芯片的制作過(guò)程是相當(dāng)復(fù)雜的,芯片制造是一層層向上疊加的,最高可達(dá)上百次疊加。每一次的疊加,都必須和前一次完美重疊,重疊誤差要求是1~2納米。而晶圓從傳送模組放置在晶圓平臺(tái)上,會(huì)產(chǎn)生一定的機(jī)械誤差,而精密機(jī)械的誤差是微米等級(jí)(1微米=1,000納米)。每次曝光之前,必須針對(duì)每片晶圓做精密的量測(cè),截取到晶圓每一個(gè)區(qū)塊納米等級(jí)的微小誤差。在曝光階段實(shí)時(shí)校正,達(dá)到納米等級(jí)的準(zhǔn)度。
DUV是深紫外線,EUV是極深紫外線。從制程工藝來(lái)看,DUV只能用于生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造,并且還可以向5nm、3nm繼續(xù)延伸。
晶振的制作方法:從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡(jiǎn)稱為晶片,它可以是正方形、矩形或圓形等),在它的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂敷銀層作為電極,在每個(gè)電極上各焊一根引線接到管腳上,再加上封裝外殼就構(gòu)成了晶振器,常見(jiàn)的有DIP(插腳類)和SMD(插片類)。
光刻機(jī)以極高的加速度進(jìn)行掃描曝光,在不到0.1秒的時(shí)間,又要急停并回頭往反方向掃描,這么大的力量如果不做控制,會(huì)讓整機(jī)產(chǎn)生振動(dòng),是不可能達(dá)到完美成像的。ASML光刻機(jī)利用所謂的balance mass來(lái)吸收平衡晶圓平臺(tái)所施加于機(jī)座的反作用力,使整座機(jī)臺(tái)完全靜止。
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審核編輯:符乾江
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