為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及,讓中國電子工程師能快速體驗(yàn)MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢,SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費(fèi)樣品申請,小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價(jià)申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù),更多信息請?jiān)L問www.sitimechina.com,客戶服務(wù)熱線400-888-2483。
SiT5156是SiTime公司推出的一款1-60MHZ輸出的高精度、抗沖擊、芯片級、可編程的溫補(bǔ)振蕩器TCXO,可提供0.1 ppb/g 振動免疫力,不會產(chǎn)生頻率擾動或微跳變。廣泛應(yīng)用于小型基站、微波回傳、存儲和服務(wù)器、專業(yè)音視頻設(shè)備、同步以太網(wǎng)及光學(xué)設(shè)備。
SiT5156具有極高的穩(wěn)定性(±0.5 ppm至±2.5 ppm),出色的動態(tài)性能和豐富的功能。 這些設(shè)備解決了電信,網(wǎng)絡(luò)和精密GNSS系統(tǒng)的根深蒂固的時(shí)序問題。在降低功耗和尺寸的同時(shí),它們可用于取代新興的5G和IEEE 1588同步應(yīng)用中的傳統(tǒng)石英OCXO。在高溫、熱震蕩、振動以及不可預(yù)期的氣流下持續(xù)運(yùn)行。
SiT5156選型參數(shù)
振蕩器類型:TCXO
頻率:1 - 60MHz任意頻率,可精確到小數(shù)點(diǎn)后6位
頻率穩(wěn)定性:±0.5ppm、±1.0ppm、±2.5ppm
相位抖動(rms):0.31ps
輸出類型:LVCMOS、Clipped sinewave(削峰正弦波)
工作溫度:-20℃ ~ +70℃、-40℃ ~ +80℃、-40℃ ~ +105℃
牽引范圍:±6.25ppm、±10ppm、±12.5ppm、±25ppm、±50ppm、±80ppm、±100ppm、±125ppm、±150ppm、±200ppm、±400ppm、±600ppm、±800ppm、±1600ppm、±3200ppm
電源電壓:2.5V、2.8V、3.0V、3.3V
封裝尺寸:5.0mm x 3.2mm
SiT5156特點(diǎn)
在氣流、快速溫度和斜坡作用下,具有優(yōu)異的動態(tài)穩(wěn)定性
±500ppb的頻率穩(wěn)定性b
3e-11 ADEV 在 10 秒平均時(shí)間
±15 ppb/°C 頻率斜率 (ΔF/ΔT),10°C/min 斜坡
在任何操作條件下實(shí)現(xiàn)最快的衛(wèi)星鎖定
振動下的相位噪聲提高 20 倍
最大限度地減少高振動環(huán)境中衛(wèi)星鎖定的損失
沒有活動下降或微跳
無需進(jìn)行昂貴的篩選或老化測試
0.2 ps/mV 電源噪聲抑制 (PSNR)
通過消除用于 TCXO 的專用 LDO 來減少 BOM
LVCMOS 或削峰正弦波輸出
優(yōu)化以實(shí)現(xiàn) EMI 和抖動之間的最佳平衡
通過 I2C 進(jìn)行數(shù)字頻率調(diào)諧
消除電路板噪聲引起的頻移
10 億小時(shí) MTBF
終身保修
減少由于時(shí)鐘組件引起的維修成本和現(xiàn)場故障
SiT5156應(yīng)用
關(guān)于作者--SiTime樣品中心
為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及,讓中國電子工程師能快速體驗(yàn)MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢,SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費(fèi)樣品申請,小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價(jià)申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù),更多信息請?jiān)L問www.sitimechina.com,客戶服務(wù)熱線400-888-2483。
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