

    ADS8881的數(shù)據(jù)輸出速率是1MSPS,那10顆ADS8881組成菊花鏈整體的數(shù)據(jù)輸出速率就是100KSPS嗎?

    ADS8881的數(shù)據(jù)輸出速率是1MSPS,如果用10顆ADS8881組成菊花鏈,那么整體的數(shù)據(jù)輸出速率就是100KSPS(1MSPS/10),這么理解可否
    發(fā)表于 11-22 14:44

    玻璃絲網(wǎng)在腐蝕PCB過程中有什么作用

    如下圖所示,這是剛剛送到的玻璃纖維網(wǎng),原本計劃使用它作為腐蝕PCB下面的墊片,將它放置在單面覆銅板的下面,可以促進下面的腐蝕溶液的流動。從而增加腐蝕的速度和均勻特性。下面,我們測試一下
    的頭像 發(fā)表于 11-05 11:23 ?250次閱讀
    玻璃絲網(wǎng)在<b class='flag-5'>腐蝕</b>PCB過程中有什么作用

    濕法蝕刻的發(fā)展

    蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間,轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸,然后轉(zhuǎn)移到最終沖洗和旋轉(zhuǎn)干燥步驟。濕法蝕刻用于
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:58 ?175次閱讀
    濕法<b class='flag-5'>蝕刻</b>的發(fā)展

    玻璃基電路板的蝕刻和側(cè)蝕技術(shù)

    在對顯示面板和玻璃基板減薄蝕刻主要是指通過一定配比混酸等蝕刻液對液晶面板和玻璃基板等(二氧化硅)玻璃材質(zhì)基板進行化學腐蝕。本文所摘選信息雖不是專門介紹對玻璃基材的蝕刻,但相關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 07-19 15:41 ?495次閱讀

    交變鹽霧腐蝕試驗箱主要用來檢測什么的?

    系統(tǒng)、氣體流動系統(tǒng)等部分組成。在鹽水噴灑系統(tǒng)中,鹽水溶液通常通過高壓泵將鹽水噴灑到試樣表面,以此模擬海洋環(huán)境中的海水霧氣。該設(shè)備在材料的制造、選材和耐腐蝕設(shè)計等領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 07-17 15:58 ?256次閱讀
    交變鹽霧<b class='flag-5'>腐蝕</b>試驗箱主要用來檢測什么的?

    優(yōu)化耐腐蝕材料測試:美能鹽霧腐蝕試驗箱的應(yīng)用

    設(shè)備使用耐腐蝕材料制成,具備氣泵開啟、可調(diào)噴霧量和自由沉降霧粒等特點,確保了測試的精確和重復性。此外,觸摸屏溫度控制和聲光報警裝置增強了操作的便利性和安全性,使其成
    的頭像 發(fā)表于 07-03 08:33 ?262次閱讀
    優(yōu)化耐<b class='flag-5'>腐蝕</b>材料測試:美能鹽霧<b class='flag-5'>腐蝕</b>試驗箱的應(yīng)用

    如何阻止氨水溶液換熱器管板腐蝕?新型防腐技術(shù)讓設(shè)備遠離腐蝕

    氨水溶液換熱器作為一種重要的化工設(shè)備,廣泛應(yīng)用于化工、制冷等領(lǐng)域。在殼程為循環(huán)水、管程介質(zhì)為氨水溶液的工況下,列管換熱器管板腐蝕問題成為影響設(shè)備安全運行的關(guān)鍵因素。因此,研究有效的防腐技術(shù)對于延長設(shè)備壽命、保障生產(chǎn)安全具有重要意
    的頭像 發(fā)表于 06-21 16:08 ?459次閱讀
    如何阻止氨水<b class='flag-5'>溶液</b>換熱器管板<b class='flag-5'>腐蝕</b>?新型防腐技術(shù)讓設(shè)備遠離<b class='flag-5'>腐蝕</b>

    基于光譜共焦技術(shù)的PCB蝕刻檢測

    (什么是蝕刻?)蝕刻是一種利用化學強酸腐蝕、機械拋光或電化學電解對物體表面進行處理的技術(shù)。從傳統(tǒng)的金屬加工到高科技半導體制造,都在蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍之內(nèi)。在印刷電路板(PCB)打樣中,
    的頭像 發(fā)表于 05-29 14:39 ?388次閱讀
    基于光譜共焦技術(shù)的PCB<b class='flag-5'>蝕刻</b>檢測

    關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

    干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實地進行高精密加工的過程,故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差(選擇比)較大、且能夠確保蝕刻的非等向性(主要隨材料層的厚度方向進行
    的頭像 發(fā)表于 04-18 11:39 ?675次閱讀
    關(guān)于兩種<b class='flag-5'>蝕刻</b>方式介紹

    影響pcb蝕刻性能的五大因素有哪些?

    一站式PCBA智造廠家今天為大家講講影響pcb蝕刻性能的因素有哪些方面?影響pcb蝕刻性能的因素。PCB蝕刻是PCB制造過程中的關(guān)鍵步驟之一,影響蝕刻性能的因素有很多。深圳領(lǐng)卓電子是專
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:37 ?961次閱讀
    影響pcb<b class='flag-5'>蝕刻</b>性能的五大因素有哪些?

    蝕刻機遠程監(jiān)控與智能運維物聯(lián)網(wǎng)解決方案

    數(shù)字化目標。 自動蝕刻機是利用金屬對電解作用的反應(yīng),將金屬進行腐蝕刻畫,從而蝕刻出各種圖紋、花紋、幾何形狀,產(chǎn)品精度極高,因此對設(shè)備運行穩(wěn)定的要求也很高。對此,物通博聯(lián)提供基于工業(yè)智能網(wǎng)關(guān)的自動
    的頭像 發(fā)表于 03-20 17:52 ?1086次閱讀
    <b class='flag-5'>蝕刻</b>機遠程監(jiān)控與智能運維物聯(lián)網(wǎng)解決方案

    半導體濕法技術(shù)有什么優(yōu)勢

    濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高, 因為使用的化學品可以非常精確地適應(yīng)單個薄膜。對于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。 批量蝕刻 在批量蝕刻
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:46 ?392次閱讀
    半導體濕法技術(shù)有什么優(yōu)勢

    電偶腐蝕對先進封裝銅蝕刻工藝的影響

    蝕刻液體系中,因電偶腐蝕造成的凸點電鍍銅蝕刻量約為銅種子層蝕刻量的 4.9 倍。通過分析凸點上錫、鎳鍍層的能譜數(shù)據(jù)及蝕刻效果,發(fā)現(xiàn)該凸點結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 02-21 15:05 ?706次閱讀
    電偶<b class='flag-5'>腐蝕</b>對先進封裝銅<b class='flag-5'>蝕刻</b>工藝的影響